There are four typical approaches to synthesis silane gas: a) magnesium silicide with mineral acids; b) lithium hydride with trichlorosilane (SiHCl 3 , TCS) or silicon tetrachloride (SiCl 4 , STC); c) silicon tetrafluoride with sodium aluminum tetrahydride; d) catalytic redistribution of chlorosilanes. Among these methods, the trichlorosilane redistribution method is the workhorse due to its convenient combination with the modified Siemens process for polysilicon production, however, the redistribution reaction is characterized by low to 0.2% equilibrium conversion in thermodynamics. The conventional solution is to execute the process with a two-step method that employs two fixed-bed reactors and three distillation columns, being faced with large amount of material circulation and huge energy consumption.
芯片制造中使用的其他材料也适合使用 ICP-MS 进行分析,包括金属有机化合物,例如三甲基镓 (TMG)、三甲基铝 (TMA)、二甲基锌 (DMZ)、四乙氧基硅烷 (TEOS) 和三氯硅烷 (TCS)。此类化合物是用于在金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 和原子层沉积中生长薄金属膜或外延晶体层的前体。纯金属,例如 Al、Cu、Ti、Co、Ni、Ta、W 和 Hf,用作物理气相沉积 (PVD) 的溅射靶,以在晶圆表面形成薄金属膜。砷化氢气体 (AsH 3 ) 用作非硅半导体(例如 GaAs、AlGaAs 和 InGaAsN)的前体。高 k 介电材料包括 Zr、Hf、Sr、Ta 和稀土元素 (REE) 的氯化物和醇盐。这些材料中的每一种都有可接受的污染物水平限值,需要使用 ICP-MS 进行分析。
分析了世界半导体和多晶硅 (poly-Si) 市场的现状和前景。长期的低 PS 价格阻碍了行业投资的增长,现在价格已经恢复到具有投资吸引力的水平。分析了 2024 年及长期的供需平衡,并回顾了目前使用的主要 PS 工艺。预计目前的多晶硅市场能力将在近期和中期内保持不变。然而,各国政府宣布的能源行业“绿色转型”、本地市场的发展以及价格恢复到具有投资吸引力的水平,促进了新 PS 工厂项目的发展。对俄罗斯来说,选择西门子三氯硅烷工艺参数尤为重要。俄罗斯市场的一个特点是存在几个非常重要的领域(太阳能、微电子、大功率电子、光子学和光纤),这些领域按国际标准来看规模较小,同样面临原材料短缺。看来,俄罗斯将从提供多种原材料供应问题解决方案的综合项目中受益匪浅。