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突触晶体管的铁电材料及其...
摘要 经过百余年的发展，铁电材料向人们展示了其强大的潜力，越来越多的铁电材料被用于铁电晶体管（FeFET）的研究中。作为新一代神经形态器件，铁电材料凭借其强大的功能和诸多特性引起了人们的关注。本文总结了近年来铁电材料体系的发展，并探讨了人工突触的模拟。主流的铁电材料分为传统的钙钛矿结构、萤石结构、有机聚合物和新型二维范德华铁电体。介绍了各材料体系的原理、研究进展以及针对类脑计算机的优化，并总结了最新的应用进展。最后讨论了不同材料体系的适用范围，旨在帮助人们根据不同的需求筛选出不同的材料体系。 1. 引言
光门传感静电场效应热晶体管
摘要：固体中热传输的动态调整在科学上吸引了电子设备中热传输控制的广泛应用。在这项工作中，我们演示了一个热晶体管，该设备可以使用外部控制来调节热流，该设备通过拓扑表面状态在拓扑绝缘体（TI）中实现。通过使用沉积在Ti膜上的薄电介质层的光控来实现热传输的调整。使用微拉曼温度法测量栅极依赖性导热率。在室温下，晶体管的开/关比为2.8，可以通过光门传感进行连续，重复地以数十秒钟的速度切换，并且通过电控速度更快。这样的热晶体管具有较大的开/关比和快速切换时间，为未来电子系统中的主动热管理和控制提供了智能热设备的可能性。关键字：热晶体管，热开关，静电门，拓扑绝缘子
基于石墨烯乙酸的杂交超级电容器和液体门控晶体管
超级电容器和晶体管是将来电子设备的两个关键设备，必须结合可移植性，高性能，易于可伸缩性等。与石墨烯相关的材料（GRM）经常被选为这些应用的活性材料，因为它们的独特物理特性可通过化学功能化来调整。最新的GRM中，只有减少的石墨烯（RGO）在温和培养基中显示出足够的多功能性和加工性，使其适合在这两种类型的设备中集成。在这里，提供了RGO的声音替代方案，即石墨烯乙酸（GAA），其物理化学特征具有特定的优势。尤其是，在锌混合超级电容器（ZN-HSC）中使用基于GAA的阴极的最先进的重力电容为≈400f g-1的当前密度为0.05 a g-1。相反，基于GAA的LGT支持SI/SIO 2，在0.1 M NaCl中显示出双极行为，其特征是由DIRAC电压高于100 mV的清晰p掺杂。这种设备在纸张流体中成功实现，从而证明了实时监控的可行性。
FMMT591 PNP 硅外延平面晶体管
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温度对双极晶体管特性影响的研究
摘要。电子电路板的温度升高会对电子电路产生明显的影响，从而导致电路元件的基本参数发生一些变化。本文旨在研究和分析高温对双极晶体管静态和动态特性的影响。这项研究是通过在不同温度下研究和分析 NPN BJT 晶体管 2SC2120 的几个参数进行的实验。结果表明，随着温度从 25 °C 升高到 130 °C，集电极电流从 0.19 A 显著增加到 0.23 A，电流增益从 0.14 显著增加到 0.22。至于阈值电压，发现其值从 0.6 伏降低到 0.4 伏。结果还表明，对于动态特性，随着温度升高到 130 °C，发射极-基极结的扩散电容从 10.1 nF 增加到 45.02 nF。最后发现，在相同的温度范围内，栅漏结的反向电容从41.4 pF增加到47.3 pF。
石墨烯晶体管的全面研究和设计
摘要：石墨烯以其出色的电气，光学和机械性能而闻名，在下一代电子产品的领域中占据了中心地位。在本文中，我们对石墨烯场现场效应晶体管的综合制造过程进行了彻底的研究。重新确定了在确定设备性能时的关键角色石墨烯质量发挥作用，我们探索了许多技术和计量方法，以评估和确保石墨烯层的卓越质量。此外，我们深入研究了掺杂石墨烯的复杂细微差别，并检查了其对电子特性的影响。我们发现了这些掺杂剂对电荷载体浓度，带隙和整体设备性能的变革性影响。通过合并石墨烯场现场效应晶体管制造和分析的这些关键方面，本研究为旨在优化基于石墨烯电子设备的性能的研究人员和工程师提供了整体理解。
双栅极反馈场效应晶体管高温特性分析
摘要 — 在本研究中，我们研究了双栅极反馈场效应晶体管 (FBFET) 器件的温度相关行为，该器件在一定温度范围 (300 K 至 400 K) 内表现出陡峭的开关特性。我们使用技术计算机辅助设计 (TCAD) 模拟分析温度特性。FBFET 是在正反馈回路中工作的半导体器件，其中通道区域中的电子和空穴调节势垒和壁的能量状态。FBFET 表现出出色的亚阈值摆幅和高开/关比，这归因于正反馈现象，从而产生理想的开关特性。在模拟结果中，观察到随着温度的升高，导通电流 (I ON )、关断电流 (I OFF ) 和导通电压 (V ON ) 均增加，而开/关电流比降低。此外，通过调节固定栅极电压可以维持高温下的操作。通过模拟结果，我们定性地研究了 FBFET 中各种器件参数随温度变化的变化，并进行了详细讨论。
审查 - 超薄薄的无定形氧化物晶体管
无定形的氧化物半导体晶体管已成为展示面板中的成熟技术，并且最近被认为是用于单片3D应用的有希望的后端兼容通道材料。然而，实现具有与传统晶体半导体相当的性能的高弹性无定形半导体材料一直是一个长期的问题。最近发现，通过原子层沉积（ALD）工艺实现的氧化im氧化物的厚度可以调整其材料特性以实现高迁移率，高驱动电流，高/o效比，并在同一时间超出了传统氧化物半导体材料的功能。在这项工作中，综述了这项工作的历史，导致氧化含量重新出现，其基本材料特性，侧重于ALD的生长技术，最先进的氧化辅助设备研究以及设备的偏置稳定性。
基于嵌入式的智能事故前出现，后...
摘要˗˗本文解决了一个重要的问题：量子隧道如何影响半导体设备中的晶体管微型化，以及对未来技术的更广泛含义是什么？本文讨论了晶体管小型化所带来的挑战，并使用量子力学的理论原理（例如Schrödinger方程和海森堡的不确定性原理）引入了量子隧道。本文比较了对石墨烯，过渡金属二分法源和拓扑绝缘子的评估及其对量子隧穿的影响。本文进一步探讨了高级模拟方法，例如密度功能理论，量子蒙特卡洛等。在小晶体管中建模隧道效应。本文还探讨了量子隧道在量子计算中的作用，尤其是在量子量的开发中，探索纳米技术和机器学习在优化隧道效应中的整合。我们的讨论整合了这些发现，探讨了对当前和未来半导体技术的影响，并以对晶体管技术和量子隧道的发展的预测结论。索引术语˗˗量子隧道，量子蒙特卡洛，未来的半导体技术