XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemmicroprocessor
高性能 64 位 HPSC 微处理器 (MPU) ...
• 超过 40 年的历史和无与伦比的飞行传统 • 不同 ESA 控制委员会和工作组的成员 • 得到当地机构 CNES、DGA（法国）、DLR（德国）、英国政府的支持 • 为欧盟委员会资助的项目做出贡献 • 法国、爱尔兰和德国的 ESCC / DLA 合格供应链（目标）
HERMES：高性能可编程微处理器的认证和软件生态系统的开发
摘要 — 欧洲为提高空间服务领域的竞争力而做出的努力促进了先进软件和硬件解决方案的研究和开发。欧盟资助的 HERMES 项目通过鉴定抗辐射、高性能可编程微处理器，以及开发有助于在这些平台上部署复杂应用程序的软件生态系统，为这项工作做出了贡献。该项目的主要目标包括使抗辐射 NG-ULTRA FPGA 达到技术就绪级别 6（即在相关环境中经过验证和演示），该 FPGA 采用陶瓷密封封装 CGA 1752，由欧洲航天局、法国国家空间研究中心和欧盟的项目开发。该项目同样重要的部分是致力于开发和验证支持多核软件编程和 FPGA 加速的工具，包括用于高级综合的 Bambu 和带有用于虚拟化的一级引导加载程序的 XtratuM 虚拟机管理程序。
HERMES：高性能可编程微处理器的认证和软件生态系统的开发
摘要 — 欧洲为提高空间服务领域的竞争力而做出的努力促进了先进软件和硬件解决方案的研究和开发。欧盟资助的 HERMES 项目通过鉴定抗辐射、高性能可编程微处理器，以及开发有助于在这些平台上部署复杂应用程序的软件生态系统，为这项工作做出了贡献。该项目的主要目标包括使抗辐射 NG-ULTRA FPGA 达到技术就绪级别 6（即在相关环境中经过验证和演示），该 FPGA 采用陶瓷密封封装 CGA 1752，由欧洲航天局、法国国家空间研究中心和欧盟的项目开发。该项目同样重要的部分是致力于开发和验证支持多核软件编程和 FPGA 加速的工具，包括用于高级综合的 Bambu 和带有用于虚拟化的一级引导加载程序的 XtratuM 虚拟机管理程序。
SECP256R1对STM32微处理器上的椭圆曲线加密的实施和性能评估
摘要 - 在层面系统中使用物联网（IoT）设备的使用已越来越流行。这些设备随着人们的流行而容易受到网络攻击的影响。为了保护网络攻击而进行的加密操作对于在开放网络中产生快速结果而不是减慢网络流量至关重要。因此，为了提高通信安全性，在文献中进行了有关在物联网设备中使用不对称加密和对称加密一起进行的研究，以进行关键共享，加密，解密，数据签名以及验证签名数据等活动。在这项研究中，我们首先提出了从服务器操作的物联网设备的加密系统。然后，我们对提案进行绩效分析。尤其是，我们在SECP256R1椭圆曲线上评估了椭圆曲线Diffie-Hellman键交换和椭圆曲线数字签名算法，并通过32位STM32F410RB核开发板上的32位STM32F410RBIT STM32F410RBIT STM32F410RBIT STMICC库进行了Micro UECC库AES对称加密。索引条款 - 键交换，数字签名，椭圆曲线，secp256r1，iot
最终报告 - GR740 下一代微处理器飞行模型（NGMP 第 3 阶段）
STMicroelectronics 开发了一套针对 GR740 晶圆 (EWS) 的测试程序。所有用于生产飞行部件的晶圆都经过此程序测试，只有合格的晶圆才能进入装配线（飞行部件）。ST 未公布 EWS 程序内容的细节，因为他们认为这是其“技术诀窍”的一部分。ST 在筛选两个飞行质量批次时获得的产量反映了 EWS 对飞行部件制造的影响。总体而言，产量数字非常好。
采用面对面晶圆键合技术的三维堆叠高性能商用微处理器的热分析
摘要 — 3D 集成技术在半导体行业得到广泛应用，以抵消二维扩展的局限性和减速。高密度 3D 集成技术（例如间距小于 10 µ m 的面对面晶圆键合）可以实现使用所有 3 个维度设计 SoC 的新方法，例如将微处理器设计折叠到多个 3D 层上。但是，由于功率密度的普遍增加，重叠的热点在这种 3D 堆叠设计中可能是一个挑战。在这项工作中，我们对基于 7nm 工艺技术的先进、高性能、乱序微处理器的签核质量物理设计实现进行了彻底的热模拟研究。微处理器的物理设计被分区并以 2 层 3D 堆叠配置实现，其中逻辑块和内存实例位于不同的层（逻辑位于内存上的 3D）。热仿真模型已校准到采用相同 7nm 工艺技术制造的高性能、基于 CPU 的 2D SoC 芯片的温度测量数据。模拟并比较了不同工作负载条件下不同 3D 配置的热分布。我们发现，在不考虑热影响的情况下以 3D 方式堆叠微处理器设计会导致在最坏情况下的功率指示性工作负载下，最高芯片温度比 2D 芯片高出 12°C。这种温度升高会减少在需要节流之前运行高功率工作负载的时间。但是，逻辑在内存上分区的 3D CPU 实现可以将这种温度升高降低一半，这使得 3D 设计的温度仅比 2D 基线高 6°C。我们得出结论，使用热感知设计分区和改进的冷却技术可以克服与 3D 堆叠相关的热挑战。索引术语 —3D 堆叠、面对面、热
回顾无处不在的人工智能微处理器架构的进步——人工智能实施的历史、演变和未来挑战概述
摘要：人工智能 (AI) 已成功进入当代工业领域，如汽车、国防、工业自动化 4.0、医疗技术、农业和许多其他领域，因为它能够在没有持续人工干预的情况下自主行动。然而，这种能力需要处理大量的学习数据来实时提取有用的信息。围绕人工智能的讨论并不新鲜，因为这个术语在过去半个世纪里已经广为人知。20 世纪 60 年代，科学家开始思考让机器更像人类，从而开发出第一台自然语言处理计算机。它奠定了人工智能的基础，但由于处理速度、内存和计算能力的限制，直到 20 世纪 90 年代，只有少数应用程序。自 20 世纪 90 年代以来，计算机架构和内存组织的进步使微处理器能够提供更高的性能。同时，对人工智能的理解和数学表示的改进催生了它的子集，称为机器学习 (ML)。机器学习包括不同的自主学习算法，其中最有前景的算法是基于受大脑启发的技术，被称为人工神经网络 (ANN)。随后，ANN 逐渐发展出更深更大的结构，通常被称为深度神经网络 (DNN) 和卷积神经网络 (CNN)。随着多核处理器的出现，机器学习技术开始被嵌入到各种场景和应用中。最近，不同的微处理器也支持针对人工智能应用的特定应用指令集架构。因此，微处理器功能的不断改进已经达到了可以实现复杂的实时智能应用的阶段，例如计算机视觉、对象识别、语音识别、数据安全、频谱感知等。本文概述了人工智能的发展，以及微处理器不断增强的功能如何推动人工智能在众多应用领域的应用。本文还讨论了微处理器架构的未来趋势以及它们将如何进一步推动人工智能融入我们的日常生活。
VLSI设计（单元1）
1947 Bipolar Transistor invented by Bardeen, Brattain and Shockley at Bell Laboratories 1958 Simultaneous Development of Integrated Circuit by Kilby at Texas Instruments & Noyce and Moore at Fairchild Semiconductor 1961 First commercial digital IC available from Fairchild Semiconductor 1967 First Semiconductor RAM (64bits) discussed at the IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) 1968 Introduction of the first commercial IC operational amplifier the µA709 by Fairchild Semiconductor 1970 1-transistor dynamic memory cell invented by Dennard at IBM 1971 Introduction of the 4004 microprocessor by intel 1972 First 8-bit Microprocessor The Intel 8008 1974 First 1kBit memory chip, 8080 microprocessor 1978 First 16-bit Microprocessor 1984 1MBit Memory芯片
电路设计 - 知道这一切（Newnes，2008）。 ...
第20章：模拟成分转换器........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... ................................................................................... 633 20.4 Sample and Hold.................................................................................... 634 20.5 Real Parts............................................................................................... 636 20.6 Microprocessor Interfacing ..................................................................... 637 20.7时钟接口......................................................................................................................................................................................................................................................................................... 643 20.8串行接口............................................................................................................................. ADC ................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................. 653 20.14 Design Checklist .................................................................................... 655
