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![arxiv：2408.05689v1 [cond-mat.str-el] 2024年8月11日](/simg/g:\will\search\icon\source\1\1f82d30cb5a9477e2692037780db502e5e820423.webp)
arxiv：2408.05689v1 [cond-mat.str-el] 2024年8月11日
是由最近发现的高t c双层镍超导体LA 3 ni 2 O 7的动机，我们使用Lanczos方法对不同的电子密度n进行了固定研究的2×2×2群集。我们还采用随机相近似来量化第一个磁不稳定性，而哈伯德耦合强度也会增加，也有所不同。基于自旋结构因子s（q），我们在固定的hund耦合下，在由n和u/w定义的平面中获得了丰富的磁相图，在固定的hund耦合下，u是哈伯德强度和带宽。我们观察到许多状态，例如A-AFM，条纹，G-AFM和C-AFM。对于半填充n = 2（每个ni位点两个电子，对应于n = 16个电子），规范的superexchange相互作用会导致稳健的G-AFM状态（π，π，π），在平面中和层之间具有抗磁磁耦合。通过增加或降低电子密度，从“半空”和“半满”机制中出现铁磁趋势，从而导致许多其他有趣的磁趋势。此外，与半填充相比，自旋旋转相关性在孔或电子掺杂区域中都较弱。n = 1。5（或n = 12），密度对应于La 3 ni 2 O 7，我们获得了“条纹2”基态（抗fiferromagnetic耦合在一个平面方向上，另一个平面磁耦合，另一个耦合的铁磁耦合，在2×2×2×2×2 cluster中沿Z -axis沿Z -axis沿Z -axis的抗铁磁耦合）。另外，我们获得了沿Z轴的AFM耦合要比XY平面中的磁耦合要强得多。同时，具有q/π=的状态（0。6，0。随机相近似的计算具有不同的n的结果，即使这两种技术都是基于完全不同的程序，但n的结果与兰斯佐斯的结果非常相似。6，1）在我们的RPA计算中发现了靠近电子期波形，通过将填充略微降低到n = 1，可以找到。25，可能负责在实验中观察到的电子期SDW。我们的预测可以通过化学掺杂LA 3 Ni 2 O 7来测试。