电荷掺杂代表调节材料特性的最成功的方法之一。常规化学掺杂不可避免地涉及淬灭疾病的侧面影响,有时会受到掺杂元素的选择限制。相反,静电掺杂使以干净的方式将载体注入材料;但是,在具有高背景载体浓度的材料中,由于筛选长度极短,静电掺杂的工作距离受到限制。在这项工作中,基于频段对齐的考虑,我们通过将srrruo 3的单单核电储存层插入srRuo 3 / ndnio 3的人工晶格,以各种周期性的定期级别的ndnio 3 matrix插入ndnio 3 matrix。通过X射线吸收光谱揭示了从SRRUO 3到NDNIO 3的电子转移,并随附轨道重建。这种电子掺杂大大调节了ndnio 3的金属 - 磁性和抗铁磁过渡。此外,在超级晶格中观察到散装的E'抗反磁性顺序,NDNIO 3层降低到单个单位细胞,该单元与界面离子交换相关,这与超级限制的强电子传递增强了。我们的工作提高了使用有效的调节掺杂定制人工氧化物材料的前景,这可能导致自然晶体无法实现的新兴功能。
图1。ndnio 2中的电荷顺序[24]:(a)从钙钛矿Ndnio 3(灰色)到Infinite-Layer ndnio 2(红色)的还原途径的示意图,具有各种中间状态(蓝色); (b) - (d)样品J的茎结果,可以在面板(d)中区分根尖氧空位,从而导致Q//≈(1/3,0)在傅立叶变换图像(b)中的超晶格峰; (e)在Q //≈(1/3,0)围绕Ni L 3边缘处的弹性RXS测量,实体和虚线分别是具有σ和π偏振入射X射线的数据; (f)在ND M 5边的RXS测量; (g),(h)带有样品C和D的固定波形的RXS信号的能量依赖性,阴影区域表示标称电荷顺序贡献。黑色和红色箭头突出显示了Ni 3D-RE 5D杂交峰和Ni L 3主共振,样品C的中间状态比样品D较大,从而导致超晶格峰更强。
可重构设备提供了按需编程电子电路的能力。在这项工作中,我们展示了在后制造的钙钛矿 NdNiO 3 设备中按需创建人工神经元、突触和记忆电容器,这些设备可以通过单次电脉冲简单地重新配置为特定用途。钙钛矿镍酸盐的电子特性对氢离子局部分布的敏感性促成了这些结果。利用来自我们的记忆电容器的实验数据,储层计算框架的模拟结果显示出在数字识别和心电图心跳活动分类等任务中的出色性能。使用我们的可重构人工神经元和突触,模拟动态网络在增量学习场景中的表现优于静态网络。按需设计大脑启发计算机构建块的能力为自适应网络开辟了新的方向。C
可重构设备提供了按需编程电子电路的能力。在这项工作中,我们展示了在后制造的钙钛矿 NdNiO 3 设备中按需创建人工神经元、突触和记忆电容器,这些设备可以通过单次电脉冲简单地重新配置为特定用途。钙钛矿镍酸盐的电子特性对氢离子局部分布的敏感性促成了这些结果。利用来自我们的记忆电容器的实验数据,储层计算框架的模拟结果显示出在数字识别和心电图心跳活动分类等任务中的出色性能。使用我们的可重构人工神经元和突触,模拟动态网络在增量学习场景中的表现优于静态网络。按需设计大脑启发计算机构建块的能力为自适应网络开辟了新的方向。C