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通过文本挖掘和数据分析确定心血管疾病的药物发现
STRING数据库（版本11.0）是描述和展示各种蛋白质之间相互作用的主要来源，涵盖约2460万种蛋白质和来自5.09万个生物体的超过31亿种相互作用。首先，我们将重叠基因上传到STRING网站，并以最小相互作用评分>0.4（低置信度）作为显著阈值。然后下载蛋白质-蛋白质相互作用（PPI）的TSV格式文件，用Cytoscape软件构建PPI网络。随后，利用Cytoscape自带的分子复合物检测（MCODE）和STRING应用程序对显著的基因模块（簇）进行分类，这些基因模块在PPI网络中具有高度互联的簇。MCODE中的参数采用默认设置。对基因模块中的基因进行药物-基因相互作用分析。
Chip Scale Review 七月 • 八月
从芯片背面到正面，首先是 1) 一个类似硅通孔 (TSV) 的电源接头，将芯片背面连接到第一个正面布线层 (M0) 上的电源线，然后 2) 电源通孔 (PV) 或埋入式电源轨 (BPR) 以选择性地连接到正面局部互连，使用通孔或线接触 PV，这需要从背面 (BS_VD) 进行图案化，直到 3) 实现 BS 与源极/漏极 (BS_VD) 的直接接触，以及 4) 最后，甚至可能实现 BS 与栅极 (BS_ VG) 的直接接触。这种演变还意味着使用更小的结构和更紧密的边距来打印它们。很可能，FS-to-BS 连接的早期演变阶段将继续使用并与后续阶段共存，从而提供丰富的选项来将芯片的背面连接到其正面。
技术和可靠性
• 为提高性能，晶圆工艺技术的快速发展推动了 HKMG 和 FinFET 等可靠性极限。 • 晶圆上新材料的加速引入：铜、超低 k ILD、气隙、氮化氧化物、高 K 栅极电介质和新互连 • 先进的封装和凸块技术：fcBGA、fcCSP、WLCSP、无铅凸块、铜柱、铜线、微凸块、多层 RDL、TSV/Interposer、3D/2.5D、FanOut WLP 封装和 SiP • 新封装材料：增材制造基板、超低损耗电介质、底部填充材料、塑封材料、基板表面处理、无铅和铜凸块等 • 多级应力相互作用使可靠性失效机制变得复杂 • 日益严格的客户要求和应用 • 快速上市需要可靠性设计以减少认证/批量生产时间
AN/PRC-163多渠道手持式无线电申请手册
Vulos波形在直接视线和SATCOM模式下提供了加密和纯文本语音和数据通信。波形在VHF和UHF频率范围内运行，并使用Vinson（16K KY-57），KG-84 MODES 1-4，ANDVT（KYV-5）和TSV（TSVCIS）提供加密的数据，具有2.4和16k的语音和数据模式。Vulos提供了多种调制，包括FM，FSK，AM，ASK，SBPSK和CPM通信，并且与操作这些模式和调制的实地设备可互操作。使用SBPSK语音和数据模式以及MIL-STDD-1888-181B中所述的SBPSK语音和数据模式，均以窄带（5 kHz）和宽波段（25 kHz）通道宽度提供的卫星操作模式。这些调制也以视线模式在UHF频率范围内提供。fm，fsk，am和询问在VHF和UHF频率范围内以视线模式提供。
M3D集成电路的测试和设计解决方案的进步*
摘要 - 单石器时代3D（M3D）集成具有与基于TSV的3D堆叠相比，可以实现明显更高的设备密度。晶体管层的顺序整合可实现高密度的垂直互连，称为层间VIA（ILV）。但是，层间电介质的高积分密度和攻击性缩放使M3D集成电路特别容易处理变化和制造缺陷。我们探讨了这些制造缺陷对CHIP绩效的影响，并提出了相关的测试挑战。我们介绍了两种M3D特定的测试设计解决方案 - 一种低成本的内置自我测试架构，用于缺陷易受缺陷的ILV和一种用于屈服学习的层级故障定位方法。我们描述了缺陷对延迟故障测试的效率的影响，并在3D电源分配网络施加的约束下突出了测试生成的解决方案。
碳纳米管片上互连的最新进展与挑战
摘要：随着晶体管的深度扩展和复杂的电子信息交换网络的发展，超大规模集成电路（VLSI）对性能和功耗提出了更高的要求。为了满足海量数据处理的需求和提高能效，仅提高晶体管的性能是不够的。如果数据线的容量没有相应增加，超高速微处理器也是无用的。同时，传统的片上铜互连已达到其电阻率和可靠性的物理极限，可能不再能跟上处理器的数据吞吐量。作为潜在的替代品之一，碳纳米管（CNT）已引起人们的广泛关注，有望成为未来新兴的片上互连，并有望探索新的发展方向。本文重点研究了当前片上互连的电气、热学和工艺兼容性问题。我们从不同的互连长度和硅通孔（TSV）应用的角度回顾了基于CNT的互连的优势、最新发展和困境。
玻璃中介层基板：制造、特性和建模
摘要 人们对将玻璃用作 2.5D/3D 应用的基板的兴趣日益浓厚。玻璃具有许多材料特性，非常适合用作中介层基板。基于玻璃的解决方案通过利用规模经济以及按设计厚度形成基板，为降低成本提供了巨大机会。人们正在开展大量工作来验证玻璃作为中介层基板的价值。一个重要领域是玻璃相对于硅的电气性能。由于玻璃是绝缘体，用玻璃制成的中介层应具有比用硅制成的中介层更好的电气性能。电气特性和电气模型证实了这一优势及其对功能性能的积极影响。由于能够定制玻璃的热性能（例如热膨胀系数 (CTE)），预计在可靠性方面将有进一步的优势。将展示建模结果，以展示如何正确选择 CTE 可以显著降低堆栈翘曲。此外，在玻璃中介层制造的演示方面也取得了重大进展。如今，人们正在制造带有通孔和盲孔的全图案化晶圆和面板。同样重要的是，能够展示利用现有下游工艺对这些基板进行金属化的能力。本文将介绍应用现有下游工艺使用直通和盲孔技术制造功能性玻璃中介层的能力。 关键词 玻璃、中介层、热建模、热膨胀 I. 简介 在过去的几年中，半导体行业在使用玻璃作为中介层基板方面取得了巨大的发展。玻璃具有许多使其成为中介层基板的理想基板的特性，例如：超高电阻率、低介电常数、超低电损耗和可调节的热膨胀系数 (CTE)，可管理 3D-IC 堆栈。无论技术性能如何，任何基于玻璃的解决方案还必须在基板材料、通孔形成和后续处理方面提供成本优势。中介层技术对于 2.5D/3D 集成起着重要作用。目前有大量活动来开发基于硅通孔 (TSV) 技术的中介层制造基础设施。虽然 TSV 的可制造性不断提高，但在成本和电气性能方面仍存在一些困难的挑战，这促使人们考虑替代方案
低温物理蒸气沉积了Cu种子...
摘要在这项研究中，提出了对低热稳定性临时粘合胶的优化对物理蒸气沉积（PVD）过程的优化。在各种底物上证明了Cu种子层在通过沟渠中的沉积：硅 - 硅粘合，硅玻璃键合和霉菌键合的底物。在处理过程中记录在这些底物上的表面温度远低于临时键合和去键（TBDB）材料的临界温度。本文重点介绍了PVD工艺的2.5D/3D集成电路（IC）包装中通过硅VIA（TSV）应用的创新。这些结果将在温度较低的范围明显较低的温度范围内稳健地整合具有低热稳定性的各种临时粘合粘合剂，其热稳定性低。引言临时键合和键合材料在实现薄和超薄晶圆底物的处理方面起着重要的中间作用。它为稀薄的Si Wafers提供结构和机械支撑，用于下游包装。这是因为在下游制造步骤期间，薄且超薄的基材具有高弯曲，折叠和有时断裂的趋势。因此，需要借助临时粘合粘合剂来支撑这些稀薄的底物在载体底物上[1]。这允许晶圆进行进一步的过程步骤，例如光刻，沉积等。设备晶圆通常与临时粘合涂层接触以进行支撑。在PVD过程中，金属靶标通过碰撞的热过程转化为原子颗粒。物理蒸气沉积（PVD）是TSV 2.5D/3D IC包装中铜的随后电化学沉积的关键过程步骤。这是一种以平滑表面，出色的机械性能以及对目标底物的良好粘附而闻名的先进材料处理技术。然后将这些颗粒定向到基板上，以在受控的真空环境中进行后续沉积，成核和生长。原子然后将其凝结成在底物上形成物理薄膜。这可以以两种方式进行：溅射和蒸发。在溅射过程中，将气态前体引入反应室，然后将其加速向目标加速，释放原子尺寸的颗粒以沉积到基板上。溅射技术的主要优点是由于加速
晶圆级封装的光子脱键合
关键词：光子剥离、临时键合和解键合、薄晶圆处理、键合粘合剂 摘要 临时键合和解键合 (TB/DB) 工艺已成为晶圆级封装技术中很有前途的解决方案。这些工艺为晶圆减薄和随后的背面处理提供了途径，这对于使用 3D 硅通孔和扇出晶圆级封装等技术实现异质集成至关重要。这些对于整体设备小型化和提高性能至关重要。在本文中，介绍了一种新颖的光子解键合 (PDB) 方法和相应的键合材料。PDB 通过克服与传统解键合方法相关的许多缺点来增强 TB/DB 工艺。PDB 使用来自闪光灯的脉冲宽带光 (200 nm – 1100 nm) 来解键合临时键合的晶圆对与玻璃作为载体晶圆。这些闪光灯在短时间间隔（~300 µs）内产生高强度光脉冲（高达 45 kW/cm 2 ），以促进脱粘。引言近年来，三维 (3D) 芯片技术在微电子行业中越来越重要，因为它们具有电路路径更短、性能更快、功耗和散热更低等优势 [1]。这些技术涉及异质堆叠多个减薄硅 (Si) 芯片（<100 µm）并垂直互连以形成三维集成电路 (3D-IC) [2]。在现代 3D 芯片技术中，可以使用硅通孔 (TSV) 来代替传统的引线键合技术在硅晶圆之间垂直互连。减薄晶圆使得这些 TSV 的创建更加容易 [3, 4]。为了便于处理薄硅晶圆，需要对硅晶圆进行临时键合。在临时键合工艺中，次级载体晶圆充当主器件晶圆的刚性支撑，并利用两者之间的粘合层将两个晶圆粘合在一起。晶圆粘合在一起后，即可进行背面研磨和后续背面处理。背面处理后，减薄后的晶圆和载体堆叠
3D包装技术受益于经过验证的底填层保护，以确保长期可靠性和绩效
移动和计算技术在过去十年中以加速的速度提高，并通过各种互连解决方案的开发和集成使创新速度。从历史上看，改进形式和功能的最普遍的方法是晶体管缩放，尽管新的性能要求使这项技术变得越来越具有挑战性和昂贵。除了晶体管缩放并达到更高的成本和性能效率外，许多设备设计人员还考虑了新的高级包装技术，以满足提高功能和成本效益的持续需求。现代包装设计包括增加I/O，包装系统，chiplets和更高的互连密度等。随着较新的包装变得越来越薄，更小，具有更大的I/O，以提高功能，从而确保设计的可靠性对于长期性能至关重要。应力管理和结构性凹凸保护是关键因素，因为芯片在较低的硅节点和超低介电层的情况下越来越脆弱。在给定的模具大小上实现较高的功能驱动了几种方法的开发，其中一种是铜（CU）支柱技术。该技术使Cu支柱凸起更高密度，从而增加I/O并利用晶圆功能。但是，与其他具有挑战性的设计一样，CU支柱凸起的音高小于50 µm，狭窄的40 µm键合条间隙使常规的凸起保护方法越来越有问题。传统的毛细血管下填充（CUF），在紧密的尺寸内和周围的流动困难。由于在狭窄空间下清洁的通量清洁也很有挑战性，因此与磁通残基的兼容性兼容是一个日益关注的问题。对于稀薄的晶片，并与硅VIA（TSV）一起死亡，以适应3D堆叠，处理和扭曲控制更具挑战性。借助这种新的技术景观，以及有效保护精致的互连，非导导的糊（NCP）和非导导膜（NCF）（也称为Wafer-papplied underfill（WAUF）） - 材料已成为CU Pillar Pillar pillar pillar和TSV包装的最可靠的底部填充解决方案。NCP和NCF材料都通过热压缩键合提供了出色的凸起垫对齐精度，如下图所示，该图比较了毛细管，糊和膜处理步骤。