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IRHNS9A97064 产品数据表
2 器件特性 ................................................................................................................................ 4 2.1 电气特性（辐照前） ...................................................................................................................... 4 2.2 源漏二极管额定值和特性（辐照前） ............................................................................................ 5 2.3 热特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4 辐射特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4.1 电气特性 — 总剂量辐照后 ...................................................................................................... 5 2.4.2 单粒子效应 — 安全工作区 ...................................................................................................... 6
irhns9a7064产品数据表
ir Hirel R9技术为空间应用提供了卓越的功率MOSFET。这些设备对单个事件效应的免疫力提高了（请参阅），并以最高90mev/（mg/cm 2）的线性能量转移（LET）的有用性能进行了特征。在当今高速开关应用（例如DC-DC转换器和电机控制器）中，低R DS（ON）和更快的切换时间的组合减少了功率损耗并增加了功率密度。这些设备保留了所有已建立的MOSFET的所有优势，例如电压控制，电气参数的快速开关温度稳定性。