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一种采用半波精密整流器的新架构方案
摘要：本文提出了一种基于第二代电压传送器 (VCII) 的半波整流器电路架构方案。该方案可产生电压信号形式的反相和非反相输出。所提出的电路是文献中介绍的第一种使用 VCII 的半波整流器架构。它由一个 VCII、两个二极管和一个接地电阻组成。输入信号为电流形式，整流输出电压信号在同一 VCII 的低阻抗 Z 端口提供。因此，产生的输出信号可直接使用，无需添加额外的电压缓冲器。此外，电路增益由接地电阻值设置，可以进行调整。所提出的电路采用简单的晶体管级结构，仅使用 21 个晶体管。本文介绍并解释了整流器的架构以及可能的 VCII 拓扑。还给出了初步的模拟结果，突出了其功能。它的简单性和多功能性使其适用于传感器接口和传感器网络的处理电路，其中模拟处理部分的低功耗至关重要。
硅Schottky整流器模具 - RX电子有限公司
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用于多电动飞机的强制换向控制串联电容整流器
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标题：基于全喷墨印刷有机二极管的 13.56 MHz 整流器
FA Viola 博士、B. Brigante、P. Colpani、G. Dell'Erba 博士、Dario Natali 教授、M. Caironi 博士，意大利理工学院纳米科学与技术中心@PoliMi，地址：via Pascoli 70/3，邮编 20133 米兰，意大利。电子邮件：mario.caironi@iit.it Dr. V. Mattoli 微型生物机器人中心，意大利理工学院，viale Rinaldo Piaggio 34, 50125 Pontedera (PI), 意大利 Prof. D. Natali 米兰理工大学电子、信息和生物工程系，via Ponzio 34/5, 20133 米兰，意大利 关键词：印刷电子、RFID、二极管、整流器、有机半导体
适用于 7 nm FinFET 工艺的可控硅整流器嵌入式二极管静电放电保护
静电放电 (ESD) 引起的损坏是集成电路的主要失效之一。在当今集成电路所采用的 7nm FinFET 工艺中，由于 FinFET 栅极氧化层的厚度减小以及高 k 电介质的可靠性较低，在静电放电 (ESD) 冲击下极其脆弱[1-3]，并且遭遇非致命的 ESD 冲击后，ESD 保护性能会逐渐下降[4,5]。一些 ESD 建模和仿真技术已被用于 FinFET 工艺，以帮助分析 ESD 冲击下的 ESD 保护特性[6-9]。ESD 保护二极管被认为是一种很有前途的 ESD 保护器件[6-8]。具有高鲁棒性的二极管串硅控整流器 (DSSCR) 也被认为是以前技术节点的 ESD 保护装置 [ 10 – 15 ]，但由于其高漏电和闩锁的较大回弹，它不再适用于 7 nm 技术。FinFET 工艺的 ESD 设计仍然是一个巨大的挑战。目前还没有一种具有足够低触发电压 (Vt) 和高故障电流 (It2) 的高鲁棒性 ESD 保护装置。在本文中，我们提出了一种基于 7 nm FinFET 工艺的新型硅控整流器嵌入式二极管 (SCR-D)。制造并分析了具有不同关键设计的这种保护的特性。
通过动态空间过滤向损坏的脑电图中的强大学习
Ferchichi Causa，Shipberry，DavidGuérin，Rampa，Bourguiga，Camal Lim。根据反应器基于无线电束文学过程，根据反应器掺杂。电子有机物，2021，97，pp.106266。10.1016/j.orgel。
HTS激发中速风发生器的数值建模，带有二极管原子定子馈送
涡轮额定功率的增加超过≥14MW，需要替代稀土永久磁铁（PM）发电机是风能领域的当前趋势。1个高温超导（HTS）在电兴奋的同步发电机中是一种有前途的替代方案，在过去十年中，它一直是几个研究项目的主题。2对于多种优势，HTS激发大多是在无齿轮，直驱动（DD）同步发电机（额定速度NN≈10RPM）的背景下进行讨论的，例如减少的发电机质量M Gen和增加机械电源转换的发电机效率η。在EcoSwing项目3中已证明了无齿轮3.6 MW发电机的技术可行性。避免使用齿轮以更高的可靠性和较低的维护工作能力产生非常大的DD发电机，以实现大发电机扭矩。较大的发电机尺寸随迄今为止昂贵的HTS材料带来了大量。
适用于2.5V纳米集成电路的超低压触发可控硅ESD保护装置
可控硅整流器 (SCR) 因其对 ESD 应力的高稳定性而成为最具吸引力的 ESD 防护元件 [1]。然而，传统 SCR 器件具有较高的触发电压 (Vt1) 和较低的维持电压 (Vh) [2,3]。因此，它无法在大多数电路中提供有效的 ESD 防护。为了解决这些问题，许多基于局部的改进 ESD 防护方案被提出，例如改进型横向 SCR (MLSCR)、低触发 SCR (LVTSCR) 和二极管串触发 SCR (DTSCR) [4,5]。其中，DTSCR 能够实现非常低且灵活的触发电压，近年来许多基于 DTSCR 的改进结构被提出。例如，Chen、Du 等人提出了一种称为 LTC-DTSCR 的新型 DTSCR [6]。 LTC-DTSCR通过抑制DTSCR寄生SCR的触发，进一步降低了触发电压。但DTSCR结构相对较高的过冲电压和较慢的导通速度限制了其在充电器件模型（CDM）保护中的应用[7]。此外，DTSCR不适用于2.5 V及以上电路的ESD防护，因为触发二极管数量的增加会因达林顿效应而导致较大的漏电和闩锁风险。LVTSCR与传统SCR存在同样的问题：触发电压过高，难以调整以适应先进CMOS工艺的ESD设计窗口。目前，[8，9]中已提出了几种改进的LVTSCR结构，但它们均侧重于提高保持电压，这些器件的触发电压仍然较高（~8 V）。此外，还有许多新型SCR结构被提出。 Lin 等通过在 SCR 中引入两个栅极，实现了低触发电压、低漏电、低寄生电容的新型 SCR 器件 [10]，但需要外部 RC 电路辅助触发，会造成巨大的额外面积消耗。P. Galy 等将 SCR 嵌入 BIMOS 中 [11]，实现了超紧凑布局、低触发电压、低导通电阻，但其保持电压较低，如果施加的电压域较高，会增加闩锁风险。
