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在原子薄的半导体中巨大的法拉第旋转
Faraday旋转是固体，液体和气体的磁光反应中的基本效应。具有较大Verdet常数的材料在光学调节器，传感器和非转录器件（例如光学隔离器）中应用。在这里，我们证明了光的极化平面在中等磁力的HBN封装的WSE 2和Mose 2的HBN封装的单层中表现出巨大的法拉第旋转，在A激子转变周围表现出了几个度的巨大旋转。对于可见性方案中的任何材料，这将导致最高已知的VERDET常数为-1.9×10 7 deg T -1 cm -1。此外，与单层相比，HBN封装的双层MOS 2中的层间激子具有相反的符号的大型Verdet常数（VIL≈+2×10 5 deg T-1 cm-2）。巨大的法拉第旋转是由于原子较薄的半导体过渡金属二进制基因源中的巨大振荡器强度和激子的高g因子。我们推断出HBN封装的WSE 2和Mose 2单层的完全平面内复合物介电张量，这对于2D异质结构的Kerr，Faraday和Magneto-Circular二分法谱的预测至关重要。我们的结果在超薄光学极化设备中的二维材料的潜在使用中提出了至关重要的进步。
生成式人工智能如何改变半导体行业
如今，GenAI 带来的许多生产力和效率改进可以帮助设计师、研究人员和开发人员加速低风险工作流程，同时让人类专家参与其中。除了这些唾手可得的成果之外，越来越多的自动化成为可能，在增加部署风险的同时，减少了昂贵的人工参与。例如，GenAI 可用于立即生成罕见缺陷模式的扫描电子显微镜 (SEM) 图像。然后，这些生成的图像可用于训练下游缺陷检测算法。长期机会可能来自系统范围的工作流程变化，例如材料设计、电路路径查找、工厂模拟、运营优化和通过模拟代理进行动态定价，这需要大量的领域专业知识和大量投资；如此巨额的投资可以带来更大的市场领先机会，并带来更高的投资回报率 (ROI)。
Terahertz操纵2D半导体中的激子复合物
富含库仑结合的准粒子的物理学，例如激发剂和过渡金属二甲基元素单层中的trions，目前在冷凝的物质群落中正在进行深入研究。这些准颗粒在100 MEV的顺序上具有较高的结合能，表现出强烈的光耦合，并且可以将量子信息存储在自旋valley自由度中[1]。实现超快时间标准上激素状态的外部控制的策略已成为重要的研究途径。在这里，我们报告了在HBN封装的Mose 2单层中观察到瞬态Trion到脱位的转换（图1a）是由在红外自由电子激光设施（Felbe）（Felbe）[2，3]产生的Picsecond TimeScales上的强烈Thz脉冲引起的。随后通过用条纹摄像头记录时间分辨的光量（TRPL）光谱来监测激子动力学。可见的脉冲（= 400 nm）激发了激动的激子和Trions的种群（图1b，无脉冲脉冲的trpl光谱）。通过在大约30次皮秒延迟后添加THZ脉冲相对于可见的激发（图1C），我们观察到Trion发射的淬火和激发激素发射的暂时增亮。此外，通过调整Thz脉冲的频率，我们记录了TRIONS的THZ解离光谱（图1d）。重要的是，当THz光子能量等于或高于Trion结合能时，可以观察到有效的Trion TRION转换。在其他机构中观察到THZ辐射的相似影响，例如WSE 2单层和Mose 2 /WSE 2异质结构。总的来说，结果为低维材料中的许多粒子状态的外部控制开辟了有希望的途径。
对不断发展的半导体供应链的观点
电子制造服务生态系统包括制造芯片所需的价值链输入。这些过程输入包括设计自动化，专业材料，晶圆厂生产以及外包半导体组件和测试（OSAT）。共同采用这些电子制造服务（EMS）在整个半导体供应链中起着至关重要的作用。其他行业的客户在很大程度上依赖EMS公司，尤其是那些不来自其他技术相关行业的公司，以满足其与半导体有关的需求。鉴于EMS公司如何将其转变为整体半导体供应链，EMS是全球半导体贸易的主要促进者，并且可能具有巨大的营运资金需求。
基于金属氧化物半导体传感器的电子鼻在医学诊断中的应用
由于恶性疾病往往导致高死亡率，目前迫切需要开发创新的医疗诊断技术，因为现有方法存在局限性，包括非侵入性、无法实时监测以及相关的设备成本高昂。具体来说，呼吸分析在过去二十年中受到了极大的关注。呼出气中的挥发性有机化合物（VOC）可以反映人体的代谢和生理过程。因此，电子鼻（E-nose）由气体传感器阵列、信号采集、预处理单元和模仿人类嗅觉的模式识别算法组成，可以通过准确分析呼出气指纹来诊断疾病，显示出其无创、实时监测、快速诊断和低成本等不可替代的特点。通过结合金属氧化物半导体（MOS）气体传感器的优点（响应速度快、价格实惠、灵敏度高），MOS电子鼻的优势进一步增强。本文主要介绍用于检测挥发性有机化合物的金属氧化物半导体气体传感器。综述了二元和三元金属氧化物传感材料的传感原理和改性方法。本文还综述了用于检测癌症和呼吸系统疾病的金属氧化物半导体电子鼻。
2D半导体中激子功能的量子控制
激子 - 结合的电子孔对 - 扮演在光结合相互作用现象中的核心作用，对于从光收集和发电到量子信息处理的广泛应用至关重要。固态光学的长期挑战是实现对激发运动的精确和可扩展的控制。我们提出了一种使用纳米结构的栅极电极来创建2D半导体中激子的潜在景观的技术，从而使纳米级的原位波函数启用了原位波函数。我们的方法形成了各种几何形状（例如量子点，环及其阵列）中激子的静电陷阱。我们显示出空间分离的量子点的独立光谱调整，尽管材料障碍，但仍达到了堕落。由于2D半导体中激子的强光耦合，我们观察到光学反射和光致发光测量中受到约束激发波函数的明确特征。这项工作解锁了在纳米尺度上进行启动激子动力学和相互作用的可能性，对光电设备，拓扑光子学和量子非线性光学元件产生了影响。
工程胶体半导体纳米晶体用于量子信息处理
量子信息处理（依赖于自旋缺陷或单光子发射）显示了原则证明实验中的量子优势，包括电磁场的显微成像，电磁场的应变和温度，从电池研究到神经科学。然而，关键差距仍然存在于更广泛的应用的路径上，包括需要改善功能化，确定性放置，大小同质性和更大的多功能性能可编程性。胶体半导体纳米晶体可以在多年的合成和功能化进步之后，在许多应用领域弥合这些差距。在这篇综述中，我们专门关注三个关键主题：与长寿命旋转状态的光学接口，确定性的放置和传递，以超过标准量子极限，以及对多功能胶体量子电路的扩展。
机柜批准另外三个半导体单元
由总理Shri Narendra Modi主持的工会内阁批准了“在印度的半导体和展示制造生态系统的开发”下建立了三个半导体单位。所有三个单元将在接下来的100天内开始施工。
金属半导体性能增强... - DR-NTU
AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 结构具有出色的电气和材料特性，使其成为制造高性能紫外光电探测器 (UV PD) 的理想选择，尤其是使用金属-半导体-金属 (MSM) 配置时。然而，MSM 设计的金属布局和多堆栈 HEMT 中的晶体缺陷会降低光电流并降低器件性能。具有不同纳米特征的 AlGaN/GaN 表面纳米结构化是一种很有前途的方法，可以提高光吸收效率并增加器件响应。在这项工作中，我们展示了通过使用周期性纳米孔阵列设计表面来增强性能参数的 AlGaN/GaN HEMT MSM 紫外光电探测器。光学模拟用于优化纳米孔周期性和深度的设计。我们制造了具有不同纳米孔深度的无图案化和纳米孔图案化器件，并且随着纳米孔的加入，它们的性能得到了显着增强。具有 40 nm 深纳米孔和 230 nm 阵列周期的器件在光电流 (0.15 mA)、响应度 (1.4 × 10 5 AW − 1 )、紫外/可见光抑制比 (≈ 10 3 ) 和比探测率 (4.9 × 10 14 Jones) 方面表现出最高的性能。这些发现提出了一种与 HEMT 兼容的策略来增强紫外光电探测器在电力光电应用中的性能，突出表明纳米孔图案化对于紫外光电检测技术的进步具有良好的前景。