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引文：YM Zhang, ZJ Wang, JH Feng, SQ Ming, FR Qu, Y Xia, M He, ZM Hu, 和 J Wang，大面积 2D W 的合成和电磁输运
二维拓扑绝缘体又称量子自旋霍尔绝缘体，具有受拓扑结构保护的边缘态[1]。由于该通道可支持无耗散电子传输，有望实现下一代低损耗电子器件，得到了广泛的研究[2−4]。自2006年起，斯坦福大学Zhang团队预言在HgTe/CdTe量子阱中存在量子自旋霍尔效应(量子自旋霍尔效应，QSH)[5]。次年，维尔茨堡大学物理研究所Molenkamp团队的实验证实了这一点[6]。研究人员进行了大量的理论预测和实验探索，以寻找更加实用的天然QSH材料[7−9]。与复杂量子阱结构相比，天然QSH材料在样品制备和异质结器件构筑方面更具有优势。但在天然单层二维体系中实现QSH效应仍然十分困难，自上而下的机械剥离法和自下而上的外延生长法是成功制备单层QSH材料的两种常用方法。
![arxiv：2410.21720v1 [cond-mat.mes-hall] 2024年10月29日](/simg/4\4ad28008e6e85035bed0a1526c456ec603ed18ac.webp)
arxiv：2410.21720v1 [cond-mat.mes-hall] 2024年10月29日
量子大厅（QH）效应，量子自旋大厅（QSH）效应和量子谷霍尔（QVH）效应是石墨烯中三个特殊的拓扑绝缘阶段。它们的特征是三种不同类型的边缘状态。这三个效应分别由外部磁场，固有的自旋轨道耦合（SOC）和应变诱导的假磁场引起。在这里，我们从理论上研究了这些效果并存并分析边缘状态如何在三个之间发展时。我们发现真实的磁场，伪磁场将在SOC能量差距上方竞争，而QSH效应几乎不受SOC能量差距的影响。边缘状态从QH效应或QVH效应到QSH效应的过渡直接依赖于Zeroth Landau级别的排列。使用边缘状态过渡，我们提出了类似于自旋场效应晶体管（Spin-Fet）的设备，并设计了Spintronics多向开关。
量子自旋霍尔系统与手性拓扑超导体连接处的传输特征
我们研究了通过正常超导体 (NS) 结的传输，该结由具有螺旋边缘态的量子自旋霍尔 (QSH) 系统和具有手性马约拉纳边缘模式的二维 (2D) 手性拓扑超导体 (TSC) 制成。我们采用二维扩展四带模型，用于磁场 (塞曼) 中受 s 波超导影响的 HgTe 基量子阱。我们使用 Bogoliubov-de Gennes 散射形式表明，该结构提供了 2D TSC 的显著传输信号。作为样品宽度 (或费米能量) 的函数，电导共振经历 2 e 2 / h (非平凡相) 和 4 e 2 / h 平台期 (平凡相) 的序列，随着样品宽度变大，它们落入非零陈数 (2D 极限) 的区域内。这些特征是 QSH 效应和 TSC 拓扑性质的体现。
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Modular design with Industrial XCKU060 in -1 speed grade, One user HPC FMC+ and one user LPC FMC site for user use of 3rd party FMC cards, XRTC compatible Configuration FMC Module, DDR3 DRAM in a SODIMM, System Monitoring and reference Space-Grade Power and Temperature Sensing solutions from Texas Instruments, using electro mechanically compatible parts.有关更多详细信息，请参见http://www.ti.com/tool/alpha-xilinx-ku060-space。ADA-SDEV-KIT3是对先前版本的次要增强功能，可以提高用户插槽上的第三方FMC卡之间的FMC兼容性，并为XRTC Conform-FMC站点的下一代配置FMC模块引入下一代配置FMC网站：ADM-SDEV CFG2。此增强的配置模块，可以让第三方微控制器板更容易访问selectMap以擦洗解决方案实现，并使用60种samtec qsh连接器将QSPI设备固定在女儿模块上，从而可以轻松地用电缆替换它们。带有RJ45连接器和RS232/485串行连接的千兆以太网PHY可以更好地支持基于微蓝光的应用程序。