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ARM 提供基于硬件的矢量浮点 (VFP) 协处理器,可加速浮点运算。ARM VFP 支持以 CPU 时钟速度执行单精度和双精度加法、减法、乘法、除法、乘法累加运算和除法/平方根运算。ARM VFP 可用于提高成像应用程序(如缩放、2D 和 3D 变换、字体生成、数字滤波器或任何使用浮点运算的应用程序)的性能。由于 ARM VFP 是由 ARM 开发和支持的协处理器,因此它在各种工具链、RTOS 和操作系统(如 Keil MDK 开发环境或 Linux)中都受到支持。ARM VFP 符合 IEEE 754 标准。
如果客户按照汽车规格和标准将产品用于汽车设计或使用,则 (a) 客户不得在恩智浦半导体对此类汽车应用、用途和规格提供产品保证的情况下使用产品;(b) 如果客户将产品用于超出恩智浦半导体规格的汽车应用,则此类使用风险完全由客户自行承担;(c) 客户设计并将产品用于超出恩智浦半导体标准保证和恩智浦半导体产品规格的汽车应用,由此导致的任何责任、损害或产品索赔失败,客户应全额赔偿恩智浦半导体。
NXP 的 KMI 系列磁阻 (MR) 转速传感器为所有应用提供了解决方案。它们是专为满足汽车系统需求而设计的,是完整的即用型模块,包括传感器、反向偏置磁铁和高级信号调节 IC。这些设备具有最大的设计灵活性,可选择输出信号和单独磁化的反向偏置磁铁。
Kinetis K28F MCU 子系列高性能 ARM® Cortex®-M4 MCU,带有 2 MB 闪存、1 MB SRAM、2 个 USB 控制器(高速和全速)、SDRAM 控制器、QuadSPI 接口和带内核电压旁路的电源管理控制器。 K28F 扩展了 Kinetis Micontroller 产品组合,使其具有大容量嵌入式存储器、高级外部存储器接口、性能和外设集成,同时保持了与以前 Kinetis 器件的高水平软件兼容性:• 扩展的存储器资源包括总共 2 MB 的可编程闪存和 1 MB 的嵌入式 SRAM,可用于支持数据记录和带显示屏的丰富人机界面的应用需求• 带内核电压旁路的电源管理控制器允许使用外部 PMIC,从而最大程度地提高系统的电源效率• K28F 利用 SDRAM 控制器和 QuadSPI 接口实现存储器扩展,从而从外部串行 NOR 闪存进行就地执行 (XIP)• USB 高速和无晶振全速控制器均集成了 PHY,以降低 BOM 成本• 集成的智能外设(如低功耗 UART 和定时器)以极低功耗模式运行,以优化系统的电池寿命
1 产品简介 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . ... 8 11.1 数据表状态 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ...
该设备可防止汽车环境中可能发生的电气瞬变。当电池线路上发生正瞬变时,设备将关闭(见图 7 和 8)。在这种情况下,电机不会短路。图 1 所示的反激二极管将保持存在。瞬变开始时输出级的状态由内部触发器保存。电池线路上的负瞬变(见图 7 和 8)将导致设置接地短路故障检测,因为它将导致设置输入端的电压低于接地短路阈值。但是,设备会在这些瞬变期间放电电解电容器。当产生的电源电压过低时,它将停止工作。
输出前缀:[] 最小热身运行次数:[1] 最小热身运行持续时间(秒):[0.5] 图表:[mobilenet_quant_v1_224.tflite] 输入层:[] 输入形状:[] 输入值范围:[] 输入层值文件:[] 允许 fp16:[0] 要求完全委派:[0] 启用 op 分析:[0] 最大分析缓冲区条目:[1024] 用于导出分析数据的 CSV 文件:[] 最大委派分区数:[0] 加载模型 mobilenet_quant_v1_224.tflite 输入模型文件大小(MB):4.2761 初始化会话用时 29.969 毫秒。运行基准测试至少 1 次迭代和至少 0.5 秒,但如果超过 150 秒则终止。 count=6 first=87280 curr=84477 min=84477 max=87280 avg=85015.3 std=1015 运行基准测试至少 50 次迭代和至少 1 秒,但如果超过 150 秒则终止。count=50 first=84593 curr=84484 min=84441 max=85168 avg=84582.6 std=148 平均推理时间(单位:美元):热身:85015.3,初始化:29969,推理:84582.6 注意:由于基准测试工具本身会影响内存占用,以下内容仅是模型在运行时实际内存占用的近似值。请自行判断。峰值内存占用(MB):init=7.03516 Overall=8.96875
NXP 的 KMI 系列磁阻 (MR) 转速传感器为所有应用提供了解决方案。它们是专为满足汽车系统需求而设计的,是完整的即用型模块,包括传感器、反向偏置磁体和高级信号调节 IC。这些设备具有最大的设计灵活性,可选择输出信号和单独磁化的反向偏置磁体。
此外,该 IC 还支持其他 125 kHz 转发器类型,使用幅度调制进行写入操作,使用 AM/PM 进行读取操作。接收器参数(增益因子、滤波器截止频率)可以根据系统和转发器要求进行优化。HTRC110 旨在轻松集成到 RF 识别读取器中。最先进的技术几乎可以完全集成必要的构建块。强大的天线驱动器/调制器与低噪声自适应采样时间解调器、可编程滤波器/放大器和数字化仪一起构成了完整的收发器单元,是设计高性能读取器所必需的。三针微控制器接口用于编程 HTRC110 以及与转发器的双向通信。通过连接数据输入和数据输出,可以将三线接口变为两线接口。