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MH Kori 博士“开始 6G 研究是否太早了？...
他的专业贡献包括在无线和移动通信领域的大量研究工作、朗讯科技架构团队负责人，致力于多项 5G 技术的研究；在 C-DOT 从事数字微波开发；德国杜伊斯堡大学访问学者，设计在德国戴姆勒奔驰 MMIC 铸造厂制造的 MMIC 芯片；多个咨询和标准委员会成员 - ITU-R NWG 9 研究组；指导 IISc/BITS 和其他研究所的硕士/博士学位学生；许多研究所/大学的咨询委员会/学术委员会成员。他在期刊和会议上发表并发表了许多论文，在国内和国际会议上举办研讨会，担任过多个会议的主席、联合主席、书籍、会议论文集的合著者、特约编辑和联合编辑。他最近的受邀演讲包括在 IEEE 印度 5G 小组讨论会上的演讲、在国际 GIFSI 研讨会上关于 5G 的受邀演讲。他是国际雷达研讨会和国际微波研讨会的组织主席。
6 位、X 波段核心芯片 8 - 12 GHz
• AESA 雷达 • 电信 • 仪器仪表 描述 CGY2170YHV/C1 是一款在 X 波段工作的高性能 GaAs MMIC T/R 6 位核心芯片。该产品有三个 RF 端口，包括三个开关、一个 6 位移相器、一个 6 位衰减器和放大器。它的移相范围为 360°，增益设置范围为 31.5 dB。移相器和第一放大器级之间还有一个电压可变衰减器，用于增益控制。它覆盖的频率范围为 8 至 12 GHz，并在 10 GHz 时提供 5.8 dB 的增益。带有串行输入寄存器的片上控制逻辑最大限度地减少了控制线的数量，并大大简化了该设备的控制接口。该芯片采用 0.18 µm 栅极长度 ED02AH pHEMT 技术制造。 MMIC 采用金焊盘和背面金属化，并采用氮化硅钝化进行全面保护，以获得最高水平的可靠性。该技术已针对太空应用进行了评估，并被列入欧洲航天局的欧洲首选部件清单。
w波段的低噪声放大器用于空间应用
Spectrum Control Emeia与英国航天局合作，能够为欧洲航天局（ESA）提供一种独特的解决方案，该解决方案利用GMIC（玻璃微波集成电路）作为一种促成技术，并建立了工业合作伙伴关系，以提供MMIC解决方案和州的现状测试和测量能力。正在进行开发的解决方案是用于空间应用的W波段，双冗余的低噪声放大器，包括未来的高频数据通信，并在5G/6G和W波段雷达中脱离了应用。
Liechtenstein State Law Gazette
在此附录中，a）飞机：带有固定，旋转或旋转翅膀的飞机，带有kip蛋白或kip家禽的飞机； b）单层集成的微波电路（MMIC）：在微波或毫米范围内的频率工作的单层整合电路； c）主要单元格：任何其他来源无法充电的单元格； d）卫星导航系统：根据卫星收到的信号计算接收设备位置的系统，包括全球卫星导航系统（GNSS）和区域卫星导航系统（RNSS）； e）无人飞机（UAV）：能够开始飞行的飞机，以保持受控飞行并进行导航，而无需船上的人。
MIM电容器的降低缺陷和产量提高
关键字：制造产量，MMIC，MIM电容器，压力，摘要这项工作的目的是观察和分析MIM电容器结构中的应变相关效应，从而导致制造产量的降解。我们的结果表明，形成MIM结构的层之间的应变差会导致SIN X绝缘子层中应力诱导的缺陷。可以观察到这些缺陷，当MIM结构的面积 /电容增加时，它们成为一个显着的屈服限制。根据我们的技术，我们提出了一些过程和设计修改，以解决与压力相关的问题。测试了每种方法，并提出了产生的产量。ntroduction 用于金属构造仪（MIM）电容器的单片微波集成电路（MMIC）模具。 在高效放大器的现代设计中，MIM结构的数量和大小增加。 另一方面，据报道，集成的MIM电容器是导致2009年至2016年期间客户回报的失败机制的10个主要原因之一[1]。 因此，所有元素的累积产量，尤其是MIM电容器，应保持最高水平，以维持可靠的技术和低成本。 我们以前研究了电容器底部电极对MIM电容器产量的粗糙度的影响[2]。 此类缺陷是最明显的，并且相对容易通过光学检查检测。 可以使用适当的金属化技术和高级MIM层结构来减轻它们（例如，见图 [1]的5个）。用于金属构造仪（MIM）电容器的单片微波集成电路（MMIC）模具。在高效放大器的现代设计中，MIM结构的数量和大小增加。另一方面，据报道，集成的MIM电容器是导致2009年至2016年期间客户回报的失败机制的10个主要原因之一[1]。因此，所有元素的累积产量，尤其是MIM电容器，应保持最高水平，以维持可靠的技术和低成本。我们以前研究了电容器底部电极对MIM电容器产量的粗糙度的影响[2]。此类缺陷是最明显的，并且相对容易通过光学检查检测。可以使用适当的金属化技术和高级MIM层结构来减轻它们（例如，见图[1]的5个）。从我们的优化工作中，降低MIM电容器产量的原因如下：用于MIM结构的介电（SIN X）的材料特性和质量，底部电极的表面质量，由于夹层MIM结构而导致的热和/或机械应力相关问题。在这项工作中，我们提出了基于SIN X的MIMS的设计修改，以减少与热 /机械应力引起的绝缘体菌株相关的电容器故障。
微电子与 VLSI 设计 - IISc，YRM 班加罗尔
1. 集成电路设计：低功耗电子器件、集成电力电子器件、毫米波和太赫兹电子器件/MMIC、通信和传感用射频集成电路、神经形态硬件等。2. 基于电荷（纳米电子学）以及自旋（自旋电子学）的器件3. 纳米材料和纳米器件科学4. 微/纳电子应用新型材料的生长5. 能源（材料和器件）：无机和有机半导体光伏电池、能量收集器等6. 计算纳米电子学7. 光子学、神经形态和量子技术的材料和器件8. 纳米机械传感器和系统、NEM 与微电子集成、RF-NEM 等9. 宽带隙和其他功率半导体器件
先进半导体材料...
SSPL 从研发走向生产的梦想已经结出硕果，其产品系列完全由其自主开发。GaN MMIC、高功率激光二极管、与红外探测相关的关键子技术以及基于 MEMS、声发射和 SAW 设备的传感器是 SSPL 的旗舰开发领域。这些技术领域的产品包括功率放大器、低噪声放大器、芯片形式的 SPDT 开关、SiC 单晶晶片、单发射器光纤耦合激光二极管、斯特林制冷机、红外敏感材料、MEMS g 开关、e-Nasika CWA 探测器和用于爆炸物检测的基于 CNT 的 n-Nose。SSPL 开发的多项技术和产品已被 DRDO 实验室和太空应用所接受和使用。
格雷格·杰森
Gregg Jessen (SM'12) 于 1997 年获得美国俄亥俄州代顿市莱特州立大学工程物理学学士学位，并分别于 1998 年和 2002 年获得美国俄亥俄州哥伦布市俄亥俄州立大学电气工程硕士和博士学位。他目前是 MACOM 的杰出研究员，负责领导先进企业技术开发。从 2019 年到 2021 年，他担任 BAE Systems, Inc. 微电子中心铸造厂主任和首席科学家，领导定制化合物半导体 MMIC 解决方案开发。在此之前，Jessen 博士是传感器理事会空军研究实验室的研究员。在这些职位上，他为射频子系统、组件应用和恶劣环境操作开发了许多宽带隙和超宽带隙材料和晶体管技术。
联邦登记册/卷。 90，第10号/1月16日，星期四，...
基于列表的许可证例外（有关所有许可例外的说明，请参见第740部分）TSR：是的，是，除非N/A除外，而对于“开发”或“生产”的“技术”：（A）真空电子设备放大器在3A001.B.8中描述的真空电子设备放大器，其操作频率超过19 GHz； （b）太阳能电池，封面 - 互连细胞或遮盖连接连接细胞（CIC）“组件”，“太阳阵列”和/或3A001.E.4中描述的太阳阵列和/或太阳能电池板； （c）3A001.B.2中的“单片微波积分电路”（“ MMIC”）放大器； （d）3A001.B.3中的离散微波晶体管； （e）3A090中描述的商品。注意：请参阅ECCN 3E001的ECCN 3E001“技术”的ECCN 3E001“技术”的§740.2（a）（9）（ii），该限制由3A001.Z控制的商品，3A090。IEC：是的，对于由3B001.Q控制的设备“技术”，请参见EAR的EAR的第740.2（a）（22）和§740.24节。