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微电子电路第 8 版 - 牛津学习链接
3. 需要注意的是，M1 的 V OV 指定为 0.15 V，因此根据计算，V1 的直流偏置值应为 0.55V。这将使 M1 接近三极管区域，因此 VO 的信号摆幅将受到限制。这是因为问题解决方案中的计算结果没有考虑由于沟道长度调制 (LAMBDA) 而流动的电流。由于 NMOS 的 LAMBDA 大于 PMOS，因此它将输出端的工作点拉低至地。由于 L 非常小，因此这里的影响非常显著。因此，V1 的直流偏置略低于 0.53V。4. 执行瞬态分析并绘制 V(VO) 和 V(VI)。找到电路的增益。增益为 21.7 V/V。
适用于光接收器应用的低功耗两级 CMOS 运算放大器的设计方法
光接收器的性能受到互补金属氧化物半导体 (CMOS) 运算放大器 (op-amps) 设计的显著影响，这种设计受益于 CMOS 技术的进步，可降低噪声和功耗。本研究概述了低噪声 CMOS 运算放大器的设计过程，旨在实现高质量的信号输出，这对于必须尽量减少噪声干扰的专业音频设备和精密仪器等应用至关重要。通常，降低噪声的努力会导致速度降低和功耗增加。因此，实现性能参数的最佳平衡至关重要，噪声水平是主要关注点。提出了一种有效的设计方法来提高运算放大器的整体性能。采用分析方法来深入了解设计，优先考虑噪声性能。设备尺寸和偏置条件是根据噪声水平、带宽、信号摆幅、斜率和功耗等几个因素确定的。已经开发了一个两级运算放大器来验证所提出的设计方法。通过该方法得出的器件参数与使用 MATLAB 生成的模拟结果非常吻合，强调了设计过程的准确性和有效性。