参数 最小值 最大值 单位 VDD1,VDD2 电源电压 2 – 0.5 6.5 V VINP,VINN 模拟输入电压 GND1 – 6 6.5 V VOUTP,VOUTN 模拟输出电压 GND2 – 0.5 VDD2 + 0.5 3 VI IN 除电源引脚外任何引脚的输入电流 – 10 10 mA TJ 结温 150 °CT STG 存储温度 – 65 150 °C 注:1. 超出绝对最大额定值下所列的应力可能会对器件造成永久性损坏。这些仅为应力额定值,并不保证器件在这些条件下或任何其他超出建议工作条件的条件下能够正常运行。长时间暴露于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。 2. 所有电压值均相对于本地接地端子(GND1 或 GND2),并且为峰值电压值。 3. 最大电压不得超过 6.5 V。7.2 ESD 额定值 值 单位
PARAMETER MIN MAX UNIT VDD1, VDD2 Supply voltage 2 – 0.5 6.5 V VIN Analog input voltage GND1 – 6 VDD1 + 0.5 3 V SHTDN Shutdown mode control input voltage GND1 – 0.5 VDD1 + 0.5 3 V VOUTP, VOUTN Analog output voltage GND2 – 0.5 VDD2 + 0.5 3 V I IN Input current to any pin except supply pins – 10 10 mA T J Junction Temperature 150 °C T STG Storage Temperature – 65 150 °C NOTE: 1. Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under Recommended Operating Conditions is not implied. Exposure to absolute‐maximum‐rated conditions for extended periods may affect device reliability. 2. All voltage values are with respect to the local ground terminal (GND1 or GND2) and are peak voltage values. 3. Maximum voltage must not exceed 6.5 V. 7.2 ESD Ratings VALUE UNIT
5 kV rms 隔离 RS-485 收发器 RS-485 总线引脚上具有 ±42 V 交流/直流峰值故障保护 DO-160G 第 25 节 ESD 保护:±15 kV 空气放电 RS-485 总线引脚上具有完全认证的 DO-160G EMC 保护 第 22 节防雷保护波形 3、波形 4/波形 1、波形 5A 引脚注入,4 级保护 RS-485 A、B 引脚 HBM ESD 保护:>±30 kV 安全和法规批准 CSA 元件验收通知 5A、DIN V VDE V 0884-10、UL 1577、CQC11-471543-2012(待定) 整个电源范围内符合 TIA/EIA RS-485/RS-422 要求 VDD2 上工作电压范围为 3 V 至 5.5 V 工作电压范围为 1.7 V 至 5.5 V在 V DD1 逻辑电源上 共模输入范围为 −25 V 至 +25 V 高共模瞬变抗扰度:>75 kV/μs 强大的抗噪能力(按照 IEC 62132-4 标准测试) 通过 EN55022 B 类辐射发射测试,裕度为 6 dBµV/m 接收器短路、开路和浮动输入故障安全 支持 256 个总线节点(96 kΩ 接收器输入阻抗) 无故障上电/断电(热插拔)
TA2020-020 是一款功率(高电流)放大器,工作在相对较高的开关频率下。放大器的输出在驱动高电流的同时,以高速在电源电压和地之间切换。该高频数字信号通过 LC 低通滤波器,以恢复放大的音频信号。由于放大器必须驱动电感 LC 输出滤波器和扬声器负载,因此放大器输出可能被输出电感中的能量拉高至电源电压以上和地以下。为避免 TA2020-020 受到可能造成损坏的电压应力,良好的印刷电路板布局至关重要。建议在所有应用中使用 Tripath 的布局和应用电路,并且只有在仔细分析任何更改的影响后才可以偏离。下图是 Tripath TA2020-020 评估板。板上最关键的组件是电源去耦电容。电容 C674 和 C451 必须放置在引脚 22 (VDD2) 和 19 (PGND2) 的旁边,如图所示。同样,电容 C673 和 C451B 必须放置在引脚 25 (VDD1) 和 28 (PGND1) 的旁边,如图所示。这些电源去耦电容不仅有助于抑制电源噪声,更重要的是,它们可以吸收由放大器输出过冲引起的 VDD 引脚上的电压尖峰。类似地,肖特基二极管 D1、D2、D3 和 D4 可最大程度降低相对于 VDD 的过冲,肖特基二极管 D702、D703、D704 和 D728 可最大程度降低相对于电源接地的下冲。为了获得最大效果,这些二极管必须位于输出引脚附近,并返回到各自的 VDD 或 PGND 引脚。二极管 D1、D2、D3 和 D4 仅适用于 VDD>13.5V 的应用。在高电流开关事件(例如短路输出或在高电平下驱动低阻抗)期间,输出电感器反激也可能导致电压过冲。如果这些电容器和二极管距离引脚不够近,则可能会对部件造成电气过应力,从而可能导致 TA2020-020 永久损坏。输出电感器 L389、L390、L398 和 L399 应放置在靠近 TA2020-020 的位置,而不会影响靠近放置的电源去耦电容器和二极管的位置。将输出电感器放置在靠近 TA2020-020 输出引脚的位置是为了减少开关输出的走线长度。遵循此准则将有助于减少辐射发射。
