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利用microLED显示技术解决芯片问题……
利用 microLED 显示技术解决芯片间数据通信瓶颈 Bardia Pezeshki AvicenaTech Corp.，1130 Independence Ave，Mountain View，CA94043，www.avicena.tech 关键词：MicroLED、多芯光纤、光互连 摘要 在硅 IC 上制造的 MicroLED 显示器可以以空间复用格式形成高度并行的数据链路。如此宽的低功耗数据总线可以解决 4000 亿美元 IC 行业最大的痛点之一。我们展示了转移到硅 CMOS 电路上的高速 microLED，其中包括 LED 的集成驱动器、集成 Si 探测器和放大器。这些芯片的运行速度达到 Gb/s，可以与多芯光纤连接，在标准硅 ASIC 之间建立简单的低成本数据路径。我们使用 130nm CMOS 工艺展示了这些链路，每比特 <2pJ，并在 BER 和模式分割噪声方面展示了它们与 FP 激光器相比的卓越性能。 介绍
采用 GaN-on-Si microLED 和 microPD 矩阵进行短距离光通信
尽管与近红外光通信中使用的光子器件相比，GaN microLED 器件的射频带宽相对较小，但它们能够缩小到 1 μ m 到 10 μ m 之间的非常小的间距，并且具有高亮度和在高温下工作的能力，这使它们成为短距离光通信的有趣器件。人工智能 (AI) 或高性能计算 (HPC) 等应用正在推动更高性能、更好能源效率和低延迟短距离互连的发展。事实上，据报道，15 AI 开发所需的硬件性能的扩展速度远远快于互连和内存数据速率。因此，芯片间或芯片内通信预计将成为 AI 技术进步的主要限制因素，这加强了人们对 GaN microLED 等新型短距离光互连的兴趣。我们介绍了 CEA-LETI 最近开展的工作，重点是开发短距离芯片到芯片光通信，如图 1 所示，使用 InGaN/GaN microLED 和微型光电二极管 (microPD)。这项工作利用了最初为微型显示器开发并适用于 200 毫米 ASIC 的外延、器件和集成工艺。在概述 microLED 在通信方面的预期优势并将其与替代技术进行比较后，我们将简要介绍一种集成工艺，该工艺旨在在控制 ASIC 上方组装密集的 microLED 矩阵。将重点介绍主要的性能指标，以评估
MicroLED 在汽车领域的变革潜力......
MicroLED 代表着一个令人兴奋的机会，有可能降低超大面积显示器以及一些小面积显示器应用的成本。高能量紫外激光器是降低生产成本、提高产量和改善质量的关键。Coherent 提供多种解决方案，从单一激光源、光学系统到集成系统，用于 MicroLED 制造中的三个重要过程：激光剥离 (LLO)、激光诱导正向转移 (LIFT) 和修复/修整。Coherent 还涵盖了整个 MicroLED 生产链的更多工艺步骤，从超短脉冲激光器的激光切割到二极管激光器的激光辅助键合 (LAB)。
海信首次推出...标志着显示创新的新时代
您可在 1 月 7 日至 10 日于拉斯维加斯会展中心 (LVCC) 中央大厅 16625 展位举行的 CES 2025 上观看海信的 136MX MicroLED。
双共振纳米结构用于胶体量子发射体的颜色下转换
摘要：我们提出了一种由二氧化钛 (TiO 2 ) 亚波长光栅制成的双谐振纳米结构，以提高 Cd x Zn 1 − x Se y S 1 − y 胶体量子点 (QDs) 在用 ∼ 460 nm 的蓝光激发时发射波长为 ∼ 530 nm 的颜色下转换效率。通过光栅谐振和波导模式的混合，可以在 QD 层内创建大的模式体积，从而导致大的吸收和发射增强。特别是，我们实现了偏振光发射，在特定角度方向上最大光致发光增强约 140 倍，在收集物镜的 0.55 数值孔径 (NA) 内总增强约 34 倍。增强包括吸收、Purcell 和外耦合增强。我们实现了绿色 QDs 的总吸收率为 35%，颜色转换层非常薄，约为 ∼ 400 nm。这项工作为设计用于微型 LED 显示器、探测器或光伏应用中的吸收/荧光增强的大体积腔体提供了指导。关键词：导模共振、二氧化钛、介电纳米天线、颜色转换、胶体量子点、微型 LED 显示器
Alpha HPA 有限公司 (A4N)
• Alpha Sapphire B 阶段 FID 有望于 2025 年中期实现：A4N 将从现有的两个合成蓝宝石生长单元扩展到新工厂的 50 个单元（B 阶段扩建）的计划有望于 2025 年中期实现 FID。工程和成本建模正在进行中。A4N 最近将 B 阶段的 FID 推迟了大约六个月。该公司已经收到半导体制造商对下一代氮化镓 (GaN) 蓝宝石半导体平台的需求。这个新兴市场在一定程度上抵消了 microLED 显示器行业需求增长低于预期的影响。QIC 关键矿产和电池技术基金 (QCMBTF) 下的 B 阶段融资（3000 万美元）条款已更新，资金现在将可用至 2025 年 9 月 30 日，但前提是 Alpha Sapphire 董事会在 2025 年 6 月 30 日之前达成 FID。
电子元件与技术会议
此外，周二还将举行为期半天的异构集成路线图研讨会，由 Bill Chen 和 Bill Bottoms 主持。ECTC 还将邀请行业专家举办 7 场特别会议，讨论几个重要且新兴的主题领域。周二将安排 5 场特别会议，每场 90 分钟。5 月 31 日星期二上午 8:30，Chukwudi Okoro 和 Benson Chan 将主持“MicroLED 显示技术：大批量制造 (HVM) 进展与挑战”会议，随后 Amr Helmy 将于上午 10:30 主持特别会议，主题为“IEEE EPS 异构集成路线图的选定主题”。周二下午 1:30，Jan Vardaman 将就“从芯片到共封装光学器件”这一主题发表特别演讲，随后 Kuldip Johal 和 Bora Baloglu 将在下午 3:30 发表特别演讲，题为“IC 基板技术将如何发展以实现下一代异构集成方案以实现高性能应用？”周二晚上，Kitty Pearsall 和 Chris Riso 将共同主持 EPS 总裁 ECTC 小组会议，主题为“最先进的异构集成封装方案”。
通过直接外延方法在单个芯片上单一集成了μLED/hemts microdsplay
基本上，微滤线的微型播放主要由μLED阵列和电子零件组成，这些阵列和电子零件可电动驱动单个μLED。当前，使用两种主要方法来整合μLED阵列和电子零件。第一种方法是基于大规模转移技术的所谓“选择”，这意味着数百万的LED从晶圆转移到晶体管背板，在晶体管背板中，非常高的精度约为1 µm，需要大量时间。结果，产率通常非常低，[13-16]，因此这种方法对于制造微型播放是不切实际的，尤其是对于AR/VR应用。第二种方法是基于翻转芯片键合技术，其中μLED和CMO（用于电动驱动单个μLED）分别制造，然后将其合并晶片键合在一起。[17]但是，值得强调的是，第二种方法面临着两个主要的挑战。第一个挑战是由于组装问题。由于需要通过CMOS CUIT来驱动单独的可寻址LED，因此采用了一种异质的集成方法，用于与电动驱动零件的CombineμLED。[4,8–13]在这种情况下，仍然存在μLED和CMO之间对齐的准确性问题，因此仍然限制了转移产量，然后增加了制造成本。第二个挑战是由于μLED的光学性能降解，其中μLED是通过光刻技术和随后的干蚀刻过程制造的。[4-11]在这种干蚀刻和随访过程中，引入了严重的损坏，导致μED的光学效果严重降解。[18,19]此外，随着降低LED的尺寸，问题的严重程度进一步增强。[18-22]尽管采用了使用原子层沉积（ALD）技术的额外钝化过程，但[22,23]由于在干etter蚀过程中造成的不可逆损害，光学性能的恢复是微不足道的。因此，用于制造微型播放的这种杂基整合方法仍然远非令人满意。我们认为，电气驱动的LED和高电子迁移式晶体管（HEMT）的外延整合