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World File Search System先进工艺
广东先导稀材股份有限公司
Jun 13, 2024 — 功能材料事业部拥有先进的火法和湿法冶金工艺,采用侧吹炉工. 艺、真空蒸馏工艺、以及溶剂萃取、离子交换、电解等先进工艺,回收. 和精炼各种含稀散金属固体、浆料和溶液。
USTER® QUANTUM 4.0
Uster Quality Expert 是用于纱线制造过程中先进工艺优化的质量管理平台。单一系统提供控制，确保纤维、纱线和织物的质量。100% 在线监控、精确的实验室测试和集成智能相结合，能够预测潜在故障并防止索赔。Uster Quality Expert 有两个版本：要么作为通过专用客户端服务器的独立解决方案，要么集成在 Uster Tester 6 中。
COMPANY_BROCHURE.pdf - 普锐特冶金技术
普锐特冶金技术公司的 ECO 解决方案为绿色钢铁生产做出了重大贡献。这些解决方案包括服务和先进技术，可最大限度地减少钢铁生产对环境的影响、提高能源效率并优化副产品管理。普锐特冶金技术为整个钢铁生产链提供专家咨询服务、先进工艺和整体解决方案。ECO 解决方案组合旨在确保遵守最严格的排放法规，并支持钢铁生产商实现大幅成本节约。目标始终是双重的：节约资源和创造价值。
Synopsys 和意法半导体
意法半导体为企业、网络、MCU 和高可靠性汽车等细分市场设计了先进技术节点的复杂片上系统 (SoC)。这些产品采用数千个内存实例设计，质量标准极高。生产目标是加快新产品推出 (NPI) 阶段的周期时间，并在检测到带有嵌入式内存的缺陷部件时缩短故障分析的周转时间。Synopsys STAR Memory System TM 用于测试、修复和诊断嵌入式内存，而 Synopsys Yield Explorer 则对内存诊断数据进行分析，以帮助快速识别和解决最先进工艺节点的系统故障机制。该组合解决方案是意法半导体向市场推出采用最新工艺技术的新型 SoC 的关键推动因素。
《关于扩大可再生能源的联邦法案》（《可再生能源扩展法案》）原文：BGBl。（联邦法律公报，FLG）I 第 15 号
采取符合水法规定的维持或改善水状况的措施，原最大容量不超过1兆瓦的，其最大容量或标准出力必须增加至少5%，原最大容量超过1兆瓦的，其最大容量或标准出力必须增加至少3%，才符合修复条件；如果采取符合水法规定的维持或改善水状况的措施，项目必须至少将电厂的最大容量或标准出力维持在修复前的水平，才符合修复条件；此外，电厂先前已经存在的主要部分中至少有两个必须继续使用，例如涡轮机、沉降盆、压力水管、渠道、发电站、鱼梯或堰；39.“最先进的技术”是指经过试验和测试的先进工艺、设施和操作
博士Jae-Dong Lee（韩国 KC Tech）- KISM 2024
Jae-Dong Lee 拥有延世大学化学工程学士学位，以及韩国科学技术院 (KAIST) 化学工程硕士和博士学位。1998 年，他加入三星电子半导体研发中心担任 CMP 工程师。他参与了 CMP 技术领域的各种研发活动，例如浆料、垫片、计量（包括设备硬件和先进工艺控制 (APC)）。2005 年至 2006 年，他被派往比利时，担任 IMEC 先进互连计划的 CMP 受让人，为期 2 年。2014 年，他调往卡博特微电子公司 (CMC)，在 CMC 美国总部（美国伊利诺伊州）从事研发和技术营销工作 7 年。他在 CMP/清洁和半导体技术领域拥有 50 多项国际专利和出版物。自 2022 年以来，他一直担任 KC Tech 材料部门的研发和销售总经理。
VGS 扫描范围对短沟道的影响...
随着 CMOS 技术缩放即将达到基本极限，对具有较低工作电压的节能器件的需求巨大。负电容场效应晶体管 (NCFET) 具有放大栅极电压的能力，成为未来先进工艺节点的有希望的候选者。基于铁电 (FE) HfO 2 的材料具有令人印象深刻的可扩展性和与 CMOS 工艺的兼容性，显示出将其集成到 NCFET 中以实现纳米级高性能晶体管的可行性。由于引入了 NC 效应，基于 HfO 2 的 NCFET 中的短沟道效应 (SCE) 与已经经过广泛研究的传统器件不同 [1]。具体而言，漏极诱导势垒降低 (DIBL) 在决定 SCE 的严重程度方面起着关键作用，在 NCFET 中表现出相反的行为。尽管人们已认识到施加电压对 NCFET 性能的影响 [ 2 ]，但栅极电压扫描范围（V GS 范围）对先进短沟道 NC-FinFET 中的 DIBL 的影响仍然缺乏研究。
2023 年秋季 EEE 598 高级电子封装和集成流程和工具
2023 年秋季 EEE 598 先进电子封装和集成工艺和工具 讲师：Hongbin Yu，ERC 159，电话：965-4455，电子邮件：yuhb@asu.edu 课程目标 随着政府和私营部门对将先进半导体制造能力转移到国内的兴趣和努力不断增加，微电子封装和代际，特别是先进封装能力，受到了越来越多的关注。本课程旨在介绍微电子封装和集成中使用的基本和更重要的先进工艺和工具，例如扇出晶圆级封装、中介层技术和硅通孔、混合键合，这些工艺和工具能够实现 2.5 D 和 3D 芯片或小芯片的集成，从而显着提高芯片的性能。这些过程中使用的工具也将介绍，其中一些将来自在亚利桑那州有业务的供应商。我们将讨论这些先进封装工艺所实现的应用示例，例如手机、游戏机、射频、光子学和数据中心中的应用。课程大纲
INNOPARK 和 MARS 中心概况
• 香港科技园公司位于大埔、元朗及将军澳的工业村分别于 1978 年、1980 年及 1994 年成立，作为商业和工业的制造基地。 • 经过近 20 年的创新和成功推动，香港科技园公司已将大埔、将军澳和元朗的三个工业村重新定位为新品牌“ INNOPARK ”，以推动新一代工业的高潜力行业，例如先进制造、微电子和生物技术。通过吸引高增值、高科技含量和先进工艺，香港科技园公司寻求将创新及科技带入三个 INNOPARK 的工业界。 • 三个 INNOPARK 正在实现香港再工业化的愿景。香港科技园公司致力推动工业园内现有土地资源的有效利用，并建造专用场所，支持各类前瞻性行业的科技研发和智能制造活动。 • 三个创新园将帮助工业家和先驱加速对创新驱动型制造业或“创新制造”和市场化产品的研究，为“香港创新、设计和制造”的创意开辟新道路，让它们自豪地成型并改变世界。 • 创新园的八项再工业化指导原则包括：