在两个电极之间传输。已经对锂离子电池进行了广泛的研究,但几个关键过程,主要与它们对电极的反应性有关,但仍有几个关键过程尚待充分说明。[1]没有电解质在锂离子电池的负石墨电极上本质上是稳定的,而可逆细胞化学反应强烈依赖于固体电解质相(SEI)的形成。SEI是一个NM薄的多相复合层,通常是在锂离子电池的第一个电荷/放电周期之后从电解质的降解产物中形成的石墨。尽管几十年前已经建立了关于SEI重要性的一般性感,但其形成和操作机制仍在激烈地进行辩论。尽管如此,通常观察到SEI的性能在很大程度上取决于使用的电溶剂。可行的锂离子电池电解质上的溶剂上的必需需求是高电介质构造,低粘度,较大的液体温度间隔和与所有细胞成分接触的稳定性。[1]
与骑自行车相关的四个主要降解驱动器是:CD,C率,温度和SOC。更深的放电周期会导致电池老化更快。10,16在文献中,排放深度(DOD)用于电池的绝对放电水平(例如SOC + DOD = 100%),并且与可能与100%不同的起始SOC相比,放电的深度也是如此。我们宁愿将CD用于后一个含义。用10%CD的电池操作,而100%CD可以使周期增加100倍,总能量吞吐量更大。17 CD与锂离子电池老化之间的明显非线性关系通常在经济调度模型中不考虑。第二重要的骑自行车相关的老化驱动器是C率。它被定义为(DIS)充电电流除以额定的电池存储容量。较低的C率往往会导致电池老化较低。6在网格应用中,(dis)电荷电压被认为是固定的;因此,我们在1小时内表达相对于全(DIS)电荷的C率。 2
但是,电力需求也会迅速波动。例如,当一家人密集型公司关闭生产线或开关大型生产机器时,这种情况就是这种情况。相比之下,发电的供应也发生了波动。在电力的情况下,由于使用挥发性可再生能源,尤其是能量转化导致电源波动的增加。风速和阳光在一天的过程中或每小时不变。这种波动通常在大型供应网络(例如电网)中至少在很大程度上具有很小的信号,至少在很大程度上是相互平衡的。然而,某些波动仍然存在,例如在寒冷天气或周末的功率需求增加,而这些需求仅部分可预测。多年来收集的预测值确保可以通过电力量预测以预测方式计算/建模需求满意度,因此可以得出所需的电量。
摘要:靶向共价抑制剂 (TCI) 在候选药物和化学探针中越来越受欢迎。在目前的 TCI 中,所采用的化学方法主要限于标记半胱氨酸和赖氨酸侧链。酪氨酸是 TCI 的一个有吸引力的残基,因为它在蛋白质-蛋白质界面富集。在这里,我们研究了环亚胺 Mannich 亲电试剂作为共价弹头的效用,以特异性地靶向与抑制剂结合口袋相邻的蛋白质酪氨酸。我们表征了几种环亚胺与酪氨酸的固有反应速率,并确定亚氨基内酯适合用作共价抑制剂(二级速率常数为 0.0029 M -1 s -1 )。我们将环亚胺弹头附加到 CBX8 染色质结构域抑制剂上以标记非保守的酪氨酸,这显著提高了抑制剂在体外和细胞中对 CBX8 的效力和选择性。这些结果表明,曼尼希亲电试剂是酪氨酸生物共轭和共价抑制剂的有前途和强大的化学弹头
摘要 :GaAs 基材料系统因可承载具有出色光学特性的 InAs 量子点 (QD) 而闻名,这些量子点的发射波长通常为 900 nm 左右。插入变质缓冲区 (MMB) 可以将这种发射转移到以 1550 nm 为中心的具有技术吸引力的电信 C 波段范围。然而,常见 MMB 设计的厚度(> 1 𝜇 m)限制了它们与大多数光子谐振器类型的兼容性。在这里,我们报告了一种新型 InGaAs MMB 的金属有机气相外延 (MOVPE) 生长,该 MMB 具有非线性铟含量渐变分布,旨在在最小层厚度内最大化塑性弛豫。这使我们能够实现晶格常数的必要转变并为 180 nm 内的 QD 生长提供光滑的表面。展示了沉积在此薄膜 MMB 顶部的 InAs QD 在 1550 nm 处的单光子发射。通过纳米结构技术将新设计集成到靶心腔中,证明了新设计的强度。
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LM35/LM35A/LM35C/LM35CA/LM35D 精密摄氏温度传感器概述 LM35 系列是精密集成电路温度传感器,其输出电压与摄氏 (Centigrade) 温度成线性比例。因此,LM35 比以 § 开尔文校准的线性温度传感器更具优势,因为用户无需从其输出中减去较大的恒定电压即可获得方便的摄氏刻度。 LM35 不需要任何外部校准或调整即可提供室温下 g (/4 § C 的典型精度和 b 55 至 a 150 § C 整个温度范围内 g */4 § C 的典型精度。晶圆级调整和校准可确保低成本。LM35 的低输出阻抗、线性输出和精确的固有校准使与读出或控制电路的接口特别容易。它可与单电源或正负电源一起使用。由于它仅从电源吸取 60 m A,因此自热非常低,在静止空气中低于 0.1 § C。LM35 的额定工作温度范围为 ab 55 § 至 150 § C,而 LM35C 的额定工作温度范围为 ab 40 § 至 110 § C(b 10 § 具有改进的精度)。LM35 系列是
LM35/LM35A/LM35C/LM35CA/LM35D 精密摄氏温度传感器概述 LM35 系列是精密集成电路温度传感器,其输出电压与摄氏 (Centigrade) 温度成线性比例。因此,LM35 比以 § 开尔文校准的线性温度传感器更具优势,因为用户无需从其输出中减去较大的恒定电压即可获得方便的摄氏刻度。 LM35 不需要任何外部校准或调整即可提供室温下 g (/4 § C 的典型精度和 b 55 至 a 150 § C 整个温度范围内 g */4 § C 的典型精度。晶圆级调整和校准可确保低成本。LM35 的低输出阻抗、线性输出和精确的固有校准使与读出或控制电路的接口特别容易。它可与单电源或正负电源一起使用。由于它仅从电源吸取 60 m A,因此自热非常低,在静止空气中低于 0.1 § C。LM35 的额定工作温度范围为 ab 55 § 至 150 § C,而 LM35C 的额定工作温度范围为 ab 40 § 至 110 § C(b 10 § 具有改进的精度)。LM35 系列是
LM35 系列是精密集成电路温度传感器,其输出电压与摄氏 (Centigrade) 温度成线性比例。因此,LM35 比以 ˚ 开尔文校准的线性温度传感器更具优势,因为用户无需从其输出中减去较大的恒定电压即可获得方便的摄氏缩放比例。LM35 不需要任何外部校准或微调即可提供室温下 ± 1 ⁄ 4 ˚C 的典型精度以及整个 −55 至 +150˚C 温度范围内 ± 3 ⁄ 4 ˚C 的典型精度。通过在晶圆级进行微调和校准可确保低成本。LM35 的低输出阻抗、线性输出和精确的固有校准使与读出或控制电路的接口变得特别容易。它可与单电源或正负电源一起使用。由于它仅从电源中吸取 60 µA 的电流,因此自热非常低,在静止空气中低于 0.1˚C。LM35 的额定工作温度范围为 −55˚ 至 +150˚C,而 LM35C 的额定工作温度范围为 −40˚ 至 +110˚C(−10˚ 精度更高)。LM35 系列提供以下封装
LM35 系列是精密集成电路温度传感器,其输出电压与摄氏温度成线性比例。因此,LM35 比以 ˚ 开尔文校准的线性温度传感器更具优势,因为用户不需要从其输出中减去一个大的恒定电压即可获得方便的摄氏度缩放。LM35 不需要任何外部校准或微调即可提供室温下 ± 1 ⁄ 4 ˚C 的典型精度和 −55 至 +150˚C 整个温度范围内 ± 3 ⁄ 4 ˚C 的典型精度。通过在晶圆级进行微调和校准可确保低成本。LM35 的低输出阻抗、线性输出和精确的固有校准使其与读出或控制电路的连接特别容易。它可以与单电源或正负电源一起使用。由于它仅从电源吸取 60 µA 电流,因此自热非常低,在静止空气中低于 0.1˚C。LM35 的额定工作温度范围为 −55˚ 至 +150˚C,而 LM35C 的额定工作温度范围为 −40˚ 至 +110˚C(−10˚,精度更高)。LM35 系列采用