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MOS2中的Moiré工程光 - 摩擦相互作用... 引用了原始发表的论文（记录的版本）：Jafarzadeh，S.，Nooshkam，M.，Qazanfarzadeh，Z。等（2024）。解锁潜在的O 加油否认：气候变化反动运动和瑞典极右媒体 有效的微孔子频率梳 可用性比较拟人化数字人的健康参与者和基于文本的聊天机器人，以此作为对心理健康问题的响应者：随机对照试验 朝着光网络中的可解释的强化学习：RMSA用例 和电热膜蒸馏 基于滑动触摸的探索，用于用多指双手建模未知对象形状 原子能洞察纳米片分裂水的竞争边缘 引用原始发表的论文（记录的版本）：Konzock，O。，Nielsen，J。（2024）。试图评估微生物Biote的生产成本 引用了原始发表的论文（记录的版本）：Bainsla，L.，Zhao，B.，Behera，N。等（2024）。 中的大面外旋转轨道扭矩 引用了原始发表的论文（记录的版本）：Monsel，J。，Ciers，A.，Kini Manjeshwar，S。等（2024）。耗散和色散cav 引用了原始发表的论文（记录的版本）：Kumar，R。，Srivastav，S.，Roy，U。等（2024）。镁的电噪声光谱 用快速电子梁探测光学叠液 基于机器学习的极化签名分析，用于检测和分类窃听事件和有害事件
van der waals异质结构中的Moiré超级晶格代表了高度可调的量子系统，在多体模型和设备应用中都引起了极大的兴趣。然而，在室温下，Moiré电位对光物质相互作用的影响在很大程度上仍然没有。在我们的研究中，我们证明了MOS 2 /WSE 2中的Moiré潜力促进了室温下层间激子（IX）的定位。通过执行反射对比光谱，我们证明了原子力显微镜实验支持的原子重建在修饰内部激子中的重要性。降低扭转角时，我们观察到IX寿命会更长，并且发光增强，表明诸如缺陷之类的非辐射衰减通道被Moiré电位抑制。此外，通过将Moiré超晶格与硅单模腔的整合，我们发现，使用Moiré捕获的IXS的设备显示出明显较低的阈值，与利用DelaCalized IXS的设备相比，较小的一个数量级。这些发现不仅鼓励在升高温度下在Moiré超晶格中探索多体物理学，而且还为利用光子和光电应用中的这些人工量子材料铺平了道路。
纳米级
更多类似石墨烯的2D系统，例如Xenes和Xanes（其中x =硅，德语等），4 - 6个过渡金属二分法（例如，MOS 2，WS 2，Mose 2，WSE 2），7,8六角硼硝酸盐，9 mxenes（例如，过渡金属碳化物和硝酸盐），10个黑磷，11和2d钙钛矿12,13已合成。其中，硅纳米片由于与当前基于SI的纳米技术的预期兼容性而引起了极大的关注。硅纳米片在石墨烯类似硅烯之间存在分歧，该石墨烯类似硅由混合的SP 2 /SP 3-杂化硅原子组成，14和氢末端的石墨烯的类似物，所谓的硅烷，SP 3-氢化硅原子。15作为SP 3-杂交对硅的有利，16硅不稳定，因此仅在底物上外恋生长，例如，AG（111）或IR（111）。17 - 22通过在低温下用浓盐酸从ZINTL二相钙（CASI 2）从ZINTL相（CASI 2）的钙阳离子去钙阳离子来制备更稳定的硅硅烷（氢终止的硅质，SINS-H）。6 Sins-H具有独特的电子，机械和光学特性。根据理论研究，SINS-H是一种半导体材料23，具有应变带隙，24,25，而其原子
量子纳米光子学
近年来，量子纳米光子学领域蓬勃发展，人们对新理论、新器件和新应用的开发兴趣浓厚。“量子纳米光子学”特刊通过评论、观点和研究论文重点介绍了该主题的一些最新进展。本期包含评论和观点文章，全面概述前沿主题。Chang 和 Zwiller [1] 回顾了使用纳米线的集成量子光子学的最新进展，重点介绍了集成发射器、探测器和制造方法。这篇评论还介绍了基于纳米线的量子信息处理和传感应用。Gali [2] 总结了从头算理论，以充分理解固态量子比特，它是量子光子装置中的重要组成部分。该计算方法已应用于激发态、光电离阈值、光激发光谱、有效质量态和自旋动力学的计算。这种方法可以提供超越传统密度泛函理论的洞见，因为传统密度泛函理论无法完全捕捉激发态的特性。生物技术正被用于各种量子光学和光子学，反之亦然。DNA 纳米技术利用 DNA 信息设计和制造用于技术用途的人工核酸结构，已被用于量子发射器领域。DNA 的奇异特性使我们能够在分子水平上抓住量子发射器并控制它们的指向器。Cho 等人 [3] 对相关研究进行了广泛的综述。相反，对量子光学中光物质相互作用的理解为研究化学和生物过程提供了提示。Kim 等人 [4] 综述了基于光与物质与光学谐振器相互作用的丛激子和振动极化子强耦合。作者从强耦合的基本原理、丛激子的结构和特性以及在化学和生物检测中的应用进行了介绍。Kim 等人 [5] 对基于光与物质相互作用的丛激子和振动极化子强耦合进行了综述。 [ 5 ] 讨论了纳米光子共振工程可以实现接近 1 的读出保真度，而这对于提高 NV 量子传感的灵敏度是必需的。该观点深入了解了 NV 量子传感的背景、共振结构的应用以及实际传感中剩余的挑战。Zheng 和 Kim [ 6 ] 讨论了钙钛矿基发光二极管的衰减机制。衰减可能发生在外部和内部过程中，从而对性能和稳定性产生不同影响。其中包括各种关于量子纳米光子学的研究文章。人们对优化可集成到光子电路中并实现实际应用的单光子发射器 (SPE) 的兴趣日益浓厚。Azzam 等人。[7] 展示了使用介电腔对 WSe 2 SPE 的 Purcell 增强。介电腔在 WSe 2 上施加定向应变分布，可以选择性地控制 SPE 的极化状态。徐等人 [8] 报道了一种基于纳米金刚石 (ND) 的高纯度 SPE，其硅空位 (SiV − ) 中心带负电，采用离子注入法。他们成功地阻止了 SiV − 发射极
引用原始发表的论文（记录的版本）：Hagel，J.，Brem，S.，Pineiro，J。等（2024）。原子重建对光学的影响
过渡金属二甲化物（TMDS）的扭曲双层揭示了丰富的激子景观，包括混合激子和空间捕获的Moiré激子，占主导地位的材料光学响应。最近的研究表明，在低扭转角度方面，晶格经历了显着的松弛，以最大程度地减少局部堆叠能量。在这里，出现了低能堆叠配置的大域，通过应变使晶格变形，从而影响电子带结构。然而，到目前为止，原子重建对激子能量景观和光学特性的直接影响尚未得到充分了解。在这里，我们采用了微观和材料特异性方法，并预测了重建的晶格中Moiré激子的潜在深度发生了显着变化，并且自然堆叠的TMD TMD同质同层中发生了最大的变化。与刚性晶格相比，我们显示了多个频段的外观，并且捕获位点位置的显着变化。最重要的是，我们预测WSE 2同类体的光学吸收中出现了多发结构 - 与主导刚性晶格的单个峰相比。此发现可以被利用为在天然堆积的扭曲同性恋者中Moiré激子光谱中原子重建的明确特征。
过渡金属氮化物卤化物电介质
利用第一性原理计算，我们研究了六种过渡金属氮化物卤化物 (TMNH)：HfNBr、HfNCl、TiNBr、TiNCl、ZrNBr 和 ZrNCl 作为过渡金属二硫属化物 (TMD) 沟道晶体管的潜在范德华 (vdW) 电介质。我们计算了剥离能量和体声子能量，发现这六种 TMNH 是可剥离的并且具有热力学稳定性。我们计算了单层和体 TMNH 在平面内和平面外方向的光学和静态介电常数。在单层中，平面外静态介电常数范围为 5.04 (ZrNCl) 至 6.03 (ZrNBr)，而平面内介电常数范围为 13.18 (HfNBr) 至 74.52 (TiNCl)。我们表明，TMNH 的带隙范围从 1.53 eV（TiNBr）到 3.36 eV（HfNCl），而亲和力范围从 4.01 eV（HfNBr）到 5.60 eV（TiNCl）。最后，我们估算了具有六个 TMNH 单层电介质和五个单层通道 TMD（MoS 2 、MoSe 2 、MoTe 2 、WS 2 和 WSe 2 ）的晶体管的电介质漏电流密度。对于 p- MOS TMD 通道晶体管，30 种组合中有 25 种的漏电流小于六方氮化硼 (hBN)，一种众所周知的 vdW 电介质。对于以 HfNCl 为栅极电介质的 ap -MOS MoSe 2 晶体管，预测最小双层漏电流为 1.15×10 -2 A/cm 2。据预测，HfNBr、ZrNBr 和 ZrNCl 也会在某些 p-MOS TMD 晶体管中产生微小的漏电流。
已授予合同报告 – 2024 年 6 月
价值 50,000 澳元及以上的合同，于 2024 年 6 月 1 日至 2024 年 6 月 30 日之间开始生效 * 显示价值 N/A 的合同是基于费率的合同，没有固定的奖励价值，预计年化支出超过 50,000 澳元 合同 ID 合同描述 成功供应商 合同开始日期 合同价值 CW217796 CW 水质年度报告仪表板 ORCAS Consulting Limited 2024 年 6 月 1 日 56,256.00 CW218105 CW 奥克兰市议会和社区资源回收网络 (ACCRRN) 开发和支持社区企业网络 (NZ) 2024 年 6 月 1 日 276,000.00 CW218283 CW WI 和 EI - Safeswim 现场测量和资产调查 Watercare Services Limited - 2024 年 6 月 1 日 81,090.00 CW217836 CW 德文波特Victoria Wharf 清洁和检查 STF Limited 1/06/2024 105,410.00 CW217241 CW 小型水域运营支持 FY25 Morphum Environmental Limited 1/06/2024 287,035.00 CW217903 CW 模型审查 FY24 - WSE Watershed Engineering Limited 1/06/2024 50,000.00 CW217348 CW MO- 更新运动照明 - Sturges Park - Otahuhu Coll Electrical Ltd 1/06/2024 92,158.60 CW218407 CW ARO 拆除计划 - 场地特定任务和评估 - Green Way Green Way Limited 1/06/2024 352,000.00
在空间选择性p型掺杂掺杂，用于通过低能量氮离子植入
摘要在二维（2D）半导体制造过程中，侧向P-N连接的构建非常重要，而且具有挑战性。先前的研究表明，垂直P-N连接可以通过垂直堆叠2D材料来制备。但是，界面污染和较大面积的可扩展性是垂直堆叠技术难以克服的挑战。构建2D横向P-N同型结是解决这些问题的有效策略。在空间选择性p型掺杂2D半导体的掺杂有望构建侧面P-N均匀结构。在这项工作中，我们开发了一种低能离子植入系统，将植入能量降低至300 eV。低能植入可以形成浅植入深度，这更适合调节2D材料的电气和光学特性。因此，我们利用低能量离子植入将氮离子直接涂成几层WS 2，并成功实现了WS 2的精确调节，其电导率类型从N型转换为双极性甚至P型传导。此外，通过将其扩展到其他2D半导体（包括WSE 2，SNS 2和MOS 2）来证明该方法的普遍性。基于这种方法，横向WS 2 p-n同型被制造出来，具有显着的直径特征。还准备了基于P-N结的光电探测器，并准备了光伏效应，开路电压可以达到0.39V。这项工作为可控掺杂2D半导体提供了有效的方法。
合并财务报表 - AmRest
AmRest Holdings SE（“公司”，“AmRest”）于 2000 年 10 月在荷兰成立。自 2008 年以来，公司经营一家欧洲公司（Societas Europaea，SE）。公司总部位于西班牙。报告期内，报告实体名称未发生变化。截至 2021 年 12 月 31 日，西班牙马德里 28046 Paseo de la Castellana 163 号是公司的注册办事处，在 2021 年内未发生变化。以下公司及其子公司应称为“集团”和“AmRest 集团”。 2005 年 4 月 27 日，AmRest Holdings SE 的股票首次在华沙证券交易所（“WSE”）上市，并于 2018 年 11 月 21 日通过西班牙自动报价系统 (Sistema de Interconexión Bursátil - SIBE) 在马德里、巴塞罗那、毕尔巴鄂和瓦伦西亚证券交易所上市。自 2018 年 11 月 21 日起，AmRest 的股票同时在上述两个证券交易所上市（双重上市）。Grupo Finaccess S.A.P.I. de C.V. 是该集团的最终母公司。该集团是中欧和东欧最大的独立连锁餐厅运营商。该集团还在西欧、俄罗斯和中国开展业务。该集团的主要营业地点是欧洲。该集团通过其在波兰、捷克共和国（以下简称“捷克”）、匈牙利、斯洛伐克、俄罗斯、塞尔维亚、克罗地亚的子公司经营肯德基（“KFC”）、必胜客（“PH”）、汉堡王（“BK”）和星巴克（“SBX”）餐厅。
自旋涂层促进了2D材料上AGCN微管的外延生长
摘要：预计无机晶体在2D材料上的外延生长有望大大推进纳米版和纳米复合材料。但是，由于2D材料的原始表面是化学惰性的，因此很难在2D材料上表现出无机晶体。以前，仅通过在高温下的蒸气 - 相位沉积来实现成功的结果，而基于溶液的沉积（包括自旋涂层）使外延生长在2D材料上不一致，稀疏或不均匀。在这里，我们表明溶剂控制的自旋涂层可以将密集的外延AGCN微管均匀地沉积在各种2D材料上。将乙醇添加到水溶液中，在自旋涂层期间促进了薄的过饱和溶液层的均匀形成，这促进了在块状溶液中均匀核定的2D材料表面上的异质晶体成核。显微镜分析证实了在石墨烯，MOS 2，HBN，WS 2和WSE 2上外延AGCN微管的高度排列，均匀和密集的生长。的外延微管，是光学上可观察到的，化学上可移动的，可以在毫米大小的多晶石墨烯中对晶粒进行晶粒图，以及对van der waals waals异质结构中扭曲角度（<〜1°）的精确控制。除了这些实际应用外，我们的研究还证明了2D材料作为外延模板的潜力，即使在无机晶体的自旋涂层中也是如此。关键字：自旋涂层，外延生长，范德华外延，氰化银，2D材料，范德华异质结构H
![Della Pelle，Flavio； Bukhari，Qurat ul ain； Ruslan的ÁlvarezDiduk； [等]。 «独立激光引起的自我con的两维异质结构](/simg/5\5f023e6793757170cb901974c328a0f3b818133d.webp)
Della Pelle，Flavio； Bukhari，Qurat ul ain； Ruslan的ÁlvarezDiduk； [等]。 «独立激光引起的自我con的两维异质结构
具有有利的电化学特征的2D/2D异质结构（HTS）的生产具有挑战性，特别是对于半导体过渡金属二甲硅烷基（TMDS）而言。在这项工作中，我们引入了一项基于CO 2激光绘图仪的技术，用于实现包括氧化石墨烯（RGO）和2D-TMDS（MOS 2，WS 2，MOSE 2，MOSE 2和WSE 2）的HT膜。该策略依赖于激光诱导的异质结构（LIHTS）的产生，在辐照后，纳米材料在形态和化学结构中显示出变化，成为导电易于转移的纳米结构膜。LIHT在SEM，XPS，Raman和电化学上详细介绍了LIHT。激光处理诱导GOS转化为导电性高度去角质的RGO，并用均质分布的小型TMD/TM-氧化物纳米片装饰。所获得的独立式LIHT膜被用来在硝酸纤维素上构建独立的传感器，其中HT既可以用作传感器和传感表面。所提出的硝酸纤维素传感器制造过程是半自动化和可重现的，可以在相同的激光处理中生产多个HT膜，并且模具印刷可以定制设计。证明了不同分子（例如多巴胺（神经递质），儿茶素（黄酮醇）和过氧化氢）在电分析检测中的卓越性能，从而获得了生物学和农业样本中的纳米摩尔限制，并获得了高纤维抗性的纳摩尔限制。考虑到强大而快速的激光诱导的HT产生以及涂鸦所需模式的多功能性，提出的方法是通过可持续和可访问的策略开发电化学设备的破坏性技术。