XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemdga
引用Possas C，Marques ETA，Oliveira A，Schumacher S，Antunes A和Homma A（2024）登革热疫苗最终游戏：为什么全球对指数的响应
登革热是一种复杂的arboviral疾病，可能在15世纪至17世纪在非洲的奴隶船上在美洲引入了美洲。登革热病毒（DENV）具有四种不同的亚型DENV1-4，属于Flaviviridae家族Flavivivirus属。严重的病例可以演变成登革热的出血热和登革热综合征，这些综合征通常是致命的，迄今为止尚无有效的治疗。近年来，全球报告了登革热病例的数量急剧增加，每年估计有1亿案病例，预计每3 - 4年一次爆发一次（1）。与全球情景有关的这种形成鲜明对比，与缺乏登革热疫苗可用性（2）来应对这种免疫接种需求。在我们的研究中，我们研究了当前的疫苗开发挑战，从知识治理的角度讨论了技术策略和生产规模，以克服这种僵局。最近在拉丁美洲和加勒比海国家的登革热爆发螺旋出现了很好的说明，案件和死亡人数的迅速增加。尽管以前成功地根除了伊德斯埃及埃及蚊子，但到1962年在美洲的18个国家 /地区，由于构想良好的大陆计划（1947-1970），但从1971年到1999年，蚊子的重新生产和恢复原状完全改变了该地区的流行病学情景。在巴西和拉丁美洲国家中已有近80％的全球案件报告。这些多方面因素已导致媒介的脱位和受感染的人群的发展自2023年初以来，巴西经历了严重的爆发，影响了巴西大多数国家，卫生部长从2024年1月至2024年6月，卫生部长报告了630万例登革热病例（DF）案件，数十年来最高的历史记录（3）。尽管如此，重要的是要强调，尽管在热带地区，这种流行病的集中度，但不应将登革热视为热带地区的独有。Aedes reintroduction and DF outbreak spirals in the Americas and other continents have been attributed to complex interactions of herd immunity with climatic and eco-social determinants, i.e., global warming, El Niño, accelerated urbanization, travel, migration, poverty, lack of basic sanitation, deforestation, and low priority given to vector control activities ( 4 ).
利用 GaAsSb、GaAsSbN 和 GaAlAs 进行带隙工程以用于 NIR 应用
摘要 带隙工程是开发光电器件的关键方法，特别是对于近红外 (NIR) 应用，其中精确控制材料的电子和光学特性至关重要。本研究探讨了三种 III-V 半导体合金——砷化镓锑 (GaAsSb)、砷化镓锑氮化物 (GaAsSbN) 和砷化镓铝 (GaAlAs)——在定制带隙以满足 NIR 器件特定需求方面的潜力。GaAsSb 通过调整锑含量提供可调带隙，使其成为 NIR 光电探测器和激光二极管的多功能材料。GaAsSbN 中的氮进一步降低了带隙，增强了其对长波长应用的适用性，并提供与 GaAs 基板更好的晶格匹配。GaAlAs 以其稳定性和与 GaAs 的兼容性而闻名，可用于形成异质结和量子阱，从而实现高效的载流子限制和发射控制。通过改变这些合金的成分，工程师可以实现精确的带隙调节，从而优化一系列 NIR 波长范围内的器件性能。本摘要强调了成分变化、应变工程和量子阱设计在开发先进 NIR 光电器件中的重要性。尽管存在材料质量和热管理等挑战，但这些材料的持续改进对电信、医学成像和传感技术中的下一代 NIR 应用具有重要意义。简介 带隙工程是半导体技术中的一项基本技术，可以精确操纵材料的电子和光学
碳化硅和其他宽带隙材料
《材料》（ISSN 1996-1944）于 2008 年创刊。该期刊涵盖 25 个综合主题：生物材料、能源材料、先进复合材料、先进材料特性、多孔材料、制造工艺和系统、先进纳米材料和纳米技术、智能材料、薄膜和界面、催化材料、碳材料、材料化学、材料物理、光学和光子学、腐蚀、建筑和建筑材料、材料模拟和设计、电子材料、先进和功能性陶瓷和玻璃、金属和合金、软物质、聚合物材料、量子材料、材料力学、绿色材料、通用材料。《材料》为投稿高质量文章和利用其庞大的读者群提供了独特的机会。
使用一维su-schrieffer-Heeger模型中的高级带镜
周期性晶格中的拓扑界面状态已成为电子，光子学和语音原理中的宝贵资产，这是由于它们固有的鲁棒性对障碍的固有性。与电子和光子学不同，Hypersound的线性分散关系为研究高阶带盖提供了理想的框架。在这项工作中，我们提出了一种设计策略，用于在GAAS / ALAS多层结构的高阶频带中生成和操纵拓扑纳米式界面状态。这些状态来自两个串联超晶格的频带反转，它们在带隙周围表现出倒置的空间模式对称性。通过调整这些超晶格中的单位单元的厚度比，我们能够在不同的带盖中设计界面状态，从而使能够开发跨越频率范围的多功能拓扑设备。此外，我们证明了此类界面状态也可以在混合结构中生成，这些结构将两个超晶格与以相同频率为中心的不同订单的带盖相结合。这些结构为探索高阶带盖中拓扑结构的途径开辟了途径，为揭幕和更好地理解复杂的拓扑系统提供了一个平台。
特刊——宽带隙半导体材料...
宽带隙 (WBG) 半导体材料，例如碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN) 或氧化镓 (Ga2O3)，使电力电子元件比硅基 (Si) 元件更小、更快、更可靠、更高效。目前，全球约有一半的总能源消耗是电力，预计到 2030 年，80% 的电力将通过电力电子设备流动。然而，基础科学和材料科学还有很大的发展空间；宽带隙材料确实无处不在；几乎整个地壳都是由宽带隙氧化物形成的，还有许多硫族化合物、卤化物、有机和生物材料也是宽带隙材料，还有许多其他可能性。本期特刊是一系列文章的集合，报告了最近获得的结果的简要评论以及在这一广泛研究领域产生的新发现。
xps的椭圆法和能量损失光谱的杂交用于带隙和光学常数测定sion薄膜中的
Joao Resende，David Fuard，Delphine Le Cunff，Jean-Herve Tortai，Bernard Pelissier。Hy-hy-hy-Bridations和XPS的能量损失光谱用于带隙和光学常数测定sion薄膜中。材料化学与物理学，2020，259，pp.124000。10.1016/j.matchemphys.2020.124000。hal-03017737
I G集成与V GS衍生方法之间的比较，用于宽带的快速短路2D诊断宽带隙功率晶体管
Yazan Barazi，Nicolas C. Rouger，FrédéricRichardeau。I G集成与V GS衍生方法的比较，用于用于宽带隙功率晶体管的快速短路2D诊断。模拟中的数学和计算机，2020，10.1016/j.matcom.2020.05.011。hal-02972905
微米单分散固体泡沫作为完整的光子带隙材料
摘要：具有微米孔的固体泡沫用于不同领域（过滤、3D 细胞培养等），但目前，控制其孔隙水平的泡沫几何形状、内部结构和单分散性以及机械性能仍然是一个挑战。现有的制造此类泡沫的尝试要么速度慢，要么尺寸受限（大于 80 μm）。在这项工作中，通过使用温度调节的微流体工艺，首次创建了具有高度单分散开放孔（PDI 低于 5%）的 3D 固体泡沫，其尺寸范围为 5 至 400 μm，刚度跨越 2 个数量级。这些特性为细胞培养、过滤、光学等领域的激动人心的应用开辟了道路。这里，重点放在光子学上。从数值上看，这些泡沫打开了三维完整光子带隙，临界指数为 2.80，因此与金红石 TiO 2 的使用兼容。在光子学领域，这种结构代表了第一个具有此功能的物理可实现的自组装 FCC（面心立方）结构。
基于电磁带隙谐振器的新型毫米波振荡器
如今，基于石英谐振器的参考振荡器的工作频率被限制在几百兆赫。从这样的参考振荡器中获取千兆赫范围的信号需要倍频或频率合成。然而，倍频过程会根据倍频系数的 20log 10 增加输出信号的相位噪声，同时也会增加电路的复杂性。从这个意义上讲，直接在毫米 (mm-) 波段的基频上产生 LO 信号是有利的。然而，这需要一个高质量 (Q-) 因子谐振器，最好在几千兆赫下工作。采用金属腔的传统无源谐振器的 Q 因子受到金属中的电阻损耗的限制。或者，基于陶瓷谐振器的直接在基频下工作的振荡器提供平均相位噪声，并且通常在 25 GHz 以上不可用。
