摘要:为研究 Ni 与 GaAs 衬底之间的固相反应,利用磁控溅射技术在 GaAs 衬底上生长不同厚度的 Ni 薄膜,并进行原位 X 射线衍射 (XRD) 退火。利用原位和非原位 XRD、极图和原子探针层析成像 (APT) 研究了厚度对金属间化合物形成的影响。结果表明,20 nm 厚的 Ni 薄膜与 GaAs 衬底呈现外延关系,沉积后为 (001) Ni//(001) GaAs 和 [111] Ni//[110] GaAs。增加薄膜厚度会导致 Ni 薄膜织构的变化。这种差异对 Ni 3 GaAs 的形成温度有影响。该温度随着厚度的增加而降低。这是由于初始 Ni/GaAs 界面的相干/非相干性质所致。Ni 3 GaAs 相在约 400 ◦ C 时分解为二元和三元化合物 xNiAs 和 Ni 3 − x GaAs 1 − x。与 Ni 3 GaAs 类似,第二相的分解温度也取决于 Ni 层的初始厚度。
摘要:对采用选择性激光熔化 (SLM) 技术制备的 Inconel 718 (IN718) 高温合金样品进行不同的加热循环,并研究其微观结构特征。选定的加热速率范围从 10 ◦ C / min 到 400 ◦ C / s,代表焊接增材制造试件热影响区 (HAZ) 中的不同区域。采用差示热分析 (DTA)、高分辨率膨胀仪以及激光共聚焦和电子显微镜相结合的方法研究了第二相的析出和溶解以及微观结构特征。为此,从与支撑接触的底部到顶表面研究了增材制造试件的微观结构。结果表明,在高加热速率下,γ”和δ相的溶解延迟并转移到更高的温度下。微观结构分析表明,枝晶间区域的 Laves 相在靠近样品表面的特定区域分解。确定这些区域的厚度和面积分数与施加的加热速率成反比。提出了一种可能的机制,该机制基于加热速率对枝晶间区域和枝晶核心中 Nb 扩散的影响,以解释观察到的微观结构变化。