摘要:甲基铵三溴化铅 (MAPbBr 3 ) 钙钛矿单晶被证明是出色的直接 X 射线和伽马射线探测器,具有出色的灵敏度和低检测限。尽管如此,对于高剂量电离辐射对这种材料的光物理影响的深入研究仍然缺乏。在这项工作中,我们介绍了关于受控 X 射线辐照对 MAPbBr 3 单晶光电特性影响的研究结果。使用成像 X 射线管在空气中进行辐照,模拟医疗设施中的实际应用。通过表面光电压谱,我们发现 X 射线照射会猝灭材料中的自由激子并引入新的结合激子物质。尽管有这种剧烈的影响,但晶体在黑暗和低湿度条件下储存 1 周后会恢复。通过 X 射线光电子能谱,我们发现新束缚激子物种的起源是溴空位的形成,导致材料介电响应的局部变化。恢复效应归因于大气氧和水对空位的填充。关键词:混合铅卤化物钙钛矿、甲基铵溴化铅、电离辐射、表面光电压谱、X 射线光电子能谱、激子
摘要:甲基铵铅三纤维胺钙钛矿(Mapbbr 3)是重要的材料,例如,用于发光应用和串联太阳能电池。相关的光物理特性受激发态以激发态的复杂且相对较少理解的相互作用和自由电荷载体的相互作用而产生的许多现象。在这项研究中,我们在可见光和Terahertz范围内结合了瞬态光谱镜,以在各种光子能量和密度下激发时在超快时在超消极时段研究激发子和自由载体的存在。对于上述和谐振带隙激发,我们发现自由电荷和激发子共存,并且两者主要是在我们的50 - 100 fs实验时间分辨率中迅速生成的。然而,随着对谐振带隙激发的调子能量降低,激子与无电荷比增加。自由电荷签名主导了瞬时启动激发和低激发密度的瞬时吸收响应,从而掩盖了激发型特征。具有谐振带隙激发和低激发密度,我们发现尽管激发子密度增加,但仍保留自由电荷。我们表明,激子将其定位到浅陷阱和/或Urbach尾部状态中形成局部激子(在Picseconds的数十个内部),后来被逐渐降低。使用高激发密度,我们证明了多体相互作用变得明显,诸如苔藓 - 爆发的偏移,带隙重新归一化,兴奋能源排斥和Mahan激子的形成之类的作用显而易见。■简介在超快时间尺度上,我们在此处证明的激发型Mapbbr 3的激子和自由电荷的共存证实了材料对发光二极管和串联太阳能电池应用的高潜力。
光学性质的精确知识,特别是折射率的折射率,即折射率/无机钙钛矿,对于推动从这些材料开发的当前pho-to-to-To-To-To-To-To-To-To-To-To-To-To伏设备的性能至关重要。在这里,我们显示了一种可靠的方法,用于确定Mapbbr3薄膜折射率的真实和假想部分和具有平面几何形状的千分尺尺寸的单晶。同时拟合,光发光和光致发光光谱向理论模型明确定义了折射率和晶体厚度。由于该方法依赖于在这些微观结构中发生的光学共振现象,因此它可用于进一步从钙钛矿或其他光学材料中发展出光学微腔。
相比之下,最近人们已使用基于 MHP 且不需要光刻的技术来生产大面积、高效且低成本的光电子器件和太阳能电池。[8] MHP 尤其适合用溶液处理法,因为它们易于在低温下合成、对缺陷具有耐受性、吸收能力强、在可见光和近红外范围内可调谐带隙能量、光致发光量子产率 (PLQY) 高、发射峰窄、传输特性好、非辐射复合中心密度低。[9–13] 例如,文献中已报道了高效的钙钛矿发光二极管 (PeLED)[2,14–17],其发射波长在可见光范围内。 2014 年报道的第一款 PeLED 的外部量子效率 (EQE) 约为 0.1%(混合甲基铵溴化铅,MAPbBr3)[18],其发展速度极快,迄今为止报道的 EQE 已超过 21%,可与最先进的 OLED 相媲美。[2,19]
