XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemhv
锂电池储能系统 TS-I HV 80
本安装和操作手册采用并补充了集成电池逆变器 TESVOLT PCS 技术文档中的信息，并且仅与相关原始制造商文档结合使用才有效。TESVOLT 对所采用信息的准确性和时效性不承担任何责任。本安装和操作手册绝不能替代电池逆变器原始制造商文档，并且不会免除安装人员、操作员和维护人员遵守电池逆变器原始制造商文档的义务。
Araldite AV 138 HV 998Araldite AV 138 HV 998
Huntsman Advanced材料仅保证您的产品符合您同意的规格。 div>典型的属性在声明时将被视为当前生产的代表，不应被视为规格。 div>材料制造商应遵守专利和专利申请；在本出版物中，操作专利程序的自由并不是隐含的。 div>尽管本出版物的所有信息和建议都是，凭借对亨斯曼先进材料的最佳知识，信息和定罪，确切的出版日期没有任何作为保证，明示或隐式的东西，包括但没有限制，在市场上或对特定目的的适用性。 div>在所有情况下，用户有责任确定上述信息和建议的适用性以及任何产品的特定目的的便利性。 div>本出版物在制造过程中提到的产品的行为和对任何确定的最终环境的舒适度取决于各种条件，例如化学兼容性，温度和其他变量，而亨斯曼高级材料不知道这些条件。 div>根据有效的最终使用，充分并充分警告买家和用户这一事实的要求，用户有责任评估制造环境和最终产品。 div>产品可能有毒，可能需要特殊的操纵预防措施。 div>和Huntsman高级材料（欧洲）BVBA在欧洲，但不限于它们。 div>必须从Huntsman高级材料中获取安全数据表，其中包含详细的毒性信息以及正确的发送，操纵和存储的程序，并且必须遵守所有适用的保险和环境标准。 div>与其他材料一起使用时，产品的危险，毒性和行为可能会有所不同，并偏离制造环境或其他过程。 div>这些危险，毒性和行为必须由用户确定，并且必须考虑到操纵器，处理器和最终用户。 div>除非明确同意相反的同意，否则本出版物中提到的产品的销售应受亨斯曼高级材料有限责任公司或其子公司销售的一般条款和条件，包括不受限制的亨斯曼先进材料（欧洲）BVBA BVBA，亨斯曼高级材料美洲材料和亨特·曼（Huntsman Americas Inc. and Hunts-Man Advanced Materady（Hong konkong Kong Kong Kong）） Huntsman Advanced Materials是Huntsman Corporation的国际业务部门。 div>亨斯曼高级材料通过不同国家 /地区的亨斯曼子公司，包括美国的Huntsman AdventaAraldite®和Aradur®是Huntsman Corporation或其子公司的注册商标和/或被许可人。 div>保留所有权利。 div>
高压 GaN 的科学应用 2024 年 9 月
Integra 的独立托盘功能继续改变 SSPA 格局。随着 SWaPC 2 的飞跃，我们看到之前购买系统的主要人员开始设计自己的系统，因为 Integra 的 HV GaN 大大降低了系统复杂性
Deye电池61.44KWH HV BOS-G SET
电池类型LIFEEPO4（LFP）标称电压51.2VDC标称容量100AH标称能量5.12KWH标称电荷/排放电流/排放当前100A最大电量/排放电流125A电流125A电荷温度0〜50°C放电温度-20°C 55°C 55°C储存温度0〜35°C IP20 ip20 ip20 ip20 ip20 immimes ip20*57*57*57*57*57*57*57*440*40*440*440*440*440*440*440*
SIMOTICS HV 水线 - 数字资产管理 - 西门子
可能会有变更和错误。本文档中提供的信息仅包含一般描述和/或性能特征，可能并不总是具体反映所描述的内容，或者在产品进一步开发过程中可能会发生修改。所要求的性能特征仅在签订的合同中明确约定时才具有约束力。
N 型隔离 CMOS 和 HV MOSFET 的开发
摘要 — 本文报告了一种完全集成但隔离的低压 (LV) CMOS 与高压 (HV) 横向功率 MOSFET 的设计和工艺流程，该 CMOS 位于 6 英寸 4H-SiC 基板上，用于开发 HV SiC 功率 IC。用于开发功率 IC 的外延堆栈（N + 基板上的 N - 外延/P - 外延）经过优化，以容纳和隔离 HV 器件和电路与 LV 器件和电路。本文报告的器件是在位于加利福尼亚州圣何塞的 150 毫米生产级 Analog Devices Inc. (ADI) Hillview 制造工厂制造的。本文中的 HV 横向 NMOSFET 在栅极源电压 (V gs ) 为 25V 时表现出 620V 的击穿电压 (BV) 和 9.73 mΩ⸱cm 2 的特定导通电阻 (R on,sp )。采用单栅极氧化物和欧姆工艺制造 HV NMOS 和 LV CMOS 器件和电路。实施了结隔离，以隔离高压和低压块，从而设计高压电源 IC。最后，这项工作实施了高压三金属层后端 (BEOL) 工艺，这是开发可靠和坚固的电源 IC 的必要条件。对于未来的高温应用，器件的静态性能经过表征，并报告高达 200 o C 的温度。
Sungrow HV电池有限保修条款和条件
Sungrow Service Rebate sungrow Service Service Rebate可能有资格替换有缺陷的电池，该电池已返回到Sungrow，并在通过Sungrow进行测试和检查后将其视为有缺陷的工艺或材料有缺陷。标准服务折扣最高可用于电池的GST 200美元（请参阅Sungrow Surgate Rebate Service的最新费用）。如果需要多次现场访问，则安装人员必须在网站访问之前与Sungrow联系。如果不包括标准服务回扣的任何额外费用，安装人员需要通知Sungrow以讨论成本。如果该站点是偏远区域，或者如果安装人员无法在现场参加，Sungrow建议索赔人找到当地电工来参加该网站。服务回扣必须在批准保修索赔之日起6个月内索赔。有关更多详细信息，请联系Sungrow。
AW AW 106用户HV 953 U
根据胶合件的要求，可以在较宽的范围内修改指示的混合物比例。 div>获得半脱粒接头和高化学耐药性，分别通过树脂 /拧紧的混合比分别为100：50。 div>为了组装出强烈振动的碎片，混合比为100：100零件，重量，产生更灵活的接头。 div>为了促进组件的混合物，建议先前调节它们的平均温度为20-25°C。 div>温度大于35°C-它们迅速缩短了混合物的使用寿命。 div>应混合两个组件，直到使用平坦的刮刀和干净且可倾斜的容器，直到没有空气，团块或妊娠纹的均匀质量，没有空气，团块或妊娠纹。 div>也可以在低rpm下机械混合，避免了过多的空气掺入。 div>注意：质量为100 g至20ºC的混合物的有用寿命约为。 div>120分钟。 div>超过此期间必须排除剩余材料。 div>
SIMOTICS HV Waterline - 数字资产管理 - 西门子
可能会有变更和错误。本文档中提供的信息仅包含一般描述和/或性能特征，可能并不总是具体反映描述的内容，或者在产品进一步开发过程中可能会发生修改。所要求的性能特征仅在签订的合同中明确约定时才具有约束力。
TS HV 30-80 E 锂电池存储系统
借助广泛的定制选项，您可以实现最复杂的应用要求。为此，您需要合适的可配置硬件：TESVOLT Energy Manager。将其与 myTESWORLD 门户或应用程序的广泛监控和控制选项相结合，为要求苛刻的用户开辟了无数可能性。使用 TESVOLT EMS 对您的存储系统进行分区，并应用多用途功能来组合几乎所有应用程序，配置存储系统和 EMS，以实现整个发电机系统的最佳效率。最重要的是 - TS HV 30-80 E 存储系统可让您集成任何制造商的发电机和消费者。