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WSBM8518 Power MetalStrip®电池电池电阻器W/ ... div>
有关产品适用于某些类型应用程序的陈述是基于Vishay对典型要求的了解，这些要求通常在通用应用中的Vishay产品上放置。此类陈述不是关于产品适用于特定应用的适用性的约束性陈述。有责任验证具有产品规范中描述的特定属性的特定产品适合在特定应用程序中使用。数据表中提供的参数和 /或规格在不同的应用程序中可能会有所不同，并且性能可能会随着时间而变化。客户的技术专家必须为每个客户应用程序验证所有操作参数，包括典型参数。产品规格不会扩展或以其他方式修改Vishay的购买条款和条件，包括但不限于其中表达的保修。
PF2203 系列 - Bourns 的 Riedon™ TO-220 功率厚膜电阻器
Bourns ® 产品数据表中列出的特性和参数基于实验室条件，有关产品适用于某些应用类型的陈述基于 Bourns 对通用应用中典型要求的了解。Bourns ® 产品在用户应用中的特性和参数可能与数据表特性和参数不同，原因是 (i) Bourns ® 产品与用户应用中其他组件的组合，或 (ii) 用户应用本身的环境。Bourns ® 产品的特性和参数在不同应用中也可能存在差异，实际性能可能随时间而变化。用户应始终在其特定设备和应用中验证 Bourns ® 产品的实际性能，并自行判断在其设备或应用中设计额外的测试裕度，以补偿实验室条件和实际条件之间的差异。
PFS35 系列 - Bourns 的 Riedon™ 功率 SMD 厚膜电阻器
Bourns ® 产品数据表中列出的特性和参数基于实验室条件，有关产品适用于某些应用类型的陈述基于 Bourns 对通用应用中典型要求的了解。Bourns ® 产品在用户应用中的特性和参数可能与数据表特性和参数不同，原因是 (i) Bourns ® 产品与用户应用中其他组件的组合，或 (ii) 用户应用本身的环境。Bourns ® 产品的特性和参数在不同应用中也可能存在差异，实际性能可能随时间而变化。用户应始终在其特定设备和应用中验证 Bourns ® 产品的实际性能，并自行判断在其设备或应用中设计额外的测试裕度，以补偿实验室条件和实际条件之间的差异。
太空用汽车级电阻器评估
• AEC：汽车电子委员会 • AEC-Q：汽车合格 • ALT：加速寿命测试 • COTS：商用现货 • DC：直流电 • DUT：被测设备 • DPA：破坏性物理分析 • EEE：电气、电子和机电 • EEEE：电气、电子、机电和光电 • GSFC：戈达德太空飞行中心 • HAST：高加速应力测试 • HTOL：高温工作寿命 • IPA：异丙醇 • ISO：国际标准化组织 • LAT：批量验收测试 • MASCD：任务保证标准与能力部 • MIL：军用 • NEPP：NASA 电子零件与包装计划 • OSMA：NASA 安全与任务保证办公室 • PDA：允许缺陷百分比 • PMA：禁用材料分析 • PPM：百万分率
寄生电感电阻选择指南
电流检测电阻是低欧姆电阻，通常小于 1 欧姆。这些电阻不能屏蔽寄生电感的影响，而是有助于整体抵消影响。当电阻较低时，阻抗会随着频率的升高而增加。这意味着具有高频分量的交流电流（例如锯齿波）会产生不准确的检测结果。当交流电流流过低电阻电阻时，电阻两端的电压降是电阻引起的电压降和电感引起的电压降之和。为确保准确的电流检测，建议使用电感最小的低电阻电阻进行大电流检测。
具有小尺寸的超高阻伪电阻...
摘要 —本文介绍了一种由工作在亚阈值区域的串联 PMOS 器件组成的新策略和电路配置，用于实现极低频有源 RC 滤波器和生物放大器所需的超高值电阻器。根据应用不同，例如生物放大器中的信号带宽可能从几 mHz 到最高 10 kHz 不等。提出了三种不同的电阻结构来实现超高阻值。虽然提出的超高阻值伪电阻器的阻值在几 T Ω 的数量级，但它们占用的片上硅片面积很小，这是超低功耗可植入生物医学微系统中模拟前端电路设计的主要问题之一。此外，这些超高阻值电阻器导致使用小电容来产生非常小的截止频率。因此，实现电容所需的大面积也大大减少。所提出的电阻结构在宽输入电压范围（-0.5 V~+0.5 V）内变化很小，约为7%和12%，从而显著改善了生物放大器的总谐波失真和系统的模拟前端。在180nm CMOS工艺中设计的不同电路的仿真结果证明了所提出的超高阻值伪电阻的优势。
1206 芯片电阻器的热疲劳可靠性...
摘要 将含有大量铋 (Bi)、锑 (Sb) 和铟 (In) 合金添加剂的多种高性能无铅焊料合金的耐热疲劳性与近共晶 SAC305 (Sn3.0Ag0.5Cu) 焊料合金进行了比较。该研究使用带有零欧姆 1206 表面贴装片式电阻器的菊花链测试板作为测试工具。热循环采用三个不同的热循环曲线（0/100°C、-40/125°C 和 -55/125°C）进行，以满足电信、消费和航空航天/国防工业的资格要求。将焊料合金的相对热循环性能与早期研究使用两个球栅阵列测试组件的结果进行了比较。在之前的研究中，片式电阻器的合金性能排序与 BGA 组件不同。结果强调了使用多个测试组件来更彻底地了解新合金系统的热循环行为性能的重要性。使用威布尔统计、微观结构表征和故障模式分析来比较合金性能。
薄膜WBR（电线电阻）
一般说明顶部触点精密电线键键电阻器是超稳定性的，具有高可靠性。电阻器被修剪为紧密的耐受性。该值的可自定义值和唯一标记。此设备构建于0202芯片轮廓，非常适合但不限于混合电路应用。
ATLAS 内跟踪器硅条传感器中多晶硅电阻器随温度、辐照前后的变化特性
a 捷克科学院物理研究所，Na Slovance 2, 18221 Prague 8，捷克共和国 b 查理大学数学与物理学院，V Holesovickach 2, Prague, CZ18000，捷克共和国 c 伯明翰大学物理与天文学院，伯明翰 B152TT，英国 d 国立微电子中心（IMB-CNM，CSIC），Campus UAB-Bellaterra，08193 Barcelona，西班牙 e 粒子物理研究所，IFIC/CSIC-UV，C/Catedr´atico Jos´e Beltr´an 2, E-46980 Paterna，瓦伦西亚，西班牙 f 约瑟夫·斯特凡研究所实验粒子物理系，Jamova 39，SI-1000 Ljubljana，斯洛文尼亚 g加利福尼亚大学圣克鲁斯分校，美国加利福尼亚州 95064 h 西蒙弗雷泽大学物理系，加拿大不列颠哥伦比亚省本那比市 8888 University Drive V5A 1S6 i TRIUMF，加拿大不列颠哥伦比亚省温哥华市 4004 Wesbrook Mall V6T 2A3 j 筑波大学纯粹与应用科学研究所，日本茨城县筑波市 Tennodai 1-1-1 305-8571 k 多伦多大学物理系，加拿大安大略省多伦多市 Saint George St. 60 M5S1A7 l 高能加速器研究组织 (KEK) 粒子与核研究所，日本茨城县筑波市 Oho 1-1 305-0801
ATLAS 内轨硅条传感器中多晶硅电阻的特性——辐射前后的温度函数
1 捷克科学院物理研究所，Na Slovance 2，18221 布拉格 8，捷克共和国 2 查理大学数学与物理学院，V Holesovickach 2，布拉格，CZ18000，捷克共和国 3 伯明翰大学物理与天文学院，伯明翰 B152TT，英国 4 国立微电子中心（IMB-CNM，CSIC），UAB-Bellaterra 校区，08193 巴塞罗那，西班牙 5 粒子物理研究所，IFIC/CSIC-UV，C/Catedrático José Beltrán 2，E-46980 帕特尔纳，瓦伦西亚，西班牙 6 约瑟夫·斯特凡研究所实验粒子物理系，Jamova 39，SI-1000 卢布尔雅那，斯洛文尼亚 7 圣克鲁斯大学粒子物理研究所 (SCIPP)加利福尼亚大学圣克鲁斯分校，CA 95064，美国 8 TRIUMF，4004 Wesbrook Mall，温哥华，BC V6T 2A3，加拿大 9 西蒙弗雷泽大学物理系，8888 University Drive，本那比，BC V5A 1S6，加拿大 10 筑波大学纯粹与应用科学研究所，1-1-1 Tennodai，筑波，茨城 305-8571，日本 11 多伦多大学物理系，60 Saint George St.，多伦多，安大略省 M5S1A7，加拿大 12 高能加速器研究组织 (KEK) 粒子与核研究所，1-1 Oho，筑波，茨城 305-0801，日本 ∗ 主要作者，电子邮件：vera.latonova@cern.ch，† 替补演讲人，电子邮件：jiri.kroll@cern.ch