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四苯二苯甲嗪低压单分子XOR量子哈密顿逻辑门
hal是一个多学科的开放访问档案，用于存款和传播科学研究文件，无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
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Guided by the principles of United Nations Security Council Resolution 2250 on Youth, Peace, and Security -adopted following an initiative from HRH Crown Prince Hussein Bin Abdullah II, during the Hashemite Kingdom of Jordan's Chairmanship of the United Nations Security Council- and the Sustainable Development Goals, especially Goal 16, and the standards and principles of Council of Europe and the League of Arab States, we are committed to harnessing AI从道德上讲，以促进和平，公平和相互理解为基于普遍人权。，我们对我们地区的武装冲突的破坏，人类苦难和丧生，与和平，对话和社会的愿望矛盾，这些武装冲突与和平，对话和社会具有凝聚力和拥抱多样性的矛盾。
HQDA EXORD 201-24 附件 C
多学科 PSB-CY 团队 (MDT) 的成员和参与者同意并理解“保密”意味着您不得以任何方式与任何非 PSB-CY MDT 授权成员讨论或泄露参展个人、受影响儿童、证人或家庭成员的姓名。
编译型异或游戏价值的计算 Tsirelson 定理
非局部博弈是理解纠缠和在具有多个空间分离的量子设备的环境中构建量子协议的基础工具。在这项工作中，我们继续了 Kalai 等人 (STOC '23) 发起的研究，该研究是在经典验证器和单个加密受限的量子设备之间进行的编译非局部博弈。我们的主要结果是，Kalai 等人提出的编译器对于任何双人 XOR 游戏都是可靠的。Tsirelson 的一个著名定理表明，对于 XOR 游戏，量子值由半定程序精确给出，我们通过证明 SDP 上界对于编译的游戏成立，直到编译产生的错误可以忽略不计，从而获得了我们的结果。这回答了 Natarajan 和 Zhang (FOCS '23) 提出的问题，他们展示了 CHSH 游戏特定情况的可靠性。利用我们的技术，我们获得了几个额外的结果，包括（1）并行重复 XOR 游戏的编译值的严格界限、（2）任何编译的 XOR 游戏的运算符自测试语句，以及（3）任何 XOR 游戏的“良好”平方和证书，从中可以看出运算符的刚性。
HQDA EXORD 380-23 平民平等就业机会
• 非 IMCOM 单位应在 TRADOC 暂停链接到 MSTEAMS 上的 EEO 培训文件夹前 2 个工作日，通知培训人员培训情况、跟踪完成情况并在 MSTEAMS 站点状态的 Excel 跟踪器上提供更新的状态。
EXOR 2022 年年度报告
免责声明：本文件是 Exor N.V. 2022 年 12 月 31 日年度报告的 PDF 副本，并非按照 ESEF 监管技术标准 (授权条例 (EU) 2019/815) 中规定的 ESEF 格式呈现。Exor N.V. 向 AFM 提交的 ESEF 单一报告包中的官方年度报告可在网站 www.exor.com 上查阅。
EXOR 2022 年年度报告
免责声明：本文件是 Exor NV 2022 年 12 月 31 日年度报告的 PDF 副本，并非按照 ESEF 监管技术标准 (授权法规 (EU) 2019/815) 中规定的 ESEF 格式呈现。Exor NV 向 AFM 提交的 ESEF 单一报告包中的官方年度报告可在网站 www.exor.com 上查阅。
利用对称布尔函数格实现异或/同或门的方法
目前 CMOS 的行业标准 XOR 和 XNOR 门分别由 12 个和 10 个晶体管组成。由于 XOR/XNOR 在许多功能模块中被广泛使用，因此可以降低晶体管数量以产生低功耗电路。作为一种解决方案，提出了一种利用对称布尔函数的特殊性质实现低晶体管数量 XOR/XNOR 门的方法。此特性表明，使用特殊的晶格结构电路可以用更少的晶体管实现此类功能的电路。对原始晶格结构进行了修改，以符合当前 CMOS 技术要求。最终电路需要八个晶体管用于 XOR/XNOR，并在上推和下拉网络中混合使用 NMOS 和 PMOS。模拟表明，XOR/XNOR 的预期逻辑功能已实现。然而，实际电压摆幅的读数表明，当 NMOS 和 PMOS 分别作为下拉或上推网络时，输出要么高于地 0.3 V，要么低于 VDD。如果只有 NMOS 处于上推状态或只有 PMOS 处于下拉状态，则可观察到 0.4 V 的更大电压损失。作为一项初步工作，功能逻辑级别的实现保证了未来开展更多工作以改善输出电压摆幅的损失。