Justrite电池柜是用坚固的18号钢(1毫米)钢制成的,可确保耐用性和安全性。其外部维度为24英寸H x 43英寸W x 18英寸D。设计包括双壁侧,顶部和底部,墙壁之间有1-1/2英寸(3.8厘米)的气隙。手动接口门具有带有独特的火焰rarter图案的令人困惑的通风孔,并由连续的钢琴铰链支撑。机柜还包括接地附件,平整的脚和三分不锈钢子弹闩锁系统,可确保安全可靠的门闭合,同时增强对热量和腐蚀的阻力。齐平安装的门把手带有一个钥匙锁,以增加安全性。
Justrite电池柜是用坚固的18号钢(1毫米)钢制成的,可确保耐用性和安全性。其外部维度为24英寸H x 43英寸W x 18英寸D。设计包括双壁侧,顶部和底部,墙壁之间有1-1/2英寸(3.8厘米)的气隙。手动接口门具有带有独特的火焰rarter图案的令人困惑的通风孔,并由连续的钢琴铰链支撑。机柜还包括接地附件,平整的脚和三分不锈钢子弹闩锁系统,可确保安全可靠的门闭合,同时增强对热量和腐蚀的阻力。齐平安装的门把手带有一个钥匙锁,以增加安全性。
数十年来,由于摩尔法律[1],互补金属 - 氧化物半导体(CMOS)技术的连续扩展导致了信息技术的革命性发展,该法律规定,微芯片的密度每24个月增加了一倍。但是,由于由短通道效应等现象引起的泄漏电流,MOS场效应晶体管(MOSFET)会遇到限制[2]。尤其是由于载体的热极限,在室温下,子阈值秋千的极限为60 mV/dec [3]。使用隧道效应,使用影响电离的电离效果(i-MOS)[8-11]等各种设备,例如使用影响电离的电离MOS(I-MOS)[8-11] [12-24] [12-24] [12-24]使用反馈现象来克服这些限制。fbfet通过调节诸如p-n-p-n之类的结构中的潜在屏障,使用正反馈机制表现出陡峭的开关特性。第一次提出的FBFET通过将电荷捕获在栅极侧壁间隔物中来调节电势垒。然而,由于间隔区域的附加过程和不稳定性,已经提出了结构,以浓重的掺杂掺杂现有的间隔区区域,或用额外的栅极电极代替它[14,15]。这些结构相对稳定,可以在带有附加栅极电极的单个设备中重新配置p和n型[13]。但是,对于在P和N型操作模式中重新配置的四端设备结构的其他门电压调制是必需的。在这项研究中,我们提出了一个可重新选择的FBFET,可以通过控制单门电压调制来以P和N型模式进行操作。单门电压允许注射孔(P型)或电子(N型),以进行正反馈回路。与其他可重新配置的FET(RFET)[25-29]相反,该FET(25 - 29])通过阻碍注射不希望的荷载体,对电子和孔显示单极传导,可重新选择的FBFET使用电子和孔进行电流。因此,我们的设备表现出对P和N型配置的对称特征。
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