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基于硅的量子发射器的电子状态的应变工程
硅发光复合缺陷已被认为是基于在电信波长下工作的自旋和光子自由度的量子技术的潜在平台。它们在复杂设备中的集成仍处于起步阶段，并且主要集中在光萃取和指导上。在这里，通过应变工程来解决与碳相关杂质的电子状态（G-Centers）的控制。通过将它们嵌入绝缘体上的硅斑块中，并以罪恶将它们嵌入[001]和[110]方向上，并显示出对零声子线（ZPL）的受控分裂，这是由压电镜理论框架所解释的。分裂可以大至18 MeV，并且通过选择贴片大小或在贴片上的不同位置移动来调整它。一些分裂的，紧张的ZPL几乎完全极化，相对于平流区域，它们的总体强度可提高7倍，而它们的重组动力学略有影响，因为缺乏purcell效应。该技术可以扩展到其他杂质和基于SI的设备，例如悬浮桥，光子晶体微腔，MIE谐振器和集成的光子电路。
飞秒激光诱导的硅在硅 - 绝缘子底物中的G和W-中心的创建
在硅中产生荧光缺陷是确保量子光子设备进入现有技术的关键垫脚石。在这里，我们证明了飞秒激光退火的创建，该创建的W and g-Centers in Commercial Silicon上的绝缘体（SOI）先前植入了12 C +离子。它们的质量与使用常规植入过程获得的相同发射器相媲美；通过光致发光辐射寿命来量化，其零孔线（ZPL）的拓宽以及这些定量随温度的进化。除此之外，我们还表明，这两个缺陷都可以在没有碳植入的情况下创建，并且我们可以在增强W-Centers Emision的同时退火来消除G-Centers。这些演示与硅在硅中的确定性和操作生成有关。
电信中的室温固态量子发射器......
YSO Er 3+ 1536 17000 0.06 [33] NA，不可用；ZPL，零声子线；DWF，德拜-沃勒因子；kcps，每秒千计数；T 2 ，电子自旋相干时间；ODMR，光学检测磁共振。a 对比度是用脉冲 ODMR 获得的。对于 3C-SiC 和 4H-SiC 中的 VV 0 在内的单色心，单一操作都是在低温下实现的。因此，T 2 和 ODMR 对比度的数据是在低温下提取的。对于 6H-SiC 中的 VV 0 ，相干时间和 ODMR 对比度对应于室温集合 VV 0 。b 对于 GaN 中的 Cr 4+，数据是在低温下获得的集合缺陷。引用的饱和单光子发射计数率与未积分到任何纳米结构中的发射有关。
TTP-244 Pro 系列
8 MB SDRAM 内存 4 MB FLASH 内存 支持 Eltron ® EPL 和 Zebra ® ZPL 仿真语言 内置 8 种字母数字位图字体 内置 Monotype Imaging ® true type 字体引擎，带有一个 CG Triumvirate Bold Condensed 可缩放字体 字体和条形码可以在四个方向 (0、90、180、270 度) 中的任意一个方向打印 可从 PC 下载字体到打印机内存 可下载固件升级 条形码、图形/图像打印 支持的条形码：一维条形码：Code 39、Code 93、Code 128UCC、Code 128 子集 A、B、C、Codabar、Interleave 2 of 5、EAN-8、EAN-13、EAN-128、UPC-A、UPC-E、EAN 和 UPC 2 (5) 位数字附加、MSI、PLESSEY、POSTNET、RSS-Stacked、GS1 DataBar、Code 11 2D条形码：DataMatrix、Maxicode、PDF-417、Aztec、QR码支持图像：BITMAP、BMP、PCX（最大256色图形）
软tick中的微生物群驱动疫苗
如此高度蓝色的SIV发射线提出了有关其起源的审讯。到目前为止，有人建议这些蓝线可能起源于新的基于硅的缺陷[1]。我们认为它们起源于受到强量子电动力效应的SIV中心。为了支持这一主张，我们研究了在SIV发光光谱中观察到的声子侧带。图s1a，我们比较了单个SIV缺陷的室温发射光谱（蓝色曲线），并在k（粉红色曲线，[2]中获取的数据8）中获得的室温（蓝色曲线）[2-7]。引人注目的相似性，并且可以绘制振动模式之间的直接对应关系。根据在实验曲线上执行的分解多洛伦兹拟合，侧带特征位于MEV，MEV，MEV，MEV，MEV，MEV和〜43 〜43 〜75 〜92 〜92 〜92 〜143 〜143 〜156 MEV相对于ZPL（见图。s1b）。频谱显示出与大约166个幅度和宽度相同的模式，但由于应变诱导的变形而在位置移动。
碳和硅杂质缺陷
摘要：硝酸盐（GAN）中的缺陷单光子发射器（SPE）近年来由于其提供的优势而引起了人们的关注，包括在室温下操作，狭窄的排放线宽和高亮度。尽管如此，由于可能在GAN中形成的许多潜在缺陷，单光子发射机制的确切性质仍然不确定。在这项工作中，我们对从头算计算进行的系统研究表明，碳和硅作为氮化碳中的常见掺杂剂可以与GAN中的固有缺陷相互作用，并形成新的高速缺陷单光子来源。我们的发现确定了三元缺陷n ga v n c n，其寿命短于1 ns，而小零光子线（ZPL）为864 nm。换句话说，此缺陷可以用作短波长窗口中的高速单光子源进行纤维通信。在尖锐的对比度中，Si支持的缺陷N GA V n Si N具有较高的无占缺陷能水平，该缺陷能水平进入传导带，因此不适合单个光子发射。已经对潜在的缺陷，热稳定性和单光子发射特性进行了系统的研究。分别采用了perdew-burke-ernzerhof交换相关功能和HEYD-SCUSERIA-ERNZERHOF交换相关功能的放松计算和自洽计算。这些发现表明了通过碳或硅掺杂剂的高性能单光子来源的潜力。
六方氮化硼中蓝色量子发射体的光物理学
5 澳大利亚悉尼科技大学变革性元光学系统卓越中心，澳大利亚新南威尔士州乌尔蒂莫 2007 年，澳大利亚 * 这些作者的贡献相同。 通讯作者 igor.aharonovich@uts.edu.au 摘要 六方氮化硼 (hBN) 中的色心已经成为集成量子光子学的有吸引力的竞争者。在这项工作中，我们对在蓝色光谱范围内发射的 hBN 单个发射器进行了详细的光物理分析。发射器采用不同的电子束辐照和退火条件制造，并表现出以 436 nm 为中心的窄带发光。光子统计以及严格的光动力学分析揭示了发射器的势能级结构，这表明缺乏亚稳态，理论分析也支持这一点。潜在缺陷可以具有在 hBN 带隙下半部分具有完全占据缺陷态和在带隙上半部分具有空缺陷态的电子结构。总的来说，我们的研究结果对于理解 hBN 中新兴蓝色量子发射器系列的光物理特性非常重要，因为它们是可扩展量子光子应用的潜在来源。简介单光子发射器 (SPE) 被广泛认为是建立和部署量子通信和计算的关键推动者，这涉及按需生成高纯度单光子发射 1-3 。六方氮化硼 (hBN) 因其独特的性质而备受关注，包括以 6 eV 为中心的宽层相关带隙、高激子结合能、存在光学活性自旋缺陷以及能够承载室温 (RT) 亮 SPE 4-11 。hBN 还因其用作深紫外范围的新兴光电材料而备受关注 12 。最近，通过阴极发光 (CL) 测量发现了在蓝色光谱范围内发射的 hBN 色心，称为“蓝色发射器” 13 。这组发射器通常显示超亮、光谱稳定和窄带发射，其零声子线 (ZPL) 始终以 436 nm 为中心 13, 14 。结果表明，这些缺陷与 4.1 eV 处的特征紫外线发射密切相关 9, 14-16 。对 hBN 进行预辐照，例如在氮气气氛中进行高温退火，可产生更高的特征紫外线发射产量，从而产生更多的蓝色色心 15 。此外，在低温下，与 hBN 中的其他量子发射器相比，这些缺陷具有稳定的发射，线宽为亚 GHz，光谱扩散最小 15 。最近，两