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基于双栅极MOSFET的降压调节器的制作与实现
摘要 — 传统的降压调节器提供高效率和低功耗的稳定输出电压。通过放置双栅极 (DG) MOSFET，可以改善该调节器的各种参数。双栅极 MOSFET 提供两倍的漏极电流，这改善了降压调节器结构的各种参数，并不可避免地提高了器件的性能和效率。在本研究工作中，已经通过实施的 DG MOSFET 降压调节器分析了这些参数，并实现了总损耗 42.676 mW 和效率 74.208%。本研究设计了一种基于 DG MOSFET 的降压调节器，其规格为输入电压 12 V、输出电压 3.3 V、最大输出电流 40 mA、开关频率 100 kHz、纹波电流 10% 和纹波电压 1%。
psammichnites gigas gigas sub-ichnozone和微生物诱导的沉积结构（MISS），来自Kunzam La组（Cambrian），Hojis Valley，Kinnaur，Kinnaur，喜马allayaur
我们提出了cambrian kunzam la组中的psammichnites gigas gigas sub-ichnozone，在霍吉斯山谷（Hojis Valley），基因纳（Kinnaur），喜马拉雅山基因纳（Kinnaur），表明寒武纪2 - 宿主沉积物的4阶段4年龄。此外，该论文还报告了八个微生物诱导的沉积结构（MISS），这些沉积结构（MISS）由独特的网状（“象皮肤”和“ Kinneyia”类型）和线性模式，带有破裂的涟漪波峰和垫子凹陷结构。这些错过与Psammichnites Gigas Gigas的放牧小径密切相关。在交替排序且厚（3 - 20厘米）的砂岩床和相关沉积结构中保存的保存表明浅海，近岸到岸面的沉积环境。Miss，Ripple标记和生物稳定的底物表明碎屑的c ux有限，光自养生微生物可能有助于其形成。
VMS-225系列数据表
注意：1。用13 cfm强制空气冷却的225 W的最大输出功率，在100至264 VAC时自然冷却120 W。2。主输出和风扇供应的组合输出功率不得超过最大功率评级。3。涟漪在峰值的线路电压和载荷范围内与0.1 µF电容器并联，峰值为20 MHz带宽和10 µF触角电容器。4。输出纹波可能是-40°C时输出电压的10％以上。5。停产模型 - 标题类型。6。所有规格均以TA = 25°C，标称输入电压和额定输出负载进行测量，除非另有说明。
供应链管理 - 萨斯喀彻温省...
农业高度依赖稳定的全球供应链。供应链中断会带来重大风险，尤其是对萨斯喀彻温省这样的内陆省份而言。铁路或港口服务中断可能会产生连锁反应，影响农村地区、当地农民和加拿大经济。
用于光伏系统的带储能系统的三相交错式 DC-DC 升压转换器的设计和分析
摘要：本文介绍了一种用于光伏系统的三相交错升压转换器的突破性设计，利用并联的传统升压转换器来降低输入电流和输出电压纹波，同时提高动态性能。这项研究的一个显着特点是将锂离子电池直接连接到直流链路，从而无需额外的充电电路，这与传统方法不同。此外，MPPT 控制器和闭环模糊控制器与电流控制模式的组合可确保为所有三个相位生成准确的开关信号。精心调整的系统在输出电压中表现出非常低的纹波含量，超过了计算值，并表现出卓越的动态性能。研究延伸到对损耗的全面分析，包括电感器铜损和半导体传导损耗。在所有情况下，转换器的效率都超过 93%，凸显了其作为光伏系统有效解决方案的强大性能。
杰克逊州立大学的经济引擎
通过杰克逊州立大学教职员工，员工和学生生产和消费各种商品和服务，该机构在当地和地区的经济增长催化剂。这种动态产生了连锁反应，从而增加了就业机会，经济扩张的增长和蓬勃发展的社区环境。
用于 EEG 信号检测的带有基于 RRAM 的低通 FIR 滤波器的 13 W 模拟前端
摘要：本文介绍了一种用于检测脑电图 (EEG) 信号的模拟前端 (AFE)。AFE 由四个部分组成，即斩波稳定放大器、纹波抑制电路、基于 RRAM 的低通 FIR 滤波器和 8 位 SAR ADC。这是首次在 EEG AFE 中引入基于 RRAM 的低通 FIR 滤波器，其中利用 RRAM 的生物可信特性高效分析模拟域中的信号。前置放大器采用对称 OTA 结构，在满足增益要求的同时降低了功耗。纹波抑制电路大大改善了噪声特性和失调电压。基于 RRAM 的低通滤波器实现了 40 Hz 的截止频率，适用于 EEG 信号的分析。SAR ADC 采用分段电容器结构，有效降低了电容器开关功耗。芯片原型采用 40 nm CMOS 工艺设计。整体功耗约为13µW，实现超低功耗运行。
IT5 T 建议书 G.343 - ITU
注意 - 这些值基于这样的假设：衰减/频率特性在 280 公里长的均匀部分末端不显示任何超过 ± 1 dNp（约 ± 1 dB）的波纹。在 60 kHz 时应用了宽松条件，因为在低频下可能难以获得相对于电缆阻抗足够小的中继器输入和输出阻抗的反射系数。