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航天级、100krad、电压控制电流源 (...
• 对 R Sense 使用高精度、低漂移电阻。 • 应考虑 R Sense 功率额定值，以确保在所需电流负载下不会发生故障。 • 如果存在较大的电阻负载，则可以使用单独的高压电源来驱动电流到负载。 • 根据美国国家航空航天局 (NASA) 在文件 EEE-INST-002（2008 年 4 月）中以及欧洲空间标准化合作组织 (ECSS) 在文件 ECSS-Q-ST-30-11C Rev.1（2011 年 10 月 4 日）中提供的降额规范，选择了 5V 的 LMP7704-SP 电源电压。这些文件分别规定将线性 IC 的绝对最大电源电压降额至少为 80% 和 90%。 • 为了正常运行，必须将电源去耦。对于电源去耦，TI 建议将 10 nF 至 1 µF 电容尽可能靠近运算放大器电源引脚放置。对于所示的单电源配置，请在 V+ 和 V– 电源引脚之间放置一个电容。旁路电容的 ESR 必须小于 0.1Ω。
航天级、100krad、100V、高侧电流感应电路 (Rev. A)
• PMOS 选择 1. PMOS 的阈值电压 |V th | 的绝对值需要足够小，以便运算放大器能够打开和关闭 PMOS 栅极。 2. PMOS 的零栅极电压漏极电流 (I DSS ) 定义栅极电压等于 V bus 时的漏电流。I DSS 设置较低的 V out 范围。 3. 如果从运算放大器输出 (V o ) 到栅极的线路电阻过大，则 PMOS 栅极电容会影响稳定性。此电容在 1/ ꞵ 曲线中增加了一个零点。如果零点位于 1/ ꞵ 和 Aol 截距点的左侧，相位裕度会减小。因此，最好使用小的栅极电容。 4. 根据军用标准，漏极-源极击穿电压必须是 V bus 的两倍，至少需要 200V 的击穿电压。
申请简介用低成本MSPM0 MCU
将N1拉到低状态时，N2和N1的电压显着低于VE，并导致Q1进行。这使INA进入下图中的虚线橙色箭头所示的逻辑低。低状态信号穿过隔离器，并导致Outa变低。N7处的电压通过蓝色箭头说明的二极管D2的前向偏置。但是，当N1变高时，由于N7和N5处剩余的低级信号，它的电压无法立即返回VCC1的水平，这会导致D1向前偏置。相反，N1升至阻断Q1的必要电势。它一直保持在此级别，直到Q1上的高阻抗使R4可以为隔离器输入INA提供高逻辑，从而释放N6和D3并导致N7升高。只有这样，N1才能返回到VCC1的级别。
对于使用 AST 产品的典型任务（在低地球轨道运行 10 年），考虑到其固有屏蔽，可以假设剂量高达 40 千拉德。
辐照在德国奥伊斯基兴的“弗劳恩霍夫自然科学技术趋势分析研究所”进行，使用最大剂量率为 720 krad/h 的 60 Co 源和单独的中子源。同位素 60 Co 经 β 衰变为 60 Ni，半衰期约为 5.3 年，后者通过发射能量为 1.172 MeV 和 1.332 MeV 的伽马射线衰变为镍的基态 [3]。弗劳恩霍夫 INT 的 THERMO-Fisher D-711 中子发生器通过以 150 kV 的电压将氘离子 (D = 2H) 加速到氘或氚靶 (T = 3H) 上来产生中子。在靶内发生DD或DT核聚变反应，分别释放氦同位素3He和4He，以及能量分别为2.5MeV和14.1MeV的快中子[4]。3.被测装置