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材料有机金属和...的高级表征
摘要 有机-金属和有机-有机界面几乎决定了所有有机光电应用的功能，能级排列对器件性能尤为重要。通常，能级排列仅通过金属功函数和有机材料的电离能和电子亲和力来估计。然而，各种界面效应，如推回、镜像力（也称为屏蔽）、电子极化或电荷转移都会影响能级排列。我们对 Ag(111) 上的铜-十六氟酞菁 (F 16 CuPc) 和钛氧基酞菁 (TiOPc) 薄膜进行 X 射线和紫外光电子能谱 (XPS 和 UPS) 测量，并使用 TiOPc 双层将 F 16 CuPc 层与金属基底分离。即使对于我们结构上表征良好的模型界面以及通过逐步制备真空升华样品，精确分配真空能级和能级偏移仍然具有挑战性。尽管如此，我们的结果为有机-金属和有机-有机界面的 XPS 和 UPS 数据的解释提供了指导。
超疏水六烷基三甲氧基硅烷修饰的烟氧化二氧化硅纳米结构 /聚乙二醇（丁基甲基丙烯酸酯）复合薄膜通过气溶胶< / div>
图3：a）FTIR光谱显示了PBMA和HDTMS-SIO 2起始物质粉末和膜中的特征振动。XPS数据显示了b）c 1s c）c）c）o 1S光谱和d）c 1s，e）o 1s和f）hdtms-sio 2 /pbma膜的f）si 2p光谱。
应用科学学院
课程内容模块I组成和结构表征X射线衍射（XRD），小角度XRD，粉末衍射，晶格参数，结构分析，应变分析，相位识别，使用Scherer的配方，X射线尺寸分析，X射线X射线，X射线光电子光谱（XPS），X-Ray floaresceppopy（X-Ray floaresceppopy（XPS），X-Ray Enalital Ederscemence（X-Ray Edtrax），ED XRFF），READ（XRFF）。实践1通过XRD（BIOVIA MS和使用相关软件通过相关软件鉴定的晶体结构和相位鉴定）实践2研究通过荧光仪器模块II进行分子光谱研究，用于纳米材料的高级显微镜技术，用于纳米材料田间田间发射扫描电子显微镜（FESEM），ATOMIC SIRORCOPER（FESEM），ATOMIC SICRICOPY（EXOMERIC），scanning tunning tunning tunting tunting tunting tunting trunting tunding trunting sirting sirting trunting trunting trunting sirting rigrecopre （TEM），高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）。
Magdi El Fergani-化学学院
Catalysts preparation: Two catalytic systems based on Nb - as catalytic active phase and molecular sieves – as carrier, were prepared for dehydrogenation reactions, catalytic tests: conversion of glucose to biochemicals (alph- hydroxyacids, levulinic acid and 5-hydroxymethylfurfural (HMF)).固体的表征：X射线衍射，FTIR光谱，BET，XPS和TG/DTA。研究自然科学，数学和统计学的领域：化学
硅电解质界面稳定化（...
1. 已经证明能够制造 Mg-Si zintl 化合物模型电极，并使用 XPS、STEM-EDS 和 FTIR/Raman 将 SEI 化学与硅进行比较。Q1 完成 2. 已经建立了实验和协议来了解影响硅阳极安全性的因素，特别关注硅电极上发生的高放热反应。Q1 完成 3. 已经确定了 CO2 对模型电极上 SEI 形成稳定性的影响，但检查了 SEI 性质的变化（XPS、FTIR/Raman 和定量电化学测量）作为 CO2 浓度的函数。Q2 完成 4. 已经使用 XPS、AFM/SSRM、STEM-EDS 和 FTIR/Raman 确定了 zintl 相形成机理及其对包括 Si NPs、Si 晶片、a-Si 薄膜在内的模型系统 SEI 的影响。 Q2 完成 5. 锡硅合金生产是否通过取决于该合金能否以 1g 的量制备，以及该合金的循环寿命是否比纯金属更长。 Q2 完成 6. 已经确定了 LiPAA/Si 界面的化学和界面特性（例如 Si 表面和有机材料处的化学键合性质），以及电荷（OCV，0.8V、0.4V、0.15V、0.05V）和干燥温度（100、125、150、175、200C）的关系。 Q3 7. 已经确定了粘合剂如何通过利用二维或三维模型系统改变 Si NP 尺寸和表面来改变硅电极上的应力/应变，以及电荷状态的关系。 Q3 8. 已经实施了能够比较硅阳极安全响应的协议，作为提高硅电池安全性的指标。 Q3 9. 已经发表了一篇论文，使其他研发小组能够分析硅基阳极上 SEI 的稳定性，从而使开发人员或研究人员能够不断提高硅电池的稳定性（与 Silicon Deep Dive 的共同里程碑）。Q4 10. 已经了解了形成的/可溶的 SEI 物质的性质和数量如何随电解质、粘合剂和 Si 阳极（表面
BHARAT TANDON 博士 - Milliron 研究小组
材料特性 材料制造和加工 电子显微镜 (SEM、TEM、STEM) 胶体纳米晶体合成 光谱 (UV-Vis-NIR、FTIR、Raman、XAS) 热注射和慢速注射合成 元素分析 (ICP-AES、EDX、XPS) 配体交换和表面改性 动态光散射 刮刀涂布和旋涂 粉末 X 射线衍射 射频溅射 AC/DC 电子测量 电子顺磁共振光谱 光谱椭圆偏振法 光谱电化学
欧洲简历格式
ID N . 11300 – 个人研究工程师（意大利语：T ECNOLOGO）– 三级 2012 年 12 月/至今 国家研究委员会 (CNR) - 微电子与微系统研究所 (IMM)，Agrate Brianza Unit，Via Olivetti 2, 20864, Agrate Brianza (MB)，意大利 公共机构常设研究工程师（意大利语：Tecnologo）。技术领域：支持研究。主题：科学仪器和流程管理。 （Bando n. 364/114，Prot. AMMCNT CNR n.79896 28/12/2012；Prot. AMMCNT CNR n.8704 13/02/2013；Prot. IMM CNR n.769 31/01/2013）主要研究课题：I – 2D 材料（过渡金属二硫属化物，TMD）的各向异性工程：通过化学方法生长并主要通过 X 射线光电子能谱和拉曼光谱进行表征；目标应用在纳米电子学、光子学、光电子学、催化领域。 II – 通过 X 射线散射、X 射线光发射光谱和离子束技术（XRR、XRD、XPS、ToF-SIMS）对薄膜和多层膜的结构和化学物理特性进行表征，以便将其集成为双极 CMOS-DMOS（BCD）技术平台中的大电容器。III – （1）具有垂直磁各向异性的铁磁材料（PMA）和（2）非磁性材料，用于作为磁性结和自旋注入/过滤器中的隧道屏障；（3）稀磁氧化物（DMO）。研究结构和化学性质与磁性和磁输运性质之间的相关性。通过 X 射线散射（包括同步光）、X 射线光发射和离子束技术（XRR、XRD、XPS、ToF-SIMS、XRMS）对薄膜和多层膜的结构和化学物理进行表征，例如：（1）铁磁材料（Co、Fe、CoFe、CoFeB、Co/Ni）； (2) 非磁性材料（即 MgO、AlO x ）；(3) 稀磁氧化物（Fe、Ni 掺杂的 ZrO 2 ）。IV – 通过 X 射线散射、X 射线光发射和离子束技术（XRR、XRD、XPS、ToF-SIMS）研究高介电常数电介质或相变合金的 CMOS 兼容性在工艺集成中的热稳定性，以用于新兴的非挥发性存储器（TANOS、RRAM、PCM、MRAM）。V – 通过 X 射线散射（主要是 XRD）对先进 MEMS 设备中集成的压电材料进行表征。
简历
资格 B.ED. (SCI.)、硕士、博士 主要专业领域 凝聚态物理学、固体物理学、材料物理学和材料科学 个人数据 出生地 布西亚，肯尼亚 国籍 肯尼亚人 职业 讲师/研究科学家 联系地址 201-40601，BONDO 电话 0721828604 电子邮件 gobarasa@yahoo .com ORCID 0000-0002-6036-9147 研究出版物链接 https://www.researchgate.net/profile/Godfrey-Barasa 1. 经验总结 先前的研究项目包括 1）实验制造、结构和表面表征（通过 XRD、SEM、TEM、Raman、用于高效绿色能源应用（包括等离子体催化）的各种精细复合/合金纳米多孔微结构材料的光学和电子性能研究（包括原位电化学研究）。2）CdO 掺杂 ZnO 纳米复合材料的结构和光学研究。3）多晶陶瓷/稀土复合磁性材料的合成及其磁热效应研究；交换偏置场的负磁化和符号反转；自旋重新取向过程中磁熵变随温度的变化，即结构和磁场辅助切换效应，用于自旋电子器件（如磁传感器）和数据存储应用。（使用的表征工具是 XRD、XRF、SEM、XPS，直流磁化由振动样品磁强计-VSM 在物理性能测量系统（PPMS、Quantum Design）上测量。
Ziyi Zhang
• 结构表征：SEM、TEM、LEED、XRD、XRR、AFM 等。• 元素/化学表征：EELS、XPS、FT-IR、Raman、NMR 等。• 电/磁表征：PPMS /SQUID 等。• 沉积技术：CVD、PLD、ALD、等离子溅射。• 洁净室集成电路制造。• 三电极系统中的电化学表征（LSV、CV、EIS 等）。• 其他：TGA、DSC、DLS、UV-vis 等。• 7 年以上同步加速器 X 射线设备（LBNL、ANL、SLAC）工作经验。