摘要:我们已经对聚(3-己基噻吩)(P3HT)(P3HT)和[6,6] - 苯基C61丁基甲基甲基酯酯活性层活性层活性层散装散装量量形的理论入射光子到电流(IPCE)作用光谱。通过玻璃基材/SIO 2/ITO/PEDOT的结构的二维光学模型:PSS/P3HT:PCBM(1:1)/CA/AL,该设备的光响应已计算出针对不同的光活性层和CA层的厚度,从而可以找到最大的设备构造,从而可以在最大程度上效率地效果,从而获得了最大的效果效果,从而可以在上位效果,从而获得最大的效果。已经计算出电场强度,能量耗散,发电速率和IPCE,以提高设备的性能。有限元方法在1.5 AM照明的100 mW/cm 2的入射强度下执行模拟。发现,最佳结构是通过180 nm光活性层和5 nm Ca层厚度实现的。
聚合物和小分子混合薄膜在有机电子器件,尤其是有机太阳能电池中具有极高的应用价值。普通 P3HT 和最先进的 Y 系列非富勒烯受体 (NFAs) 的混合物具有很高的可混溶性,可以抑制相分离和聚集,从而抑制电荷分离和传输。在最近的一项研究中,引入了电流诱导掺杂 (CID),这是一种精确控制溶液中聚 (3-己基噻吩) (P3HT) 聚集的方法。本文使用溶液中高度有序的预聚集来控制纯膜和与 Y12 (BTP-4F-12) 的混合物中的 P3HT 聚集。这使得 P3HT 有机场效应晶体管 (OFET) 器件中的空穴迁移率提高了 25 倍,并且在 Y12 存在下 P3HT 聚集体质量可以在大范围内可调。同时,特别是 Y12 长程有序性因 P3HT 聚集性的增加而受到严重抑制。然而,溶剂蒸汽退火 (SVA) 可导致 Y12 有序性极高,Y12 晶体取向发生变化,P3HT 聚集性进一步改善。因此,仅通过改变加工参数而不改变材料系统的组成,就可以在最终薄膜中获得两种材料不同程度的聚集。
摘要:近年来,作为低成本,导电层的半导体聚合物已受到越来越多的关注。为了显示合理的电导率,必须掺杂半导体聚合物,该过程需要氧化或还原共轭主链和结构重排,以便将电荷平衡柜台容纳到聚合物网络中。在这里,我们旨在了解这种结构重排如何有助于掺杂的能量。我们利用了一个事实,即摩擦对齐的聚(3-己基噻吩-2,5-二苯基)(p3HT)膜包含两个多晶型物,一种具有晶体结构,其密度低于在未对齐的膜中观察到的结构,而另一个具有更紧密的,更紧密的浓度,浓度更紧密的晶状体结构。分别相对于底物,这两种结构分别是面对面和边缘的,因此它们的衍射在Q空间中很好地分开,因此可以分别监测每个种群的掺杂诱导的结构变化。当电影掺杂2,3,5,6- tetrafluoro-7,7,8,8-四甲苯喹啉甲烷烷(F 4 TCNQ)时,比浓度更容易诱导的结构变化,而不是浓度更容易诱导的结构变化。这一发现表明,在掺杂过程中,聚合物晶体结构的重新排列是一个重要的能量术语,并且可以通过设计新聚合物来促进半导体聚合物的掺杂,在该聚合物中,可以在结构减少的聚合物及时中容纳掺杂剂。s
完整作者名单:Munshi, Joydeep;里海大学,机械工程系 Chien, TeYu;怀俄明大学,物理与天文学系 Chen, Wei;西北大学 Balasubramanian, Ganesh;里海大学,机械工程系;里海大学,
