自1976年以来,石英晶体共振器领域的大多数制造商一直在使用UV/臭氧清洁。此过程中的一些原始工作是在该领域完成的。(请参见图5)超细石英底物对于制造非常稳定的频率控制装置所需的电极膜粘附至关重要。通常使用UV/臭氧是最终的清洁步骤,过程时间为1-5分钟。...表面声波(S.A.W.)设备也是具有相似制造过程和清洁要求的pi-ezoeleclectric设备。尼橙锂和石英用于制造锯设备。该行业组中的许多用户都使用连接角度仪或蒸汽成核测试来监视清洁度。
我们在芯片上定期推出的Niobate微烯谐振器中证明了参数全光调制。,它通过其总频率生成在两个巨大的人均效率为8的总和频率生成之间采用了两个不同的波浪之间的量子Zeno封锁。2 MHz。 在6 MW峰值功率下,具有纳秒泵脉冲85。 观察到7%的调制灭绝,与以前的实施相比,效率提高了30倍以上。 只有2 MW泵峰值功率为43。 0%的调制灭绝是在4 MW处的双重信号的观察到的。 这首次证明,只有参数非线性光学元件才有可能具有串联性和风扇的光学晶体管。 这些结果,以及此类光子综合电路中的固有优势,为全光和量子信息处理打开了可扩展技术的大门。2 MHz。在6 MW峰值功率下,具有纳秒泵脉冲85。 观察到7%的调制灭绝,与以前的实施相比,效率提高了30倍以上。 只有2 MW泵峰值功率为43。 0%的调制灭绝是在4 MW处的双重信号的观察到的。 这首次证明,只有参数非线性光学元件才有可能具有串联性和风扇的光学晶体管。 这些结果,以及此类光子综合电路中的固有优势,为全光和量子信息处理打开了可扩展技术的大门。在6 MW峰值功率下,具有纳秒泵脉冲85。观察到7%的调制灭绝,与以前的实施相比,效率提高了30倍以上。只有2 MW泵峰值功率为43。0%的调制灭绝是在4 MW处的双重信号的观察到的。这首次证明,只有参数非线性光学元件才有可能具有串联性和风扇的光学晶体管。这些结果,以及此类光子综合电路中的固有优势,为全光和量子信息处理打开了可扩展技术的大门。
我们研究了光折变效应对用于连续变量片上实验的铌酸锂集成量子光子电路的影响。研究了电路的主要构建块,即腔体、定向耦合器和周期性极化非线性波导。这项工作表明,即使光折变效应弱于空间模式跳跃,它们也可能影响片上量子光子学实验的成功。我们详细描述了导致识别此可能问题的表征方法。我们还研究了设备加热在多大程度上代表了抵消此影响的可行解决方案。我们重点研究了 775 nm 光引起的光折变效应,背景是 1550 nm 电信波长的非经典光的产生。
具有机电耦合作用的材料对于换能器和声学设备而言至关重要,因为它们是机能和电能之间的可逆转换器 1–6。高机电响应通常存在于结构不稳定性较强的材料中,传统上通过两种策略实现 - 准同型相边界 7 和纳米级结构异质性 8 。在这里,我们展示了一种不同的策略,通过从竞争的反铁电和铁电序中诱导极端的结构不稳定性来实现超高的机电响应。在相图和理论计算的指导下,我们设计了铌酸钠薄膜中反铁电正交和铁电菱面体相的共存。由于电场诱导的反铁电-铁电相变,这些薄膜显示出高于 5,000 pm V −1 的有效压电系数。我们的研究结果为设计和开发用于机电设备的反铁电材料提供了一种通用方法。
随着量子信息系统迅速扩大规模并应用于许多领域,高速率、高亮度和高纯度的量子光子源越来越受到青睐。利用芯片上的周期性极化铌酸锂微谐振器,我们分别仅使用 3.4 µ W 和 13.4 µ W 泵浦功率就实现了 8.5 MHz 和 36.3 MHz 高速率的光子对生成,这标志着比最先进的技术有了数量级的提高。在这些高速率下,测得的巧合与偶然比远高于 100,在较低的泵浦功率下达到 14,682 ± 4427。同一芯片能够以数十兆赫兹的速率生成单光子,每个光子的自相关性 g (2) H (0) = 0.008 和 0.097(对于微瓦泵浦)。这种独特的性能得益于芯片设备的无噪声和巨大的光学非线性,这将有助于即将到来的量子光信息技术的广泛应用。
摘要:非线性块体晶体中的反向传播参量转换过程已被证明具有独特的特性,可实现高效的窄带频率转换。在量子光学中,在波导中通过反向传播参量下转换过程 (PDC) 生成光子对,其中信号光子和闲置光子以相反的方向传播,提供了独特的与材料无关的工程能力。然而,实现反向传播 PDC 需要具有极短极化周期的准相位匹配 (QPM)。在这里,我们报告了在自制的周期性极化铌酸锂波导中生成反向传播单光子对,其极化周期与生成的波长在同一数量级。双光子状态的单光子以可分离的联合时间光谱行为桥接 GHz 和 THz 带宽。此外,它们允许使用最先进的光子计数器直接观察预示单光子的时间包络。
材料:铌酸锂/硅 波长范围:900 至 1700 nm 输出:保偏 光输入电平:+18 dBm 最大调制器偏置模式:Q+ 线性操作 消光比:25 dB 操作频率范围:DC 至 20GHz S21 带宽:3 dB,17 GHz 典型 IIP3 @ 10 GHz:25 dBm 典型输入 RF 电压:25 dBm 最大 RF 回波损耗:> 10 dB@ 20 GHz 工作电压(Vπ):< 3.5 V 光纤类型:PANDA 输入和输出 RF 连接器:SMA 电连接器:6/9 针用于控制和供电。尺寸:不超过 150 毫米 x 30 毫米 x 25 毫米。工作温度:-55°C 至 +75°C 对原型/开发技术的未来期望
在此,我们的注意力集中在热螺旋的Sodo-Niobate无定形薄膜的二阶光学特性上,该纤维薄膜通过原始的甲型膜结合了宏观和显微镜第二次谐波生成技术。通过探测不同尺度上二阶非线性(SONL)光学响应的几何形状和幅度,与散装玻璃相比,薄膜的poling机制的关键方面证明了这一点在于,在胶体/底物界面和Maxwell所描述的是电荷积累的外观。然后,通过使用微结构电极促进膜片平面中诱导的内置静态场来证明一种最小化这种效果的方法。测量了SONL光敏感性高达29 pm V 1,其几何形状和位置以微米尺度控制;与其他无机材料相比,它构成了至少一个数量级的改善,并且与硝酸锂单晶相当。
摘要—大带宽体声波 (BAW) 滤波器是第五代 (5G) 通信系统的迫切需求。在这项研究中,我们在多层氧化物薄膜上制备了 43 ◦ Y 切割铌酸锂 (LN) 单晶薄膜,并成功实现了带氧化物布拉格反射器 (BR) 的体声波滤波器。介绍了滤波器的设计方法和制造工艺。利用原子力显微镜 (AFM) 和扫描电子显微镜 (SEM) 来表征薄膜的质量。结果证明了将单晶薄膜转移到多层氧化物上的可行性,这对于限制声能是有效的。该谐振器的有效机电耦合系数为 14.6%,品质因数 (FOM) 为 32.94。该滤波器尺寸紧凑,为600 μ m×400 μ m,在中心频率为3.128 GHz时相对带宽为10.3%,有望应用于5G系统。
摘要:我们建议使用氮化铝 (AlN) 膜作为基于表面声波 (SAW) 的加速度测量的敏感元件。将所提出的解决方案与基于使用石英 (SiO 2 )/铌酸锂 (LiNbO 3 ) 膜的现有原型进行了比较,这些膜具有广泛的各向异性。使用 COMSOL Multiphysics 5.4 计算机模拟,我们明确表明基于各向异性较小的 AlN 膜的敏感元件克服了 SiO 2 的低灵敏度限制和 LiNbO 3 的低温稳定性。此外,与 SiO 2 相比,AlN 膜对不可逆机械变形的坚固性几乎提高了两倍,这反过来又使基于 LiNbO 3 的传感器的灵敏度提高了 1.5 倍。考虑到它们可接受的频率特性,我们认为 AlN 膜是敏感元件的良好候选者,尤其是对于高加速度测量。
