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基于SOI的微机械Terahertz检测器在室温和大气压下运行
我们提出了在绝缘子底物上硅上制造的微型机械Terahertz（THZ）检测器，并在室温下运行。该设备基于微米尺寸的U形悬臂，其中两个铝制半波偶极天线被沉积。这会在2 - 3：5 THZ频率范围内延伸的吸收。由于硅和铝的不同热膨胀系数，吸收的辐射会诱导悬臂的变形，悬臂的变形是使用1.5 L M Laser二极管光学地读出的。通过用振幅调制2.5 THz量子级联激光器照明检测器，我们在室温和大气压下获得1：5 10 8 pm W 1的响应性，用于悬臂的基本机械弯曲模式。这产生了20 nw = unigrounforkHz p 2.5 thz的噪声当量功率。最后，该模式的低机械质量因子对大约150 kHz带宽的广泛频率响应，热响应时间为2.5 l s。
使用Versatile Fine Pitchμ-pump Technology Mokoto Motoyoshi 1，Junichi Takanohashi 1，Takafumi Fukushima 2，Yasuo AR
使用多功能的精细pitchμ-thecky Makoto Motoyoshi 1，Junichi takanohashi 1，Takafumi Fukushima 2，Yasuo Arai 3和Mitsumasa koyanagi 2 1 1 1 1 1 1 tohoku-Microtec Co.，ltd。（T-Micro）（T-Micro）＃203333， Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan E-mail: motoyoshi@t-microtec.com 2 Tohoku University, New Industry Creation Hatchery Center 6-6 Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan 3 KEK, High Energy Accelerator Research Organization Institute of Particle and Nuclear Studies 1-1 Oho, Tsukuba，Ibaraki 305-0801，日本摘要 - 本文介绍了2.5μmx2.5μm的3D堆叠技术（indium）凸起连接，并带有粘合剂注射[1]。不是使用简单的测试设备，而是使用实际电路级测试芯片验证了该技术。发现，堆叠过程的完成会受到堆叠的每个层的布局模式的影响。为了最大程度地减少这些效果，我们优化了布局，过程参数和设备结构。
CMOS 和 SOI 上横向双极测试库的设计和测试指南
并提取了器件参数，以评估和比较 CMOS（互补金属氧化物半导体）测试结构，包括在体硅和 SOI（绝缘体上硅），特别是 SIMOX（通过注入氧气进行分离）晶圆上制造的器件和电路。测试库包括 CMOS-on-SOI 和
具有负价值的情绪对六至八岁的儿童自我形象的构建的影响
hal是一个多学科的开放访问档案，用于存款和传播科学研究文件，无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
使用降低压力化学蒸气沉积在不强的SiO2上硅外延层的原位暗示
随着芯片结构系统的功率需求不断增长，由于其低功率泄漏，超薄体越来越重要。硅启动器（SOI）技术用于制造此类超薄平台。但是，当代的SOI过程和晶圆本身是复杂而又是典型的。在这项研究中，我们开发了一种简单的SOI制造工艺，可以使用商业实施的减少压力化学物质沉积技术在散装硅晶片的任何所需的局部实施。通过硅的选择性外延生长制造了局部SOI，它也可以在用1μm宽的硅种子区和蚀刻剂的蚀刻剂侧面横向生长，尺寸为20×100μm。局部SOI通过化学机械抛光处理至100 nm或更少的厚度，表现出高度结晶状态，这是由横截面成像和衍射模式分析，表面粗糙度分析和广泛的表型分析所确定的。局部SOI在优化的工艺条件下，表现出0.237 nm的表面粗糙度，并保持了与硅晶片相同的完美（100）晶体平面。我们在当前的本地SOI上成功制造了可重新配置的晶体管，这意味着当代硅电子可以在其自己的平台上利用SOI设备。©2021作者。由Elsevier Ltd.这是CC BY-NC-ND许可（http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/）下的开放访问文章
DNA绑定套件
一旦将SOI连接到两个DNA手柄，每个DNA手柄的生物素部分将允许将SOI绑在两个被困在光学镊子中的链霉菌素涂层珠之间（图1）。在此构型中，如果选择了用荧光团手柄的手柄，则荧光团将侧面SOI（来自连接部位的11 bps），并可用于将SOI定位在焦平面上，然后再与荧光蛋白一起孵育。这可以在开始DNA-蛋白质相互作用测量之前实现最佳荧光成像条件的设置，从而可以捕获第一个相互作用。通过选择标记的句柄不同，可以实现与SOI的不对称配置，并且在C-trap中束缚时可以确定5'-3''方向性。此外，如果两个手柄都用Atto荧光团标记，则可以将两个荧光团之间的已知距离用作束缚的DNA上的标尺，以精确确定与SOI相互作用的荧光蛋白DNA序列上的位置。
GATEKEEPER™ 模块化核心技术 - L3Harris
GATEKEEPER 模块化核心采用干扰缓解技术，特别适合识别和消除宽带信号。此功能经过调整以产生高净空。该功能还强调死区性能。该工具还会向用户报告干扰源信息，提高态势感知能力，并具有减少操作员对链接中断的反应时间的额外好处。该技术还包括去除比感兴趣信号 (SOI) 更弱或更强的信号以及比 SOI 更宽的信号的能力，同时保持 SOI 的完整性。
硅基内置低暗电流光电二极管... - CDN
与传统体硅相比，绝缘体上硅（SOI）衬底具有许多优势，包括低漏电流、低电容、低功耗、更好地抵抗短沟道效应（SCE）和卓越的缩放能力[1 – 4]。这使得SOI衬底不仅适用于传统的MOSFET，而且由于天然的衬底隔离[5 – 8]和更简单的多栅极设计，它也对新型半导体器件具有吸引力，例如TFET和Z2-FET。此外，建立在SOI平台上的光电探测器（PD）也表现出优异的光电性能。高工作速度、高抗辐射和低寄生电容的优势使基于SOI的PD在电子和光子集成电路（EPIC）、光通信系统和航空航天等许多应用领域中极具竞争力[9 – 16]。为了在 SOI 薄膜中形成 pn 光电二极管，通常使用常规离子注入来掺杂 Si 沟道 [17]。然而，离子注入会损坏并降低 Si 的质量，这个问题在缺乏种子层以促进再结晶的超薄 SOI 薄膜中尤其严重。此外，用于激活掺杂剂的高温退火可能会引起应力和损坏，并进一步降低器件的性能。为了克服这些缺点，可以使用电场诱导的静电掺杂 [18,19] 来形成 pn 结并完全避免离子注入。之前，我们已经证明在
DyCo 5 、Co 32 Fe 68 和 Gd 27 Fe 73 薄膜中频率无关的太赫兹异常霍尔效应（从 DC 到 40 THz）
将电子自旋融入电子设备是自旋电子学的核心思想。[1] 这一不断发展的研究领域的最终目标是产生、控制和检测太赫兹 (THz) 速率的自旋电流。[2] 为了实现这种高速自旋操作，自旋轨道相互作用 (SOI) 虽然很弱，但却起着关键作用，因为它将电子的运动与其自旋态耦合在一起。[3] 从经典观点来看，SOI 可以理解为自旋相关的有效磁场，它使同向传播的自旋向上和自旋向下的传导电子偏向相反的方向（见图 1a）。SOI 的重要结果是自旋霍尔效应 (SHE) [4] 及其磁性对应物反常霍尔效应 (AHE)。[5,6] 在具有 SOI 的金属中，SHE 将电荷电流转换为横向纯自旋