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World File Search System偏压
MIL-STD-750D，半导体器件测试方法
4.1 测试条件................................................................................................................................ 5 4.1.1 环境室中允许的温度变化.................................................................................................... 5 4.1.2 电气测试频率........................................................................................................................ 5 4.1.3 准确度........................................................................................................................................ 5 4.1.3.1 测试方法和电路................................................................................................................. 6 4.1.4 校准要求............................................................................................................................. 6 4.2 方向........................................................................................................................................ 6 4.3 一般预防措施........................................................................................................................ 7 4.3.1 瞬态................................................................................................................................ 7 4.3.2 电气测量的测试条件........................................................................................................ 7 4.3.3 脉冲测量........................................................................................................................ 8 4.3.4 测试电路........................................................................................................................ 8 4.3.4.1 测试方法4.3.5 焊接................................................................................................................................ 8 4.3.6 引线连接顺序.................................................................................................................... 8 4.3.7 辐射预防措施................................................................................................................... 8 4.3.8 操作预防措施................................................................................................................... 8 4.3.8.1 UHF 和微波设备....................................................................................................... 8 4.3.8.2 静电放电敏感 (ESDS) 设备.................................................................................... 8 4.4 老化和寿命测试的连续性验证............................................................................................. 8 4.4.1 偏压中断........................................................................................................................................................ 9 4.5 HTRB 和老化要求 ...................................................................................................... 9 4.6 偏置要求 .......................................................................................................................... 9
肥胖和高血压
动脉高血压和肥胖具有复杂的，多因素的病因，并且是由于基因，环境，生活方式和情绪因素的相互作用而产生的，并且被认为是低强度的慢性炎症状态，因为研究表明，这些临床条件与炎症标记的水平高。与肥胖相关的动脉高血压具有复杂的机制，但是交感神经多动作作为这些机制涉及的主要因素。在肥胖个体中，交感神经的增加主要源自胰岛素抵抗和随之而来的高胰岛素血症，肾素 - 血管紧张素 - 醛固酮的过度激活（MRS）；和高稀释血症。这些因素导致各种途径导致交感神经的动力，并且可能是中枢神经系统或间接道路的直接刺激，但是由此产生的高肾上腺素能状态会触发一系列变化，导致高血压，动脉粥样硬化和增加的血栓形成风险。在肥胖症中观察到的交感神经多动引起的许多变化中，我们可以突出显示：增加糖化产物的形成，血管肌肉组织中营养作用的增加，较大的管状钠钠的表达，血管蛋白原mRNA在人脂肪组织中的血管蛋白酶mRNA的表达，通过脂肪组织中的氧化偏压，氧化牛的氧化偏压，氧化能力，氧化能力，氧化能力，通过氧化性氧化，氧化能力，氧化能力。在一氧化氮合成酶（ENOS）中。其他药物和其他脂肪蛋白，例如抗药药，维斯法汀和吉碱，也参与了肥胖个体动脉高血压的机制，但与瘦素和脂联素相关的作用较小。最近的研究表明，巨噬细胞的积极作用，因此在脂肪组织的炎症网络中具有先天的免疫力，这表明适应性免疫元素的重要参与，例如T细胞及其细胞因子。
六方氮化硼封装的单层 WS2 中的电子迁移率
我们报告了在六方氮化硼封装的双栅极单层 WS2 中的电子传输测量结果。使用从室温到 1.5 K 工作的栅极欧姆接触，我们测量了本征电导率和载流子密度随温度和栅极偏压的变化。本征电子迁移率在室温下为 100 cm2/(Vs)，在 1.5 K 下为 2000 cm2/(Vs)。迁移率在高温下表现出强烈的温度依赖性，与声子散射主导的载流子传输一致。在低温下，由于杂质和长程库仑散射，迁移率达到饱和。单层 WS2 中声子散射的第一性原理计算与实验结果高度一致，表明我们接近这些二维层中传输的本征极限。
建模可扩展的多核量子计算体系结构的短程量子传送
多核量子计算已被确定为解决量子计算的可伸缩性问题的解决方案。然而，量子芯片的相互作用并不是微不足道的，因为量子通信具有量子怪异的份额：量子偏压和无键的定理使转移量子的刺激性刺激性，在这种情况下，每一个额外的纳米纳赛计数和重新恢复是完全不可能的。在本文中，我们介绍了对多核量子计算机的量子通信进行彻底建模的第一步，这可能被视为量子互联网和芯片网络的众所周知的范式之间的中间点。，我们强调量子计算中延迟和错误率之间存在的深层纠缠，以及这如何影响这种情况的量子网络设计。此外，我们显示了一组最先进的实验研究参数的计算和通信资源之间的权衡。观察到的行为使我们可以预见到多核量子体系结构的潜力。
重掺杂磷注入 4H-SiC 上的 Ni 肖特基势垒
意大利微电子与微系统研究所 (CNR_IMM)，第 VIII 大街，5 号工业区，95121 卡塔尼亚，意大利摘要研究了在重掺杂（ND >10 19 cm -3 ）n 型磷注入碳化硅 (4H-SiC) 上形成的 Ni 肖特基势垒的电行为，重点研究了正向和反向偏压下的电流传输机制。肖特基二极管的正向电流-电压特性表明，主要的电流传输是热电子场发射机制。另一方面，反向偏压特性不能用独特的机制来描述。事实上，在中等反向偏压下，注入引起的损伤是导致漏电流温度升高的原因，而随着偏压的增加，纯场发射机制趋近于。讨论了重掺杂层上的金属/4H-SiC 接触在实际器件中的潜在应用。关键词：4H-SiC，电气特性，电流传输，肖特基器件
在人工耳蜗电极阵列插入中发现脆弱的阶段：体外模型的见解
目标：这项研究的目的是提高我们对插入侧壁耳蜗电极阵列涉及的机械的理解。设计：三名经验丰富的外科医生进行了一系列30个插入实验。根据已建立的软手术指南，在先前验证的人工颞骨模型中进行了实验。使用体外设置使我们能够全面评估相关参数，例如插入力，当经压力内压力和精确的电极阵列在受控且可重复的环境中。结果：我们的发现表明，在插入的后半部分中，强烈的后偏压瞬变更频繁，并且重新填充电极阵列是这种现象中的一个明显因素。对于选择最佳插入速度，我们表明，平衡缓慢运动以限制速度限制持续时间的缓慢运动至关重要，以限制震颤引起的压力尖峰，这挑战了一个普遍的假设
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特性：1. 符合 IEEE 802.3 和 ANSI X.3.263 标准，包括 350uH OCL 和 8mA 偏压 2. 设计用于 230 ± 5 o C 温度下的回流焊接 3. 体积小巧，适用于空间最受限的应用 4. 匝数比公差：± 5% 5. 工作温度：-40 o C 至 +85 o C 电气规格 @25 o C：1. OCL：350uH 最小 100KHz，0.1Vrms，8mA 引脚（1-3），引脚（6-8） 2. 匝数比公差：± 3%，引脚（1-3）：（16-14），引脚（6-8）：（11-9） 3. 原始 DCR：0.9 Ω 最大引脚（9-11），引脚（14-16）4. LL：0.4uH 最大值。引脚（1-3），引脚（6-8）1MHz，1Vrms 5. Cw/w：35pF 最大值。Pri. 至 Sec. 1MHz，1Vrms 6. 插入损耗：-1.1dB 最大值 @ 0.10--100MHz
2306.12269.pdf
摘要：在过去的几年中，在多次光束测试活动中观察到，当在比实验室测试期间安全操作电压低得多的电压下操作时，辐照的 LGAD 传感器会断裂，并留下典型的星形烧痕。本文介绍的研究旨在确定这些传感器可以承受的安全工作电压。作为 ATLAS 高粒度定时探测器 (HGTD) 光束测试的一部分，来自不同制造商的许多辐照传感器在两个测试光束设施 DESY（汉堡）和 CERN-SPS（日内瓦）中进行了测试。将样品放置在光束中并长时间保持偏压，以使每个传感器上穿过的粒子数量达到最高。两次光束测试都得出了类似的结论，即当传感器中的平均电场大于 12 V/µ m 时，这些破坏性事件就会开始发生。
AlGaN 势垒对具有 p-GaN 栅极的功率 HEMT 长期栅极可靠性的影响
阈值电压不稳定很大程度上被归因于 p-GaN/AlGaN 堆栈中存在的两种竞争机制，即空穴和电子捕获，分别导致负和正的 V TH 偏移 [3-9]。其中一种机制的盛行程度可能取决于栅极偏压和温度 [3]、技术种类 [11] 以及应力 / 表征时间 [12]。总体而言，来自栅极金属的空穴注入和 / 或高场耗尽肖特基结中的碰撞电离已被确定为导致 V TH 不稳定的此类现象的根本原因。提出了一些工艺优化措施，例如降低栅极金属附近 p-GaN 层中的活性镁掺杂浓度 [11]、降低 AlGaN 势垒中的铝含量 [3] 以及优化 p-GaN 侧壁的蚀刻和钝化 [10]，以限制正向栅极应力下的负和正 V TH 偏移。
通过离子传输减缓实现室温卤化物钙钛矿场效应晶体管
该通道是通过电容耦合和在栅极电极上施加适当的偏压来实现的。然而，在传统 FET 架构中，卤化物钙钛矿在室温和低频（尤其是直流操作）下的电流调制具有挑战性，这主要是由于钙钛矿层的混合离子-电子特性。[2] 溶液处理的 FET 通常以累积模式工作，而传统的 Si 基晶体管则以反转模式工作，其中耗尽层将导电通道与半导体块体隔离。为了实现电流的栅极调制和累积模式下的大开关电流比，需要具有低离子浓度的钙钛矿层。在高离子浓度下，如图 1a 所示，无法形成累积通道，因为栅极场被移动离子屏蔽，如图 1b 所示。只有当栅极偏压足够大以至于离子无法完全屏蔽栅极场时，才能观察到场效应电流。因此，形成一个积累层，如图 1c 所示。溶液处理的钙钛矿中可移动离子的浓度估计为 10 25 m − 3 的数量级，[3,4] 导致表面电荷密度为几个 μ C cm − 2，例如甲基铵卤化铅的表面离子密度为 5 μ C cm − 2。[3] 当使用厚度为 200 nm 的典型 SiO 2 栅极电介质（相对介电常数，k = 3.9）时，如此大的密度需要施加大于 300 V 的栅极电压才能感应积累通道，但这是不切实际的，因为它会导致电介质击穿。因此，钙钛矿 FET 中的电流调制主要在低温下实现，此时离子电导率显著降低，或者在高频下使用脉冲模式操作，此时离子无法响应电场的快速变化。[5] 低温或高频操作严重限制了钙钛矿 FET 的实际应用。为了解决这些问题，人们尝试了材料改性，例如合成单晶微板、[6] 准二维纳米片 [7] 或多组分钙钛矿 [8,9]。然而，这些方法可能会损害高通量制造、可重复性或高效电荷传输。因此，减轻或补偿离子迁移率对于实现实用的钙钛矿基 FET 至关重要。在这里，我们建议使用能够诱导大表面电荷密度的介电材料，例如