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研究单个事件闩锁现象...
客观概述，实验设置，结果和讨论…….................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................16辐照设施和设置…………………………………………………………………………20 Single Event Latchup Results & Discussion…..………………………………... 21 ADS9818………………………………………………………………………………... 25 Device & Test Board Information…………..…………………………………… 25 Testing Facility & 设置…………..…………………………………………。…。27闩锁复制结果和讨论…..………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………… 设置…………..……………...………………………。…。30单个事件闩锁结果……………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………32
高性能辐射硬化NMOS仅基于Schmitt触发闩锁设计
基于缩放晶体管的抽象CMOS电路通常比采用大面积对应物的电路更容易受到辐射环境中能量颗粒引起的软误差的影响。在本文中，在Schmitt触发器上构建了一个软误差闩锁，它完全用NMOS晶体管实现，并提出了额外的电压助推器（我们称为NST-VB）。为了评估电路的辐射弹性，我们通过分析各种闩锁内部敏感节点的临界电荷来识别最敏感的节点。我们还检查了必需闩锁的线性能量传递（LET），并观察到NST-VB闩锁具有0：386mevcm 2 = mg的提高LET，与0：231mevcm 2 = mg和0：365mevcm 2 = mg 2 = mg 2 = mg 2 = mg 2 = mg，分别为latch and latch and st latch。在过程变化分析中，我们进一步检查了5K蒙特卡洛模拟，以分析设备可变性对我们的设计的影响，并观察到所提出的NST-VB闩锁具有1：96关于ST LATCH的可变性较小的关键电压。此外，NST-VB闩锁的逻辑闪烁概率为48.32％，而ST闩锁的逻辑概率为53.04％。此外，与其他考虑的闩锁相比，计算并评估了拟议闩锁有效性的功率延迟面积比（QPAR）的关键电荷。
使用通用nand-nor逆变器门来设计d-latch和d lip-flop in Quantum-dot Cellular Automata nanotechnology H. Alamdar A，G。Ardeshir A
降低CMOS技术尺寸并使数字设备更便携的过程，面临着诸如增加频率和减少功耗等严重挑战。因此，科学家正在寻找一种解决方案，例如用其他技术替换CMOS技术，包括量子点蜂窝自动机（QCA）技术，许多研究通过使用QCA技术设计了数字电路。触发器是大多数数字电路中的主要块之一。在本文中，QCA技术中提出了D型触发器（D-FF），其大多数门已在其反馈路径中用于重置。D-FF是由提出的D闩锁设计的，该闩锁基于NAND-NOR-逆变器（NNI）和一个新的逆变器门，该逆变器门具有24个单元格和0.5时钟循环延迟和0.02μm2面积。D-FF的新逆变器门具有高极化水平，面积较高，比以前的逆变器较低，而D-FF的NNI门是通用门。D-FFS带有复位引脚的应用之一是使用相频率检测器（PFD）。在拟议的方案中，由于可以设计PFD结构，因此已将重置功能添加到D-FF中。通过Qcadesigner软件评估所有提出的方案，并使用QCAPRO软件估算所有提议的电路的能源消耗模拟。
纳米 - 卫星外部太阳能的单个事件闩锁检测
本文介绍了纳米 - 卫星外部太阳辐射系统的单个事件闩锁检测（SEL）检测。在这项研究中，使用电路测试和仿真进行了SEL检测分析。电力子系统（EPS）是所有立方体总线子系统的一部分，它包括太阳阵列，可充电电池和电源控制和配电单元（PCDU）。为了提取太阳阵列产生的最大功率，需要一个峰值功率跟踪拓扑。这可能会导致SEL，并存在太阳能产生的高压。要克服SEL问题，必须进行电路测试和仿真，以便可以轻松检测和减轻SEL的流动。使用的方法是使用微控制器，将在特定时间内创建SEL。可编程的集成电路（PIC）用于减轻SEL效果。表明，SEL发生在特定时间内非常快。当使用Spenvis进行仿真时，结果显示，仅在UITMSAT-1上影响单个事件障碍（SEU）。