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氧化的亚油酸代谢物在体外调节神经元形态发生
亚油酸（LA，18：2N-6）是最佳婴儿生长和脑发育的必不可少的营养。LA在大脑中的作用被认为是由称为氧化的LA代谢产物（Oxlam）的LA的氧化代谢产物介导的，但是缺乏直接支持这一假设的证据。这项研究调查了Oxlams是否调节关键神经发育过程，包括轴突生长，树突状树皮化，细胞活力和突触连通性。在产后第0-1天，雄性和雌性大鼠的原发性皮质神经元 - 培养物暴露于以下oxlams：1）13-羟基二十二核酸（13-hode）； 2）9-羟基涂蛋白酸（9-hode）; 3）9,10-二羟基二十二烯酸（9,10-dihome）; 4）12（13） - 环氧二烯酸（12（13） - epome）; 5）9,10,13-三羟基二十二烯酸（9,10,13-Trihome）; 6）9-氧化二糖二烯酸（9-氧化酸）; 7）12,13-二羟基二十二烯酸（12,13-dihome）。通过TAU-1免疫染色评估的轴突产物增长增加了9- hode，但在雄性神经元中降低了12,13-dihome。树突植物受到男性神经元中9- hode，9-oxoode和12（13）的影响，在雌性神经元中受到12（13） - epome的影响。Oxlams都没有显着改变细胞活力和突触连通性。总的来说，这项研究表明，选择的OXLAM以性别依赖性的方式调节神经元的形态，男性神经元更容易受到影响。
石墨烯上Ho3n@C80的单层。
X射线吸收是一种通过样品的元素构成来研究物质的方法。该方法对像2P（如2p）的共振内壳激发特别敏感！3D或3D！4F过渡，可以获得亚层敏感性。在这里，我们报告了总电子产量的Everhart - Thornley（ET）检测方案，该方案可在低光子通量下具有高质量的XAS，这是辐射敏感样品的曼陀罗。我们将ET电子产量检测方案应用于HO M 5和M 4边缘的HO 3 N@C 80内hode骨的单层量的X射线吸收。分子（如内叶列烯）是分子旋转型和电子产品的候选成分，其中XAS可能会揭示内侧单元的构象和磁性。1在当前的XAS应用中，我们研究了温度内部方向的可能变化，众所周知，单层内叶烯的平均方向可能在30 K和室温（RT）之间变化。2
JADAR项目根据关键原材料供应
关键技术（例如太阳能电池板，风力涡轮机和电池）需要关键材料，例如锂和稀土元素（REE）。因此，人们对未来获得这些材料的访问的担忧越来越大，迅速增加供应以匹配需求，价格上涨和波动性以及地缘政治问题的困难。在国家能源过渡计划中需要分析这些挑战并考虑到这些挑战。最近，由于需求不足和供应有限，最关键材料的价格上涨了。临界物质具有独特的特性，可用于不同的目的。欧盟和美国分别承认30个和35个关键的原始机构，但是镍，铜，锂和稀土金属（新近hode和疾病）由于其重要性和供应挑战而引起了特别的关注。这些材料的独特性能已经到了能源过渡的最前沿，这要归功于许多技术，包括风力涡轮机，太阳能电池板和电动汽车和储能的电池。确保足够数量的这些材料具有挑战性，原因有几个：
产品数据表
Electromagnetic compatibility Electrostatic discharge 4 kV criteria B contact discharge conforming to IEC 61000-4-2 Electrostatic discharge 8 kV criteria B air discharge conforming to IEC 61000-4-2 Conducted RF disturbances 10 V, 0.15...80 MHz criteria A conforming to IEC 61000-4-6 Radiated radio-frequency electromagnetic field immunity test 10 V/m, 80 MHz...1 GHz criteria A conforming to IEC 61000-4-3 Surge immunity test 1 kV criteria B output ports line to line conforming to IEC 61000-4-5 Surge immunity test 2 kV criteria B output ports line to earth conforming to IEC 61000-4-5 Surge immunity test 1 kV criteria B input ports line to earth conforming to IEC 61000-4-5电气快速瞬态/爆发免疫测试2 KV，5KHz标准B输出端口符合IEC 61000-4-4的免疫力降低电压下降0％/20毫秒的标准B标准B符合IEC 61000-4-11符合IEC 61000-4-11的电压dips 40％/200毫秒40％/200 ms的IEC cormitia cormitia cormitia cormitia cormitia cormitia for IEC 61/200％IMM cormitia for IEC 611000-4-11/tos 611000-4-11/tot tot tot contips 611000-4-11/tot标准c符合IEC 61000-4-11对短中断0％/5 s标准的免疫力C符合IEC 61000-4-11符合IEC 61000-4-11电气快速瞬态/爆发免疫测试1 KV，5KHz标准，标准B输入端口符合IEC 61000-4-4-4-4-4辐射型电视范围3. V/HADED hode five fimber test 3 3 3 3辐射电位3.符合IEC 61000-4-3辐射排放30 ... 1000 MHz环境符合IEC 60947-1进行排放0.15 ... 30 MHz环境A符合IEC 60947-1