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扭曲的α-MOO3/石墨烯异质结构中的栅极调节混合极化子
摘要：调节各向异性声子极地（PHP）可以打开红外纳米光子学的新途径。通过极化杂交的有希望的PHP色散工程已通过将门控石墨烯与单层α -Moo 3耦合来证明。然而，与门依赖性杂交调制的基础机制仍然难以捉摸。在这里，使用IR纳米光谱成像，我们证明了光学响应函数的主动调节，并在测量杂交等离激元 - Phonon -Polaritons（HPPPS）的波长，振幅和耗散速率的栅极依赖性中进行了量化。有趣的是，尽管石墨烯掺杂导致HPPP波长，振幅和耗散速率的单调增加表明从最初的反相关减少到相关增加的过渡。我们将这种行为归因于HPPP复合动量的栅极相关组件的复杂相互作用。我们的结果为综合α -moo 3纳米素体设备的积极偏振子控制奠定了基础。关键字：栅极 - 调整，混合等离子体 - 声子极化子，扭曲的α-MOO 3，分散，s -snom
异质结构中的扭曲角 - 依赖性山谷极化切换
Moiré超级晶格在Van der Waals的异质结构中的扭曲工程可以操纵山谷中层Incepitons（IXS）的山谷物理学，为下一代谷化设备铺平了道路。然而，到目前为止，在电气控制的异质结构中尚未研究对山谷极化上激素电位的扭曲角度依赖性控制，需要探索下面的物理机制。在这里，我们证明了莫伊尔时期的极化切换和山谷极化程度的依赖性。我们还找到了揭示激子电势和电子孔交换相互作用的扭曲角度调节的机制，这些机制阐明了实验观察到的IXS的扭曲角度依赖性山谷极化。此外，我们根据极化开关实现了可谷化的设备。我们的工作通过在电控制异质结构中调谐扭转角来证明了IXS山谷极化的操纵，这为在互惠设备中开放了电气控制山谷自由度的途径。
在氧化铝上生长的纳米厚 ZnO/SnO2 异质结构可用于 H2S 传感
摘要：设计纳米级异质结构材料是增强气体传感性能的一种众所周知的方法。在本研究中，溶解在乙醇溶剂中的氯化锌和二水合氯化锡的混合溶液被用作初始前体，使用超声喷雾热解 (USP) 法在氧化铝基底上沉积传感层。通过在初始前体中应用不同的比例来生长几种 ZnO/SnO 2 异质结构。这些异质结构被用作传感 H 2 S 气体分子的活性材料。结果表明，USP 前体中氯化锌的增加会改变传感器的 H 2 S 灵敏度。发现最佳工作温度为 450°C。传感器的 USP 前体中含有 5:1（ZnCl 2:SnCl 2·2H 2 O）的比例，比纯 SnO 2（约 95 倍）样品和其他异质结构具有更高的响应。随后，还研究了 ZnO/SnO 2 异质结构对 5 ppm NO 2 、200 ppm 甲醇、100 ppm CH 4 、丙酮和乙醇的选择性。分析了 ZnO/SnO 2 的气敏机理，认为气敏性能的显著提高主要归因于 ZnO 和 SnO 2 之间异质结构的形成。还利用 X 射线衍射、扫描电子显微镜、能量色散 X 射线、透射电子显微镜和 X 射线光电子能谱分析了合成的材料，以研究 ZnO/SnO 2 异质结构的材料分布、晶粒尺寸和材料质量。关键词：气体传感器、ZnO/SnO 2 、异质结构、超声喷雾热解、H 2 S ■ 介绍
扭曲的范德华异质结构中的超导量子干扰
摘要：我们证明了约瑟夫森连接和超导量子干扰装置（Squid）的形成，使用干燥转移技术堆叠并确定性地错误地对机械地位，机械地对2的NBSE 2的植物进行了非对齐。发现所得扭曲的NBSE 2-NBSE 2连接的当前 - 电压特性对晶体学轴的未对准角度敏感，打开了一个新的控制参数，以优化设备性能，这在薄纤维 - 模拟式固定的连接处不可用。随后已经实施了单个光刻过程，以将约瑟夫森连接塑造成典型的环形区域约25μm2的鱿鱼几何形状，并且较弱的环节宽约600 nm。在t = 3.75 k时，在应用的磁场中，这些设备分别显示出较大的稳定电流和电压调制深度，分别为δi c〜75％和δv〜1.4 mV。关键字：范德华异质结构，约瑟夫森交界处，超导量子干扰装置，二维材料，NBSE 2 S
磁性绝缘体和超导体的有限大小异质结构的拓扑特性
二维（2D）板和一维（1D）纳米替伯苯格几何形状的磁性拓扑绝缘子（MTIS）和超导体（SCS）的异质结构已预计宿主分别为宿主，手给了Mathiral Majoragana（Maginala Majorana Edge States（CMESS）和Majorana Boundana Boundate（Majorana Boundate）。我们研究了这种MTI/SC异质结构的拓扑特性，随着几何形状从宽平板变为准1D纳米替比系统的变化，并随着化学电位，磁掺杂和诱导的超导配对电位的函数。为此，我们构建了有效的对称性受限的低能汉密尔顿人，以解决真实空间的结构。对于具有有限宽度和长度的纳米替物几何形状，我们观察到以CMES，MBS和共存的CMES和MBS为特征的不同相，因为化学电位，磁性掺杂和 /或宽度是不同的。
硕士论文：MXene/2D TMO 异质结构用于高倍率电化学
2D 纳米材料被定义为厚度为一个或几个原子的材料（图 1），其横向尺寸在纳米到微米尺度 1 。由于其出色的性能和多种新化学性质，它们为储能领域开辟了新前景 1 。在储能方面特别受关注的材料家族包括石墨烯 2、3、过渡金属氧化物 (TMO) 1、2D 过渡金属二硫属化物 (TMD) 4、5 和 MXenes（2011 年发现的一类 2D 过渡金属碳化物和氮化物）6。2D 纳米材料在超级电容器和高倍率电池中显示出巨大的应用潜力。2D 纳米材料具有固有的高表面积，可以进行化学功能化，具有离子嵌入能力，并且与最先进的传统电池材料不同，可以以惊人的倍率运行。此外，二维纳米材料机械强度高 6 ，堆积密度高 7, 8 ，是可穿戴电子产品中柔性、微型、超薄储能装置的理想选择。这是本项目追求的终极应用。
中间层激子的扩散和范德华异质结构中的传输
Abstract The assembly of monolayer transition metal dichalcogenides (TMDs) in van der Waals heterostructures yields the formation of spatially separated interlayer excitons (IXs) with large binding energies, long lifetimes, permanent dipole moments and valley-contrasting physics, providing a compelling platform for investigating and engineering spatiotemporal IX propagation with highly tunable动力学。进一步扭曲堆叠的TMD单层可以创建具有空间修改的带结构和不同的Moiré电位的长期周期性Moiré模式，具有定制的陷阱，这些陷阱可以引起与密度依赖性相变的强相关性，以调节激子运输。TMD异质结构中丰富的激子景观，加上Valleytronics和Twistronics的进步，对探索激子综合电路的巨大希望基于操纵激烈的扩散和运输。在这篇综述中，我们全面概述了了解IXS和Moiré激子的最新进展，特别关注了TMD异质结构中新兴的激子扩散和运输。我们强调通过各种方法对激子通量进行空间操纵，包括激子密度，介电环境，电场和结构工程，以进行精确控制。这种操纵激子扩散的能力为相互交流和信号处理提供了新的可能性，为在高性能光电上的激发应用铺平了道路，例如激发设备，valleytronic晶体管和光电探测器。我们终于通过概述了利用IX电流的观点和挑战来结束这项审查，用于下一代光电应用。
电荷密度波在Tise2 – Mose2异质结构中激活激活的激活激活的激活激活的激活激活的激活的激活的激活
分层材料可以组装新类的异质结构，其中不再需要晶格匹配。界面成为未开发物理的肥沃地面，因为可以通过接近效应耦合不同的现象。在本文中，当Mose 2与Tise 2相互作用时，我们确定了意外的光致发光（PL）峰。一系列依赖温度依赖性和空间分辨的PL测量结果表明，与中性激子相比，该峰是Tise 2 - Mose 2界面所独有的，能量更高，并且具有激子样特性。该特征在Tise 2电荷密度波转变下消失，这表明密度波在这种新激子的形成中起着重要作用。我们提出了有关该峰的起源的几个合理的方案，这些方案单独捕获了我们观察的某些方面，但无法完全解释此功能。因此，这些结果代表了理论社区的新挑战，并通过与电荷密度波的相互作用来设计一种令人着迷的方法来设计激子。©2022作者。所有文章内容（除非另有说明，否则都将根据创意共享归因（cc by）许可（http://creativecommons.org/licenses/4.0/）获得许可。https://doi.org/10.1063/5.0067098
钼二硫化物/双壁碳纳米管混合尺寸异质结构
钼二硫化物（MOS 2）是最相关的2D材料之一，主要是由于其半导体的直接带隙，使其成为电子，光电电子和光子学的有希望的材料。[8-10]同时，碳纳米管是研究精通的1D材料之一，可以提供高构成性和载体迁移率，[11,12]，这使它们成为与MOS 2的混合尺寸异质结构相关的。的确，一些努力为MOS 2 /碳纳米管异质结构做出了贡献。例如，具有MOS 2和单壁碳纳米管的异质结构已通过干燥转移制造，并制造了垂直的场效应晶体管，该晶体管与MOS 2 /石墨烯设备相比，栅极调制深度增加了三个数量级。[13]混合二维异质结构设备可以用作活跃显示器中的薄膜晶体管，但是所证明的干燥转移显然不是可扩展性生产的理想方法。为了解决这个问题，开发了通过化学蒸气沉积（CVD）在单壁碳纳米管上直接沉积。过渡金属氧化物和硫用作在单壁碳纳米管膜上沉积MOS 2或WS 2的前体。[14]在这项工作中，混合尺寸的侵蚀设备具有吸引人的电气性能和出色的机械稳定性。但是，研究在研究中忽略了混合二维异质结构的堆叠顺序，这些异质结构可以提供对异质结构和电极之间的联系的特征。在这里，我们首次报告了一种直接合成MOS 2 /双壁碳纳米管（DWCNT）< /div>的方法