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钙钛矿发光二极管迈向商业化全...
金属卤化物钙钛矿发光二极管 (PeLED) 具有宽色域、高发光效率和低成本合成等特点，是下一代显示应用的有前途的光子源。自 2014 年首次展示室温发射的 PeLED 以来，其性能在几年内迅速提高，引起了学术界和工业界的广泛关注。在这篇综述中，我们讨论了 PeLED 在商业显示应用中的主要技术瓶颈，包括大面积 PeLED 制备、图案化策略和柔性 PeLED 设备。我们回顾了实现这些目标的技术方法，并强调了当前的挑战，同时对这些钙钛矿材料和 PeLED 设备进行了展望，以满足下一代高色纯度全彩显示器市场的需求。
UV-C使用UV-C发光二极管设备
使用在279 nm波长下运行的近填充光束。大肠杆菌对UV-C光的敏感性较低，并遵循第一阶动力学。大肠杆菌和鼠伤寒沙门氏菌的最大紫外线剂量为12 mJ cm-2。相比之下，单核细胞增生李斯特菌遵循了Weibull模型，最初剂量的肩膀明显。在最高的暴露水平上实现了4.4-LOG 10的最大降低。这项研究表明，UV-C LED设备代表了液滴中食源性微生物失活的绝佳选择。的结果清楚地表明，UV-C LED设备可以作为常规清洁实践的另一种卫生方法，该方法通常在食品行业中使用。
下一代可见光通信的可打印有机发光二极管：评论
摘要。可见光通信（VLC）是一项采用发光二极管（LED）的新兴技术，可以同时提供照明和无线数据传输。利用具有成本效益的可打印有机LED（OLEDS）作为VLC系统中环保发射器对光谱，物联网，感应和光学范围的未来应用非常有吸引力。在这里，我们总结了VLC中LED来源的新兴半导体材料的最新研究进度，并突出显示基于无毒和成本效益的有机半导体的OLED有很好的光学通信机会。我们进一步研究了为一般照明实现高性能的白色OLED的努力，尤其是关注基于OLED的VLC的研究状况和机会。还讨论了开发高性能OLED的不同解决方案处理的制造和打印策略。最后，提供了下一代有机VLC的未来挑战和潜在前景的前景。
通过原子/分子层沉积制备白光发光多镧系对苯二甲酸酯薄膜
原子层沉积 (ALD) 是微电子行业广泛采用的先进气相薄膜制造技术，用于晶体管和显示器等应用。25 在 ALD 中，不同的气态/汽化金属和共反应物前体被顺序脉冲输入反应腔，每个前体脉冲之后都进行惰性气体吹扫步骤，以在发生所需的表面反应后去除多余的前体分子。由于这些化学表面反应的自限性，ALD 可提供无针孔、高度均匀且保形的薄膜，并可在原子级厚度控制。用于有机薄膜的 ALD 对应方法也是最近才开发的，这种方法称为分子层沉积 (MLD)。26 MLD 采用纯有机气态/汽化前体。最重要的是，ALD 和 MLD 都是模块化的，这意味着为了沉积高质量的金属有机薄膜，可以结合使用 ALD 和 MLD 前体脉冲。 27,28 这种目前蓬勃发展的混合 ALD/MLD 技术已被用于制造数十种新型金属有机薄膜材料，这些材料表现出的有趣功能特性远远超出了纯无机或有机薄膜所能实现的功能特性。29 例如，ALD/MLD 生长的金属有机薄膜的机械性能通常比 ALD 生长的无机薄膜高出几个数量级，这在柔性电子应用等领域非常重要。30,31
gesn/ge Multiquantum − well垂直 - 发射p -i ...
图2：（a）SI基板上GESN MQW VCSE结构和GESN MQW的室温PL光谱。插图显示了参考GESN/GE MQW（S1）的峰值拟合。（b）从GESN/GE MQW VCSE结构和参考GESN/GE MQW的测得的室温PL光谱中提取的PL增强因子。测量的GESN/GE MQW VCSE结构的反射率谱。（c）GESN/GE MQW VCSE结构的模拟PL增强因子和反射率光谱。（d）GESN/GE MQW VCSE结构中的分布分布折射率和电场幅度，显示了光场和活动MQW区域之间的重叠。
调整具有应变耦合效果的Si Micropillar量子点发光设备阵列的光发射
使用光学信号摘要来实现应变信号的传感是触觉传感器的有希望的应用。但是，大多数研究现在都集中在Piezophotronic LED阵列上，这些LED阵列很难纳入基于SI的半导体行业。由于SI间接带隙引起的基于SI的设备的光电性能不佳，因此使用SI构造高密度发光设备一直是一件具有挑战性的。在这里，设计和制造了由P-SI微柱组成的基于SI的量子点发光装置（QLED）阵列，并研究了SI中应变偶联效应对基于SI基QLEDS的电致发光性能的机制。QD的引入很容易提供有效且可调节的光发射，并满足不同实际应用的要求。QLED的发射强度取决于注入的电流密度，并且可以通过应变耦合效应调节载体的运输过程。基于SI的光子设备与压力传感的组合可能会对电子皮肤和人类机器界面的领域产生重大影响。更重要的是，这项技术与主要基于SI的半导体行业完全兼容。因此，它在实现大规模的光子设备并扩展其应用程序场的整合方面表现出了希望。
III-氮化物 p 向下绿色（520 nm）发光二极管，带有...
1 俄亥俄州立大学电气与计算机工程系，美国俄亥俄州哥伦布 43210。2 Lumileds LLC，美国加利福尼亚州圣何塞 95131。3 俄亥俄州立大学材料科学与工程系，美国俄亥俄州哥伦布 43210。*通讯作者：rahman.227@buckeyemail.osu.edu 摘要：我们展示了通过高效隧道结实现的低开启电压 P 向下绿光 LED。由于 (In,Ga)N/GaN 界面中的极化场排列具有 p 向下方向，与传统的 p 向上 LED 相比，电子和空穴注入的静电耗尽势垒降低了。具有 GaN 同质结隧道结的单个 (In,Ga)N/GaN 异质结构量子阱有源区在 20A/cm 2 时表现出非常低的 2.42V 正向工作电压，当电流密度高于 100 A/cm 2 时，峰值电致发光发射波长为 520 nm。底部隧道结具有最小的电压降，能够实现向底部 p-GaN 层的出色空穴注入。III 族氮化物半导体在光电子学和电子学 1-12 中的广泛应用具有重要的技术意义，并已广泛应用于照明和显示应用。虽然过去十年来，紫/蓝光发射波长范围内的 GaN 基发光二极管的效率和功率输出有了显着提高，但较长波长的发射器仍然表现出较低的效率。对于为更长波长设计的发射器，(In,Ga)N 量子阱中的铟摩尔分数会导致与更大的晶格失配、量子阱内的缺陷以及阱-势垒界面处更高的极化片电荷密度相关的挑战，所有这些都会导致器件性能下降。13-16
使用Ag掺杂的4,7-
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可调荧光发射，适用于多色发光二极管和声控智能照明应用
智能家居/城市是物联网的重要体现之一，2 涉及各种类型的电子设备，如智能照明系统、3、4 音频视频设备和安全系统。5 其中，语音激活智能照明可以翻译语音命令，实现对灯光的控制。目前，发光二极管 (LED) 和有机发光二极管 (OLED) 已成为智能家居/城市的流行照明系统，6 而具有可调色发射的有机荧光材料是 OLED、7 生物传感、生物成像、8、9 防伪等潜在应用的重要组成部分。 10 与无机荧光粉相比，有机材料具有精确的分子结构，且分子骨架易于修改，有利于获得具有奇妙光物理性质的各种荧光材料，例如稳定的发光自由基、11 颜色可调的发射，以及单线态裂变、12 室温磷光 13 等。14,15 因此，人们致力于开发新型有机荧光材料，以实现具有先进应用的高科技有机电子器件。此外，已经构建了许多用于多色发射以及白光发射的可调荧光发射有机分子，例如比率响应发光材料、16
屏障厚度对INGAN/GAN非对称多量子孔结构的光电特性的影响
gan/gainn非对称多量子发光二极管具有不同潜在的屏障厚度（5和15 nm），通过使用金属有机化学蒸气沉积来生长。狭窄的屏障结构改善了设备的性能，包括电致发光积分强度的超线性增加，高电流密度下效率下降的降低，波长漂移的降低，向前电压的降低以及壁插头效率的提高。这是由于量子屏障的厚度变窄，这会导致量子井之间的电场较小，量子限制性鲜明效应的弱化，跨设备活动区域的载体分布更均匀，以及电子泄漏的抑制。