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SRM科学技术研究所计算机科学与工程系（CSE）成立于2004年，为世界一流的IT基础设施和研究驱动的环境提供优质教育。它强调行业合作并灌输道德价值，以满足印度对熟练计算机专业人士的需求。凭借经验丰富的，经过行业培训的教师，该系使学生准备脱颖而出并面临现实世界中的挑战，从而培养由顶级全球公司招募的工程师。由NAAC认可，具有A ++级，并被MHRD归类为“ A”，SRM以提供卓越的本科教育而闻名。校友在领先的公司中表现出色，创造创新产品并为研究做出贡献。学生还获得了最高每年390万的包装的梦想优惠。
博士A. MOHANBABU ME，博士，助理教授（高级），SRM 科学技术学院，Bharathi Salai，Ramapuram，钦奈，泰米尔纳德邦
Dr. A. MOHANNBABU ME，博士，助理教授（高级），SRM 科学技术学院，Bharathi Salai，Ramapuram，钦奈，泰米尔纳德邦 600089。A. Mohanbabu 博士分别于 2011 年和 2013 年获得印度钦奈安娜大学电子与通信工程学士 (BE) 学位和印度钦奈安娜大学 VLSI 设计硕士学位 (ME)。他于 2018 年 3 月获得博士学位，论文题目为“具有增强模式 (E-Mode) 操作的高级 III-V 异质结构量子阱器件，用于高功率开关、模拟/射频应用”，印度钦奈安娜大学信息与通信工程系，研究领域为复合半导体器件建模与仿真。此外，他还获得了 CSIR HRD 的高级研究奖学金 (SRF) [奖学金编号：(09/468/0497/2016 EMR-I)]，以进行为期两年的全日制博士研究。目前，A. Mohanbabu 博士在印度钦奈拉马普拉姆 SRM 科学技术学院电子与通信工程系担任助理教授。他在同一领域的国际知名期刊上发表了近 22 篇科学索引 (SCI) 期刊和 4 篇 Scopus 期刊。他是各种期刊的审稿人，例如 IEEE Transaction on Device Materials and Reliability、IEEE Access、IETE Technical Review 等。他目前的兴趣是纳米电子器件建模、高功率 GaN 器件的模拟和特性。