vdW

schottky-barrier-fare vdw联系人在2D Penta-Nin2/ ... div>中

摘要：Schottky-Barrier-Far van der Waals（VDW）金属 - 半导体异质结构具有很大的潜力，可以克服具有出色设备功能的电子设备的接触电阻问题。然而，设计此类异质结构的长期挑战是在异性结界找到具有完美匹配的电子能级和带对齐方式的材料。为了应对这一挑战，我们提出了一种新型的VDW异质结构，由二维pentagonal pentagonal nigzenide（penta-nin 2）[ACS Nano 15，13539-13546-（2021）]（2021）]和Biphenylene Network（BPN）（BPN）[Science 372，852-852-856）（2021-2021）（2021）（2021）在异质结界面的通道和金属电极材料。基于第一原理的计算，我们发现垂直堆叠的五角星2和bpn可以形成相应的异质结构，而晶格不匹配可忽略0.15％，并且它们的内在电子特征是良好的，形成了VDW接触。更有趣的是，我们表明，这种堆叠导致垂直界面处的无孔式伴侣P型触点，这表明横跨异质结的无电阻孔传输。与传统的基于五角大楼的VDW堆栈不同，异质结构和半导体通道的电子能带在异质结的横向界面处很好地对齐。这些结果表明，Penta-Nin 2 /BPN可能是开发低电阻和高速野外效应晶体管和光电设备的有前途的候选人。