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人工智能死亡计算器（Life2vec）
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Teledyne e2v HiRel 空间传感器产品线
• 这是探测器触发时需要吸收的能量 • 机械尺寸：1.4” X 1” X0.04” • 重量 20 克 • 13 Vdc 至 40 Vdc 输入时 10 mA • 工作温度：-30 ºC 至 40°C • 可提供商用和 H 级等效筛选
Teledyne e2v HiRel 与 Integra Technologies Inc. 合作开发高压 GaN 器件
加利福尼亚州米尔皮塔斯 – 2021 年 3 月 2 日 – 领先的高可靠性半导体解决方案提供商 Teledyne e2v HiRel Electronics 今天宣布与总部位于加利福尼亚州的 Integra Technologies, Inc. (Integra) 建立新的高可靠性合作伙伴关系。根据新协议，Teledyne 将利用 Integra 的 GaN on SiC RF 功率晶体管产品组合，为太空市场提供优化的电源解决方案。通过与 Integra 的合作，Teledyne e2v HiRel 将专注于为 LEO 和 GEO 有效载荷市场的新兴太空应用提供高功率 RF 设备。Teledyne 还将为 Integra 面向国防市场的热门 GaN on SiC 功率设备和托盘提供高可靠性选项。Teledyne e2v HiRel 副总裁兼总经理 Brad Little 表示：“我们的太空客户要求 RF 功率设备具有更高的功率密度水平和更高的工作频率。” “我们在提供空间射频组件方面的专业知识与 Integra 的高性能射频 GaN 器件技术和产品组合相结合，将为空间有效载荷工程师提供最先进的功率器件，以插入他们的应用中。” Integra 首席执行官 Suja Ramnath 表示：“Integra 拥有数十年的成功经验，我们凭借世界一流的射频功率产品为各种国防和商业雷达系统提供支持。” “我们很高兴与 Teledyne e2V 合作，后者是高可靠性领域的市场领导者，拥有深厚的专业知识，我们将独特的 GaN on SiC 技术和产品的应用扩展到不断增长的空间市场。”
Teledyne e2v HiRel 推出 650 V 系列两款高功率 GaN HEMT
适用于高可靠性应用的高压 GaN HEMT 现提供 15 A 和 30 A 低电流版本 加利福尼亚州米尔皮塔斯 – 2021 年 1 月 6 日 – Teledyne e2v HiRel 正在为其基于 GaN Systems 技术的业界领先的 650 伏高功率产品系列添加两款新型加固型 GaN 功率 HEMT（高电子迁移率晶体管）。两款新型高功率 HEMT TDG650E30B 和 TDG650E15B 分别提供 30 安和 15 安的低电流性能，而去年推出的原始 650 V TDG650E60 可提供 60 A 的电流。这些 650 V GaN HEMT 是市场上可用于要求高可靠性的军事、航空电子和太空应用的最高电压 GaN 功率器件。它们非常适合电源、电机控制和半桥拓扑等应用。它们采用底部冷却配置，具有超低 FOM Island Technology® 芯片、低电感 GaNPX® 封装、>100 MHz 的超高频开关、快速且可控的下降和上升时间、反向电流能力等。Teledyne e2v HiRel 业务开发副总裁 Mont Taylor 表示：“我们很高兴继续为太空等需要最高可靠性的应用推出 650 V 系列高功率 GaN HEMT。我们相信，这些新器件的较小尺寸封装将真正使客户受益于设计最高功率密度项目。”TDG650E15B 和 TDG650E30B 都是增强型硅基 GaN 功率晶体管，可实现大电流、高击穿电压和高开关频率，同时为高功率应用提供非常低的结到外壳热阻。氮化镓器件已经彻底改变了其他行业的电源转换，现在采用耐辐射的塑料封装，经过严格的可靠性和电气测试，以确保关键任务的成功。这些新型 GaN HEMT 的发布为客户提供了关键航空航天和国防电源应用所需的效率、尺寸和功率密度优势。对于所有产品线，Teledyne e2v HiRel 都会针对最高可靠性应用进行最严格的认证和测试。对于功率器件，此测试包括硫酸测试、高海拔模拟、动态老化、高达 175°C 环境温度的阶跃应力、9 伏栅极电压和全温度测试。与碳化硅 (SiC) 器件不同，这两种器件可以轻松并联实现，以增加负载电流或降低有效 RDSon。这两种新器件现在都可以订购和立即购买。