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World File Search System临界电流
超导体中自场临界电流的基本性质*
在不耗散能量的情况下进行电流的能力是超导体的特性，用于在核融合1和航空中用于医疗保健，自然科学和持续的全球项目中使用的磁系统。最高耗散电流被称为临界电流，这是超导体的主要实际特性之一（以及临界电流密度J C）。最近，Goyal等人2在4.2 k In（Re）BCO膜时报告了创纪录的高J c〜190 mA/cm 2，超过了最佳商业（RE）BCO电线中最高的J C，高出5倍。基于此高J C的巨大潜在实际影响，我们检查了原始的实验数据2，发现该高值源于单位转换的错误。真正的J C比报告的J C小10倍，与许多制造商当前达到的值一致。
在整个BCS-BEC跨界的临界电流，包括配对波动
目前的工作旨在对整个BCS-BEC交叉，即使在完全均匀的情况下，对当前密度与动量特征进行系统分析。在低温下，配对的弹性不足以使准二粒方法无效，发现了背流电流的急剧阈值，从而设定了耗散的开始并根据Landau确定关键动量。这一动量被认为可以顺利演变为从BCS到BEC机制，因此，单粒子电流密度的单个表达式包括配对爆发，使我们能够在BCS bcs-bec交叉的两个侧中分别融合了两种相等地基于两种非常不同的耗散机制，即分别，配对的断裂和调音。在有限的温度下，热闪光扩大了激发光谱，并使散发性（动力学和热的）机制彼此相互交织在一起，而是通过BARDEEN引起的替代标准来表明丧失超级流体行为。以这种方式，与以前的方法相对于线性和环形几何形状中的可用实验数据的详细比较显着改善，从而证明了量子闪烁在重新赋予单个颗粒激发光谱方面所起的至关重要的作用。
在常规超导微支架中涡旋限制的临界电流的非核心
，已被称为超导二极管效应。效果的根源取决于对称性破坏机制。我们研究了NBN和NBN/磁绝缘子（MI）杂种的超导微桥。应用二极管效率为30％时，当施加了小至25 mt的平面磁场时。在NBN和NBN/MI杂种中，我们发现当磁场平行于样品平面时，二极管效应消失。我们的观察结果与涡旋表面屏障确定的临界电流一致。超导带的两个边缘的不等障碍导致二极管效应。此外，观察到矩阵的最高可达10 K，这使得基于二极管应用的设备可能在更大的温度范围内的设备潜力。
确定...
西里西亚技术大学电气工程学院（1），西里西亚技术大学，电动驱动器和机器人技术系（2），orcid：1。0000-0002-6185-7935; 2。无，3。0000-0002-2508-1893，4。0000-0002-4279-0472 doi：10.15199/48.2024.10.05确定高温超导体磁带1G摘要中临界电流和C的角度依赖性。本文介绍了第一代高温率超导体磁带（HTS）中临界电流的角度依赖性的理论和角度依赖性。研究重点是分析磁场值和方向对临界电流的影响。这项工作还描述了使用Halbach配置中的Neododmium Magnets进行特殊设计的测试台的构建和操作，该磁铁可实现HTS磁带的准确测量和表征。研究结果确认了符合KIM模型，并允许开发关键电流密度模型，该模型可用于进一步的计算机模拟。摘要。本文介绍了第一代临界电流的角度依赖性的疗法和测量角度依赖性。研究着重于磁场对临界电流的价值和方向的影响。本文还描述了使用Halbach配置中使用neododmium磁铁设计的特殊设计站的构建和操作，该测试站允许对HTS磁带进行精确的措施和表征。结果证实了KIM模型的一致性，并有助于开发关键的当前Delsity模型，该模型可用于进一步的计算机模拟。（在高体质超导胶带中确定临界电流IC的角度依赖性1G）关键字：临界电流，高温超导体磁带，bisccco，anisotropia。关键字：临界电流，高电流超导胶带，Biscco，各向异性。高温入院超导录像带（HTS）用于许多电力行业应用，例如变压器，电力限制器和电缆[1-2]。设计这些设备中的每一个都需要了解外部因素对HTS磁带参数的影响。尤其涉及临界场的影响，例如温度-T c，磁场-b c和临界电流密度-JC。使用HTS磁带设计超导体设备的关键参数是确定适当的工作点。这是由于可能在许多限制的同时最大程度地使用超导材料。对增加设备功率密度的可能性的限制之一是临界电流的值以及HTS磁带相对于外场线的位置的影响。这是由于所有设备在某些条件下运行的事实，并且有必要考虑到您自己的领域与运输电流流有关的影响，而且还要考虑到所有外部场。临界电流的值取决于磁感应的值（B）和相对于HTS胶带的磁场力线的方向。您可以同时使用Kim（1）和各向异性磁铁（2）Magneto模型来确定这些依赖性[3-4]。
研究生院研讨会探索钒的薄片...
基于钒的Kagome超导体AV 3 SB 5（A = K，RB，CS）具有超导性和电荷排序之间的丰富相互作用。这些阶段可以通过施加静水压力来有效地分解。我将讨论我们通过压力下的运输电流探测正常状态和AV 3 SB 5的超导性的方法。磁取力最高〜31 t揭示了量子振荡，从而可以分析费米表面。尤其是，当电荷顺序被压力抑制时，大频率> 8000 t出现，从而揭示了重建前原始的费米表面[1,2]。在超导状态下，CSV 3 SB 5中的自我临界电流测量表现出可以通过无节结节的超导间隙来理解的温度依赖性，这与我们的发现对样品纯度不敏感[3]。最后，零温度极限处的自场临界电流显示在电荷顺序的边界附近也有巨大的增强，其中T C也得到了增强，暗示了电荷波动在超导性上的作用[4]。
超导稳定剂膜界面电阻对典型超导性能的影响
摘要 第二代高温超导 (HTS) 带材已广泛用作储能材料，例如超导磁能存储 (SMES) 设备。为了增强载流特性，这些系统通常在接近涂层导体的临界电流下运行；因此，可能会产生热点，这可能导致超导体淬火。为了防止热点的出现并减少故障量，本文努力提高正常区域传播速度 (NZPV)。超导体和稳定层之间的界面电阻已被证明是产生大量 NZPV 的关键，在故障情况下，界面电阻可以充当电流分流器。通过在超导层和稳定层之间添加高阻层，磁带的结构略有修改，其中各种界面电阻已用于预测 10 厘米长度的 HTS 磁带之间的温度分布。使用 COMSOL 创建了 2D 数值模型来评估 2G 超导磁带的 NZPV 和温度分布。已经得出结论，通过使用相当大的界面电阻来防止超导磁带失超，可以实现更大的 NZPV。关键词：HTS 磁带，正常区域传播速度，界面电阻，失超，HTS 电缆，SFCL，SMES。1.简介 涂层导体广泛应用于电力应用，因为它们能够承载巨大的电流，同时在临界电流附近有效运行。涂层导体已在几乎所有电力应用中取代了铜导体，包括电缆、电动机、发电机、变压器、MRI、NMR、故障电流限制器和 SMES 系统，因为它们在管理电流方面更高效，占用的空间比传统设备更少。当故障电流限制和储能设备在临界电流附近运行时，可能会形成热斑，导致超导体失超。如今，HTS 电缆的发展也受到关注，载流电缆的设计负载系数更大（接近临界电流），以最大限度地提高其载流能力。然而，过大的电流会因发热而导致不平衡，而冷却不足会导致热点，最终导致胶带热失超。这个话题尚未解决，许多研究小组正在