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TBL250P06-5DL8 P 沟道增强型 MOSFET
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TBL046N04T-3DL8 N-enchannel增强模式...
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TBL035N04HB N 沟道增强型 MOSFET
注：1. tp=10us，占空比 = 1%。2. 数据通过建议封装上的表面贴装测试获得。3. 数据通过脉冲测试获得，脉冲宽度 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%。4. E AS 数据显示最大额定值。测试条件为 V DD = 30V，V GS = 10V，L = 1mH，I AS = 35A。5. 理论上数据与 ID 和 I DM 相同，实际应用中应受总功率耗散限制。6. 器件安装在 FR-4 基板 PC 板上，2oz 铜，对底层 1 英寸见方铜板进行热偏置
TBL085N06T-3DL8 PDFN3×3-8L- [...
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劳动力发展和教育中基于技术的学习（TBL）：研究文献的评论
该报告以TBL的概念概述开头，并总结了关键的优势和局限性。接下来是一章，审查了从学习者和机构提供者的角度来看，从学习者和机构提供者的角度来看TBL（或不采用）的因素。下一章回顾了公共劳动力，成人教育以及职业和技术教育系统，强调了这些系统的政策，优先事项和计划如何塑造了TBL景观。接下来，该报告探讨了可用的严格有效性研究，以确定TBL在实现与劳动力相关的重要结果方面的有效性。脚注1对过去TBL投资的研究之后是一章回顾了新兴技术以及对这些技术有效性的初步研究。该报告总结了发现，计划设计和研究挑战以及未来研究的可能领域。