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皮秒雪崩探测器
摘要：皮秒雪崩探测器是一种基于 (NP) 漂移 (NP) 增益结构的多结硅像素探测器，旨在实现带电粒子跟踪，具有高空间分辨率和皮秒时间戳功能。它使用传感器体积深处的连续结来放大薄吸收层中电离辐射产生的一次电荷。然后，在较厚的漂移区内移动的二次电荷会引发信号。IHP 微电子公司使用 130 nm SiGe BiCMOS 工艺生产了一个概念验证单片原型，该原型由间距为 100 µ m 的六边形像素矩阵组成。探测站和 55 Fe X 射线源的测量表明，原型机可以正常工作，并且显示雪崩增益，最大电子增益可达 23。雪崩特性研究（经 TCAD 模拟证实）表明，55 Fe 源的 X 射线转换产生的较大初级电荷引起的空间电荷效应限制了有效增益。
Amicsa2021-幻灯片-ADC Architectures.pdf
[5] P. Roche，J。L。Autran，G。Gasiot和D. Munteanu。技术降低了散装的辐射效果的恶化：SOI进行救援。技术文摘 - 国际电子设备会议，IEDM，2013年。[6] Oluwole A.等。收费收集和收费共享在130 nm CMOS技术中。在IEEE核科学交易中，第53卷，第3253-3258页，2006年12月。[7] David G. Mavis和Paul H. Eaton。SEU并在深subsicron技术中进行建模和缓解。年度会议记录 - 可靠性物理学（研讨会），第293-305页，2007年。[8] Balaji Narasimham等。。在130 nm和90 nm CMOS技术中的数字单事件瞬态脉冲宽度的表征。在IEEE交易中，核科学交易，第54卷，第2506-2511页，2007年12月。[9] R. Sorge等。。JICG CMOS晶体管减少130 nm散装SIGE BICMOS技术中总电离剂量和单个事件效应。物理学研究中的核仪器和方法，2021年1月。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计...
通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度进一步缩小，从而缩小了接触多晶硅间距 (CPP)。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电性能的新结构（例如插入氧化物鳍式场效应晶体管 (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
嵌入SiO2
x ge x /sio 2界面，而不是通过脱位成核。该机制导致嵌入式层的形态演化和局部肿胀，这是由SIO 2的粘性流促进的。在这些温度下，Si 1-X Ge X膜在粘性SIO 2中扩展，以最大程度地减少应变能。几何相分析证实，横向膨胀会导致GE凝结过程中积累的应变的松弛。我们建议这种现象可能是文献中已经报道的屈曲机制的起源。这项研究表明，Sio 2可以作为有效的符合性的符合性的底物，用于无缺陷的无缺陷GE RICE SI 1-X GE X薄膜。基于SIO 2矩阵粘弹性的新通用松弛过程可以应用于SI 1-X GE X膜以外的许多其他系统。这里制造的高质量无缺陷富富富富膜可以作为SI基板上各种2D或3D材料异质整合的良好模板。
人工智能打造面向未来的福利国家
1.5.立法必须更新。必须允许选择不进行特定领域的分析，例如儿童在校的幸福感、健康状况或媒体消费。《公共行政法》在技术上是中立的，但随着数字化，立法必须进行调整。现有的规定无需改变，但应增加两个新规定，分别对透明度（如挪威和瑞典）和可解释性提出明确要求。就透明度而言，它是关于数据透明度，即哪些数据用于什么目的以及如何使用，算法透明度，即与处理案件所使用的算法有关的透明度，以及系统透明度，即对系统内置的程序、评估和决策的开放性。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
NMU教职员工研究目录
我研究了半导体中分离的氢，除了开发新的实验技术以做到这一点。活动/项目包括：“ Beo中的Muonium State的微波研究”，“ GAAS负电荷的Muonium上的光电子化光谱”； “通过光激发哑光自旋光谱探测的ZnSE中的受体氢状态”； “中性和磁磁性muonium作为β-GA2O3中分离氢的类似物”； “研究金红石，解剖酶和布鲁克特二氧化钛的MU/H样状态”； “探测磁性，金属到半导体过渡的金属以及H中H中H的性质”； “研究透明导电氧化物中的氢动力学和稳定性”； “氢杂质在CIGS和CZTS化合物中的作用和行为（下一代太阳能电池材料）”； “描述锡氏合金中H杂质的早期历史”； “开发激发态（MUSES）技术用于半导体的MUON光谱”； “研究MU（类似于H的）国家，包括停止位点，动力学以及碳化硅中的供体和受体水平”；“ GE中的Muonium-Photocarrier相互作用”； GAAS中的“ Muonium-photoionization和Muonium-Photocarrier相互作用”； “旋转北极星候选材料的调查”
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
ge -on -pe -un -unsulator横向p − i − n波导光电探测器...
ge是一种集团半导体，广泛用于基于SI的电子设备，因为独特的优势在于与标准互补金属氧化物半导体（CMOS）处理，出色的载体迁移率，相对丰度和低毒性[1]。最近，GE吸引了越来越多的研究兴趣，用于制造具有成本效益和有效的功能性电子光综合电路（EPICS）[1，2]。在室温下，GE的直接带隙为0.8 eV，对应于1,550 nm处的吸收边缘。1,300 nm和1,500 nm之间的强光吸收使GE成为光纤电信设备的理想光电探测器（PD）材料[3]。但是，由于SI和GE之间的4.2％晶格不匹配，将GE直接集成在SI底物上是一项挑战。已经采取了强烈的努力，使用不同的方法（包括两步生长[4，5]和分级的SIGE缓冲液[6]，为了制造高性能GE正常生命值PDS [3，7]和波导（WG）PDS（WGPDS）PDS（WGPDS）[8，9] [8，9]。但是，GE活动层和GE/SI接口相对有缺陷，从而降低了设备性能。此外，