电离辐射计量中心摘要。放射性核素中子源为各种中子测量装置提供了一种产生标准中子校准场的便捷方法。需要知道源的以下属性才能表征某一点的场:总中子发射率、中子能谱以及发射强度随角度的变化。假设光谱随角度的变化对于大多数应用而言可以忽略不计。放射性核素中子源的总发射率可以在国家物理实验室 (NPL) 通过硫酸锰浴技术绝对测量,或通过慢化探测器进行比较测量。各种常用源的中子能谱可在公开文献中找到。本报告描述了 NPL 用于测量放射性核素中子源各向异性发射的方法。给出了相对于各种源类型和封装的圆柱轴的测量中子角分布。还给出了使用蒙特卡洛传输代码 MCNP 计算的分布,这些分布通常与测量的分布具有良好的一致性。
异国情调的自由度,例如超子,暗物质和脱糊状的夸克物质,在紧凑型物体(如中子恒星)的理论模型中引起了显着的关注,如中子恒星,这些恒星具有极高的密集核心。我们的目标是在高密度环境中探索这些颗粒的形成,同时保持中子恒星的稳定性并满足中子恒星的观察性约束。我们采用相对论密度的功能方法,用于辐射阶段,并结合了超子和玻色子暗物质,通过相过渡到非本地nambu - jona-lasinio模型与颜色超导性描述。我们评估了模型与观察数据的兼容性,并使用贝叶斯分析来限制其参数。
Valentin Blideanu,Clement Besnard Vauterin,David Horvath,Benoit Lefebvre,Francesc Salvat-Pujol等。来自光核反应的中子光谱:蒙特 - 卡洛粒子转运模拟代码的性能测试。物理研究中的核仪器和方法B:梁与材料和原子的相互作用,2024,549,165292(14 p。)。10.1016/j.nimb.2024.165292。CEA-04477575
1 德国硼中子感染治疗学会 DGBNCT eV,德国埃森 45122; hey@uni-leipzig.de(EH-H.); luigi.panza@uniupo.it (LP); daniela.imperio@uniupo.it (DI); pierluigi.mauri@itb.cnr.it (下午); andrea.wittig@med.uni-jena.de (AW) 2 杜伊斯堡-埃森大学医学院放射治疗系 NCTeam,德国埃森 45147 3 冈山大学中子治疗研究中心,日本冈山 700-8530 4 UGA/Inserm U 1209/CNRS UMR 5309 联合研究中心,高级生物科学研究所,38700 拉特龙什,法国; lucie.sancey@univ-grenoble-alpes.fr 5 莱比锡大学化学与矿物学系无机化学研究所,04109 莱比锡,德国; martin.kellert@uni-leipzig.de 6 东皮埃蒙特大学药学系,13100 韦尔切利,意大利 7 塞维利亚大学医学生理学和生物学系,41004 塞维利亚,西班牙; mbalcerzyk@us.es 8 塞维利亚大学国家加速器中心 - CSIC - 安达卢西亚自治区,41004 塞维利亚,西班牙 9 生物医学技术研究所(ITB-CNR),93,20090 塞格拉泰,意大利; giovanna.rizzo@itb.cnr.it (希腊); elisa.scalco@itb.cnr.it (ES)10 埃森大学医院核医学科,德国埃森 45147; ken.herrmann@uk-essen.de 11 蛋白质组学和代谢组学实验室,ELIXIR 基础设施,国家研究委员会 (ITB-CNR),20090 塞格拉泰,意大利; antonella.depalma@itb.cnr.it 12 意大利比萨高等圣安娜大学生命科学研究所,邮编 56127 13 德国耶拿弗里德里希席勒大学耶拿医院放射治疗和放射肿瘤学系,邮编 07743 * 通讯地址:wolfgang.sauerwein@dgbnct.de
大气中子辐照谱仪(ANIS)是中国散裂中子源(CSNS)的一条新光束线,主要用于现代微电子的加速测试。它具有类似大气的中子谱,具有准直束斑和泛光束斑。ANIS 总长 40 米,配备中子快门、飞行管、中子扩展器、通量控制器、准直器、清除磁铁、中子滤波器以及光束线屏蔽。ANIS 后端设有控制室、操作室和储藏室。设计、组装、检查测试和初始调试测试于 2022 年成功完成。ANIS 目前处于科学调试的高级阶段,用于测量不同配置下的中子谱、通量和剖面。使用裂变电离室 (FIC)、位置灵敏气体电子倍增器 (GEM)、活化箔和单晶金刚石探测器测量了中子束特性。在这项工作中,我们介绍了 ANIS 的测量光束规格和光束评估,这对于即将启动的 ANIS 用户计划很有希望。还介绍了早期操作和用户实验。
摘要 - 在图形处理单元(GPU)上执行的深神经网络(DNN)的可靠性评估是一个具有挑战性的问题,因为硬件体系结构非常复杂,软件框架由许多抽象层组成。虽然软件级故障注入是评估复杂应用程序可靠性的一种常见且快速的方法,但它可能会产生不切实际的结果,因为它对硬件资源的访问有限,并且采用的故障模型可能太幼稚(即单位和双位翻转)。相反,用中子光束注射物理断层提供了现实的错误率,但缺乏故障传播可见性。本文提出了DNN故障模型的表征,该模型在软件级别结合了中子束实验和故障注入。我们将运行一般矩阵乘法(GEMM)和DNN的GPU暴露于梁中子,以测量其错误率。在DNNS上,我们观察到关键错误的百分比可能高达61%,并表明ECC在减少关键错误方面无效。然后,我们使用RTL模拟得出的故障模型进行了互补的软件级故障注入。我们的结果表明,通过注射复杂的断层模型,Yolov3的误导率被验证为非常接近通过光束实验测得的速率,该速率比仅使用单位倒换的断层注射测量的频率高8.66倍。
封面显示了我们对Fe/Si + 11 B 4 C(前)和Fe/Si(后)多层的研究结果。可以比较电子衍射图像,Gisaxs原始数据和X射线反射率(也可以用于艺术目的)。也可以在反射率曲线之间的区域内显示多层的示意图。,fe/si + 11 b 4 c(前)代表未来,而fe/si(背面)描绘了过去。此外,艺术品也可以看作是电子衍射图像中心中的中子源,而gisaxs和XRR则展示了更改梁特性的外向光束和光学元件,在梁的末端,您会找到样品本身,模仿我研究的中心部分。封面的脊柱还显示了Fe/Si + 11 B 4 C(上)和Fe/Si(下图)多层的TEM图像。
摘要。必须研究用于陆地环境中高可靠性应用的电子设备,必须研究中子引起的单个事件效应。在本文中,在ISIS-Chipir辐射后,对包装商业SIC Power MOSFET的大气样中性诱导的单事件倦怠(SEB)进行了实验性观察。建立了SEB在MOSFET的电性能中的影响,并通过扫描电子显微镜观察到SIC损坏的区域。基于在模具级别的失败分析,可以定义SEB机制期间的不同阶段。敏感体积,其中二级粒子沉积了足够的能量以触发SEB机制,并位于SIC N-Drift外延层附近附近的SIC N-Drift外延层中。