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对欧姆 p-GaN 功率 HEMT 进行预处理，以实现可重复的 Vth 测量
在 GaN HEMT 的可靠性研究中，阈值电压 (V th ) 的波动对监测电漂移提出了挑战。虽然欧姆 p-GaN 等技术可以减轻 V th 波动，但可恢复电荷捕获的问题仍然存在。因此，在进行可靠性研究时采用新颖的特性分析方法至关重要，这样才能测量内在变化而不是即使在未退化的晶体管中也存在的电荷捕获效应。本文阐述的一种方法可以可靠且可重复地测量欧姆 p-GaN 栅极 HEMT GaN 的 V th 。在阈值电压测量之前立即引入专用的栅极偏置曲线以使其稳定。这个预处理阶段需要负偏置电压，然后再施加适当高的电压才能有效。所介绍的新协议也被证明适用于其他 HEMT GaN 结构。
水上的高级能力建设计划...
DST在Gangtok锡金大学地质学系的卓越中心正在组织“水资源管理高级培训计划，冰川监测与气候变化研究”。培训计划旨在提高在Cryosphere，水文学和气候变化研究领域工作的专业人员和利益相关者的能力，并提供动手培训。培训计划应包括三周的内部动手训练，其中包括对湖泊和弹簧的地球物理研究，环境数据科学，黑碳引起的辐射强迫，评估冰川湖的GLOF潜力以及用于水文建模的AI/ML。有针对性的参与者研究生，博士学位。学者，博士后研究人员，科学家和利益相关者在水资源管理/冰冻圈/气候变化研究领域工作，可以适用于培训计划。此培训计划可用的座位总数为20。将偏爱具有冰川学/水资源管理/遥感/气候变化研究的先验知识/背景的候选人。旅行和住宿：该培训计划由印度政府科学技术部（DST）完全资助，该计划是在锡金大学地质学系成立的“ DST的卓越中心”。选定的参与者将获得火车票价的报销（AC III Tier）。应为甘托克选定的参与者提供计划。参与者需要带上自己的笔记本电脑。申请程序符合条件的候选人被要求使用链接https://forms.gle/vq5vry64uyjzmy3b9注册并填写在线申请表，最新时间在2025年1月15日之前。候选人选出的培训计划应在2025年1月20日之前告知有关任何查询，请致电 +91-9873122054/ +91-8100420032或发送电子邮件至dstcoe.su@gmail.com。选定的参与者应有权从其机构/组织参加培训计划。赞助教授Jyoti Prakash Tamang教授，锡金大学副校长，Gangtok，Sikkim组织团队Anil Kumar Misra博士Anil Kumar Misra博士。Ranjan，锡金大学地质系副教授Nishchal Wanjari博士，锡金大学地质学系副教授
CS6929 CS6929-2 - Vt.vtp-media.com
泄漏点附近。在某些情况下，当适配器插入电源插座或将听筒放回底座时，可能会产生火花。这是与任何电路闭合有关的常见事件。如果电话位于含有易燃或助燃气体的环境中，除非通风良好，否则用户不应将电话插入电源插座，也不应将充电的听筒放入底座。这种环境中的火花可能引发火灾或爆炸。此类环境可能包括：通风不良的医用氧气；工业气体（清洁溶剂；汽油蒸气等）；天然气泄漏等。17. 只将电话听筒放在耳边
光伏辅助自Vth取消CMOS整流器...
摘要 开发了一种用于射频能量收集的高效 CMOS 整流器（采用 0.18 µ m CMOS 技术）。为了在极低输入功率条件下也能高效运行，采用自 Vth 抵消 (SVC) 和光伏 (PV) 辅助技术的有效组合实现了基于倍压器的整流器。在该整流器中，二极管连接 MOSFET 的阈值电压 (Vth) 由直流偏置电压补偿，该偏置电压不仅由片上 PV 电池产生，还由整流器本身的输出电压产生。因此，即使在低输入功率条件下，整流器也能高效运行。此外，采用了使用简单 pn 二极管的偏置电压限制器来有效调节过度的 Vth 补偿，并在宽功率范围内实现整流器的高运行效率。在输入功率为 − 15 dBm、频率为 1 GHz、输出负载电阻为 10 k Ω 和光照度为 10 mW/m 2 的情况下，射频到直流功率转换效率 (PCE) 达到 30.8%。关键词：能量收集、无线电波、光伏、功率转换效率、整流器分类：能量收集设备、电路和模块
适用于 7nm 技术节点及更高版本的可扩展且可制造的无体积多 Vt 解决方案
为了提高晶体管的密度、提高性能、降低功耗和降低每个晶体管的成本，人们对晶体管尺寸的要求推动了接触多晶硅间距 (CPP) 的缩小，如图 1 和图 2 所示，这反过来又需要缩小栅极长度以释放更多空间来降低接触电阻。由于金属栅极图案的空间有限，RMG 的持续缩小对 7nm 及更高技术的多 Vt 提出了挑战。此外，自对准接触 (SAC) 成为未来技术节点上提高器件成品率的关键要素。因此，需要采用简化的 RMG 堆叠集成方案来确保良好的栅极凹槽控制和均匀的 SAC 封装。由不同栅极金属厚度 (金属多 Vt) 实现的多 Vt 选项将在大幅缩小间距时面临可扩展性挑战。在这项工作中，我们提出了一种无体积多 Vt 解决方案来定义具有不同偶极子层厚度的所有 Vt 类型。氧化物偶极子层与基于 SiOx 的界面层 (IL) 相互作用，产生 Vt 偏移，伴随其基团电负性差异 [6]。所提出的方案被证明与双 WFM 工艺兼容，并且由于其体积小，可适用于高度缩放的设备和新颖的设备架构。在同一芯片上集成多个偶极子厚度非常具有挑战性，因为偶极子厚度非常薄，通道可能会受到图案损坏。在本文中，我们
第二十五次竞争政策报告 - 1995 年
将竞争规则应用于信息社会仍然是一项优先事项。在放开电信服务的立法规定方面取得了重大进展：这种自由化自 1995 年以来一直适用于移动电话，并将于 1996 年 7 月 1 日适用于替代网络，并于 1998 年 1 月 1 日适用于语音电话。在几个成员国（比利时、爱尔兰和意大利），移动电话市场的新进入者与老牌运营商享有同等待遇。然而，委员会的作用并不止于此：必须防止运营商签订协议或从事与以前存在的法定保护具有相同封锁效果的行为。因此，战略联盟这种越来越常见的现象只有在不关闭国家市场的情况下才能获得授权。