光活性过渡金属复合物是结合高光稳定性和长发光寿命的发光体。但是,水溶液中的光学性能降低限制了它们在生物系统中的使用。在这里,研究了在聚合物纳米颗粒(NPS)中串联的二胺复合物和近红外复合物(NIR)发射Cy5染料的物理化学和光学物理特性以及生物成像的兼容性。通过改变聚合物,尺寸为20至70 nm,并封装为≤40wt的RE复合物,即每NP的≈11000re络合物。封装后,RE络合物的光致发光(PL)量子产率增加了8倍至≈50%(乙腈的6-7%),导致PL亮度高达10 8 m -1 cm -1,PL寿命为3-4μs。复杂激发后,CY5的串联可产生非常明亮的NIR发射。非常紧密的转到Cy5供体 - 受体距离降低至≤2nm,而货物官方超过90%则由PL寿命测量结果确定。Re-Cy5 NPS进入可见和NIR中的高对比度PL成像,进入哺乳动物细胞。这种详细的表征可以更好地理解过渡金属型FRET NP的光物理特性,并为迈出了新的一类新型明亮发光NP探针的效果设计的重要步骤。
1 湖南省微纳米能源材料与器件重点实验室、湘潭大学物理与光电子学院,湖南 411105 2 同济大学物理科学与工程学院,上海 200092 3 贵州大学大数据与信息工程学院电子科学系,贵阳 550025 4 纳米科学与技术发展中心,9170124,中央火车站,智利 5 Kipu Quantum,Greifswalderstrasse 226,10405 柏林,德国 6 塞维利亚大学原子、分子和核物理系,41080 塞维利亚,西班牙 7 卡洛斯一世物理技术与计算研究所,18071 格拉纳达,西班牙 8 国际量子人工智能科学与技术中心(QuArtist)和上海大学物理系,200444 上海,中国 9 IKERBASQUE,巴斯克科学基金会,Plaza Euskadi 5, 48009 Bilbao, Spain 10 Departamento de F´ısica, Universidad de Santiago de Chile (USACH), Avenida V´ıctor Jara 3493, 9170124, Estaci´on Central,智利
结果:与对照组相比,AMCI/MAD组在所有OI测试和气味歧视测试中的表现都明显差。与OI fMRI [高斯随机场(GRF)校正的簇簇阈值(p <0.05)相比,AMCI/MAD组的右前梨状皮层的激活减少了,P <0.05]。纠正年龄,性教育和脑实质分数后,该组差异仍然存在。这种梨状活性的差异主要是由于气味歧视能力的差异和较小程度的OI能力驱动。在脑活动上没有气味歧视/鉴定得分相互作用。在两组中,只有气味歧视得分与位于右梨状皮层的大脑活动显着相关。OI期间的大脑活动与迷你心理状态检查评分无关。 在组级别,AMCI/MAD组仅激活了前岛,而对照组在OI fMRI期间在嗅觉网络的所有区域内都有显着激活。 在AMCI/MAD组中,OI fMRI期间的大脑活动与CSF的总β-淀粉样蛋白水平之间没有关联。OI期间的大脑活动与迷你心理状态检查评分无关。在组级别,AMCI/MAD组仅激活了前岛,而对照组在OI fMRI期间在嗅觉网络的所有区域内都有显着激活。在AMCI/MAD组中,OI fMRI期间的大脑活动与CSF的总β-淀粉样蛋白水平之间没有关联。
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完整的实验装置如图 S1 所示。超导量子比特遵循文献 [1] 中描述的“3D transmon”设计。单个铝制约瑟夫森结与蓝宝石衬底上的两个 0.4 x 1 毫米天线相连,嵌入空的铝块腔中,固定在稀释制冷机的 20 mK 基温下。transmon 芯片采用电子束光刻、双角蒸发和氧化工艺制成隧道结。光谱测量得出量子比特频率 ν q = 5 . 19 GHz,与下一个跃迁相差非谐性 α/ 2 π = 160 MHz。测得的弛豫时间为 T 1 = 16 µ s,拉姆齐时间为 T 2 = 10 . 5 µ s。读出和驱动脉冲由微波发生器产生的两个连续微波音调的单边带调制产生,微波发生器分别设置在 ν c 0 + 62 . 5 MHz 和 ν q + 62 . 5 MHz,其中 ν c 0 = 7 . 74 GHz 是高功率下的腔体频率(图 S3.a)。调制是通过将这些连续波与 62.5 MHz 的脉冲正弦信号混合来完成的,后者由 4 通道泰克任意波形发生器的两个不同通道合成。所有源均由原子钟同步。两个脉冲合并并通过输入线发送到腔体的弱耦合输入端口,输入线在稀释制冷机的各个阶段用低温衰减器进行滤波和衰减,确保进入设备的热激发可以忽略不计。在静止阶段 (850 mK) 使用商用 (来自 K&L) 低通净化滤波器,截止频率为 12 GHz,而在基准温度下插入自制低通滤波器,该滤波器由封闭在装有 Eccosorb 的红外密封盒中的微带线组成。请注意,图 S1 中表示为“反射探针”的类似线已用于现场估计腔体输入和输出耦合率 Γ a,b = γ a,b
