研究了铸态和T6态金属盐反应制备的TiB2颗粒增强A356基复合材料的组织与力学性能。对制备的复合材料的显微组织观察表明,原位生长的TiB2颗粒形状规则,在A356基体中分布均匀,A356基体与TiB2颗粒之间有清晰的界面。对铸态和T6态制备的复合材料的力学性能进行详细分析表明,随着A356基体中原位TiB2颗粒质量分数(wt%)的增加,制备的复合材料的极限拉伸强度和杨氏模量增大,但随着TiB2颗粒质量分数的增加,制备的复合材料的泊松比减小。与A356合金相比,随着TiB 2 颗粒质量分数的增加,复合材料的杨氏模量提高了10.8%,泊松比降低了3.2%;随着TiB 2 颗粒质量分数的增加,复合材料的屈服强度先降低(当TiB 2 颗粒质量分数小于1%时)后升高,而伸长率和断面收缩率则先升高后降低。此外,T6热处理可以细化晶粒,有效提高复合材料的力学性能。
Number Cas9-expressing cell lines 1, ATCC: CCL-185 A549 , adherent 2, Coriell Institute GM12878 , suspension 3, ATCC: CCL-247 HCT116 , adherent 4, ATCC: CRL-1573 HEK293 , adherent 5, ATCC: CCL-2 HeLa , adherent 6, ATCC: HB-8065 Hep G2 , adherent 7, ATCC: TIB-152 Jurkat , suspension 8, ATCC: CCL-243 K562 , suspension 9, ATCC: HTB-22 MCF7 , adherent 10, ATCC: HTB-132 MDA-MB-468 , adherent 11, ATCC: CRL-5807 NCI-H358 , adherent 12, ATCC: CRL-5872 NCI-H1437,遵守13,ATCC:CRL-5887 NCI-H1693,ADHERENT 14,ATCC:CRL-2577 RKO,RKO,RKO,辅助15,ATCC:CRL-2137 SK-N-AS,sk-n-as,ASCCC:CCL-235 SW837,ATCC:ATCC:ATCC:TIB:TIB:TIB:TIB:TIB:TIB:TIB:TIB:TIB:TIB:TIB:TIB-202: U-2 OS,附着
虽然TiB 2 基复合材料的各种优异性能及制备方法已被广泛研究,但是其中子屏蔽性能尚未受到足够的重视。本文将对先前制备的TiB 2 -Al复合材料的中子屏蔽性能进行研究。利用光中子源装置对厚度为10 mm 的试验样品进行中子辐照试验。TiB 2 基含硼复合材料的平均热中子屏蔽率为17.55%,且屏蔽率随BN含量的增加而增大。复合材料的热中子宏观截面总体呈现稳定趋势,当BN含量为10%时,热中子宏观截面达到最大值7.58cm -1 。随着BN含量的增加,热中子注量率呈现逐渐减小的趋势。
Liu 等 [36] 在 1950 ℃ 和 50 MPa 压力的 SPS 过 程中,发现随着 TiB 2 的添加量由 5 mol% 增至 30 mol% ,复合陶瓷的硬度降低,断裂韧性增加。 除裂纹偏转和 TiB 2 的钉扎效应使 B 4 C 晶粒细化 ( 从 1.91 μm 减至 1.67 μm) 外,两相间位错的产生, 是 B 4 C 陶瓷增强、增韧的次要原因,其在陶瓷断 裂前吸收能量,造成局部强化 [37–38] 。研究发现, 添加 20 mol% TiB 2 时,复合陶瓷的相对密度为 97.91% ,维氏硬度为 (29.82±0.14) GPa ,断裂韧性 为 (3.70±0.08) MPa·m 1/2 。 3.1.2 Ti 单质引入 与直接添加 TiB 2 相比,在烧结过程中原位反 应生成 TiB 2 可以在较低的烧结温度下获得更高 的密度和更好的机械性能。 Gorle 等 [39] 将 Ti-B( 原 子比 1:2) 混合粉体以 5 wt.% 、 10 wt.% 和 20 wt.% 的比例加入到 B 4 C 粉末中,研磨 4 h 后通过 SPS 在 1400 ℃ 下获得致密的 B 4 C 复合陶瓷。由于 WC 污染,获得了由被 (Ti 0.9 W 0.1 )B 2 和 W 2 B 5 的细颗粒 包裹的 B 4 C 颗粒组成的无孔微结构。当 Ti-B 混合 物的量从 5 wt.% 增至 20 wt.% 时,烧结活化能从 234 kJ·mol −1 降至 155 kJ·mol −1 。含 5 wt.% Ti-B 混 合物的 B 4 C 复合材料的最大硬度为 (3225±218) HV 。由于 TiB 2 的原位形成反应是高 度放热并释放大量能量的自蔓延反应,因此,原 料颗粒界面间的实际温度预计高于 SPS 烧结温 度,同时,液相 W 2 B 5 的形成润湿了 B 4 C 表面, 有助于降低 B 4 C 晶粒的界面能,并加速了沿晶界
本研究论文的抽象主要任务是研究光学特性(包括介电函数,屈光度指数,消光系数,损耗功能,吸收系数和电导率)METARITION METION DIBORIDES M B 2(M = M = Ti,NB,NB)作为[100]方向的光子能量的功能。理论和实验数据相互比较,以更好地理解这项研究工作。关键词:第一个主要研究;光学特性;过渡金属; Diborides。1。引言在本文中,已经讨论了过渡金属Diborides MB 2(M = Ti,NB,ZR)的光学性质[1]的结果。在此,对于TIB 2,NBB 2,ZRB 2,折射率的虚构部分分别为30.24 eV,30.5 eV和45.41 eV。由于材料没有带隙[2],因此从带结构中可以明显看出,因此,当光子能量为零时,所有阶段的光电导率[3]开始。光电导率,因此材料的电导率[4]由于吸收光子而增加[5]。在我们的观察中,我们在0.67、6.6和10.0时看到了TIB 2的三个峰。对于其他两种化合物NBB 2观察到相似的趋势,而Zrb 2 .TiB 2由于其金属性质,在低能范围内具有吸收带。它的
ABCI 2.0 的总体性能 / 容量 HPC (FP64) 56.6 PFLOPS DL 训练 (FP32/TF32) 226.0 PFLOPS DL 训练 (FP16/BF16) 851.5 PFLOPS 内存容量 573.5 TiB 内存带宽 5.73 PB/s 本地存储 2.2 PB
演讲厅13-B“ Gustav-Meyer-Allee 25,13355柏林•U-Bahn到U-gesundbrunnen,不错的步行,穿过洪堡(10分钟)•S-Bahn•S-Bahn到达S-Humboldthain,沿Wiesenstraße(6分钟)行走,沿Wiesenstraße(6分钟)•U-Bahn到Ul-bahn,沿着VoltaStraße,沿着Voltib complaub complaib comply <
摘要:微通道热沉在从不同电子设备的小表面积上去除大量热流方面起着至关重要的作用。近年来,电子设备的快速发展要求这些热沉得到更大程度的改进。在这方面,选择合适的热沉基板材料至关重要。本文采用数值方法比较了三种硼基超高温陶瓷材料(ZrB 2 、TiB 2 和 HfB 2 )作为微通道热沉基板材料的效果。利用有限体积法分析了流体流动和传热。结果表明,对于任何材料,在 3.6MWm -2 时热源的最高温度不超过 355K。结果还表明,HfB 2 和 TiB 2 比 ZrB 2 更适合用作基板材料。通过在热源处施加 3.6 MWm -2 热通量,在具有基底材料 HfB 2 的散热器中获得的最大表面传热系数为 175.2 KWm -2 K -1。
由于特性的独特组合,包括高硬度,低密度,化学和热稳定性,半导体和高中子吸收,硼碳化物(B 4 C)是涉及极端环境的各种应用的潜在候选者。但是,B 4 C的当前应用由于其低断裂韧性而受到限制。在这项研究中,通过同时利用包括裂纹偏转,桥梁和微裂缝韧性在内的多种韧性机制,使用了具有包括Tib 2晶粒和石墨血小板在内的特征的分层微观结构设计。使用现场辅助烧结技术(快速),制造了具有密度和分层微结构的B 4 C复合材料。以前,使用微缩进在微尺度上测量了制造的B 4 C复合材料的断裂韧性,以提高56%。在这项工作中,B 4 C复合材料的断裂韧性在宏观尺度上是使用四点弯曲方法来表征的,并将其与在微尺度上获得的先前结果进行了比较。还进行了B 4 C-TIB 2复合材料的断裂行为的微力学模型,以评估实验观察到的坚韧机制的贡献。在四点弯曲测试中,B 4 C复合材料与TIB 2粒(约15粒体积)和石墨血小板(〜8.7 vol%)增强的B 4 C复合材料均表现出最高的断裂韧性从2.38到3.65 MPA∙MPA∙MPA∙M1/2。测量值低于使用微缩号获得但保持一般趋势的值。压痕和四点弯曲测试结果之间的差异源自凹痕测试期间高接触载荷触发的复杂变形行为。通过微力学建模,由于B 4 C和TIB 2之间的热膨胀不匹配引起的热残留应力,并且B 4 C-TIB 2边界处的弱相互作用被确定为实验观察到的韧性增强的主要原因。这些结果证明了B 4 C韧性的层次微结构设计的有效性,并可以为B 4 C复合材料的未来设计提供具有优化的微结构的未来设计,以进一步增强断裂韧性。