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World File Search System光刻胶
用于纳米制造的X射线光刻技术：有未来吗？
在X射线光刻（XRL）过程中，一些对X射线敏感并在特定溶剂中照射后改变溶解速率的材料（称为抗蚀剂）通过掩模暴露于X射线源并被图案化。掩模由重Z元素（Au，W等）组成，用作吸收区，而载体基板由低衰减元素（Si，Be，金刚石，SiC，SiNx等）组成（Tormen等人，2011年）。 XRL 的概念最早由 H. Smith 和 Spears 于 1972 年提出（Spears and Smith，1972；Smith 等，1973），由于其波长更短、穿透深度更大（比传统紫外光刻技术更短），引起了微纳米制造界的关注，为构建具有高深宽比、厚光刻胶和几乎垂直侧壁的微型器件提供了新的可能性（Maldonado 等，1975；Maydan 等，1975）。XRL 是 LIGA 工艺 [德语缩写 Lithographie Galvanoformung Abformung，意为光刻电沉积、成型（Becker 等，1986）] 的基本步骤，包括在显影的光刻胶结构中电沉积金属，以获得模具或电极，用于后续的复制工艺，如成型或电火花加工。 X 射线可分为软 X 射线和硬 X 射线（或深 X 射线），软 X 射线的能量范围为 150 eV 至约 2 keV，硬 X 射线（或深 X 射线）的能量则大于 5 keV。软 XRL 适用于光刻胶厚度有限的高分辨率结构（< 50 nm）。深 XRL（DXRL）通常用于 LIGA 工艺及照射厚光刻胶（数百微米）。目前，同步辐射设备中已有 XRL 技术。半导体行业对 XRL 的兴趣与技术节点的定义有关。该术语指的是特定的半导体制造工艺及其设计规则：最初，节点号定义了栅极长度或半节距（HP），而目前（22 nm 以下）它与采用特定技术制造的特定一代芯片有关。由于波长比紫外线更短，XRL 有可能确保所有技术节点的“分辨率储备”。此外，它不需要像紫外光刻那样在每个技术节点上都使用不同的设备。然而，该技术的潜力尚未得到充分发挥，因为人们首先关注的是紫外光刻，然后是极紫外光刻（Tormen 等人，2011 年）。最近，XRL 引起了 Next 2 节点（10 纳米技术节点以外）及以后的新关注，这主要是由于软 X 射线干涉光刻的潜力（Wu 等人，2020 年，Mojarad 等人，2015c 年）。
适用于扇出型晶圆级和面板级封装的细线和低应力 RDL 解决方案
本文通过 HRDP ®（高分辨率可剥离面板）技术介绍了一种新的 RDL 概念。它已受到业界的广泛关注，尤其是对于扇出型、芯片后置、晶圆级和面板级封装组件。本文介绍了 HRDP ® 的结构和材料。可提供各种尺寸和厚度的适用 HRDP ® 载体，用于圆形面板和带有玻璃或硅的方形/矩形面板，以满足客户要求。这可以简化流程并改善界面应力。本文详细介绍了使用 HRDP ® 的工艺步骤，这些步骤基本上使用 RDL 金属图案化中的现有工具（即光刻、显影/Descum 等），而不会破坏装配线布局和工艺流程。HRDP ® 与现有的电介质和光刻胶兼容。事实证明，基于凸块制造厂中用于 RDL 的电介质和光刻胶的功能，已经实现了 2/2 微米及以下的精细 L/S 几何形状。可靠性数据已共享。关键词 载体技术、HRDP ® (高分辨率可脱键面板)、机械脱键、线/间距 (L/S)、最后芯片、RDL、扇出型晶圆级 (FO-WLP)。面板级封装 (PLP)、热膨胀系数 (CTE)。
通过光场投影进行 3D 光刻 - NSF-PAR
提出并演示了一种通过微透镜阵列 (MLA) 的光场投影进行 3D 光刻的方法。利用 MLA，我们可以通过开发的聚焦方案将来自空间光调制器 (SLM) 的光传送到 3D 空间中的任意位置，即体素。体素位置和 SLM 像素位置之间的映射函数可以通过光线追踪一一确定。基于正确的映射函数，可以通过 SLM 和 MLA 在 3D 空间中重建计算机设计的 3D 虚拟物体。然后可以对投影的 3D 虚拟物体进行光学压缩并将其传送到光刻胶层进行 3D 光刻。利用适当的近紫外光，可以在光刻胶层内的不同深度构建 3D 微结构。这种 3D 光刻方法可用于在任意位置进行高速 3D 图案化。我们预计，在提出的光场 3D 投影/光刻方案中采用飞秒光源和相关的多光子固化工艺时，也可以实现高精度 3D 图案化。多光子聚合可以防止在到达设计的焦点体素之前沿光路对区域进行非自愿图案化，如我们在单光子演示中所观察到的那样。
DNA折纸定向集成胶体纳米光子材料与硅光子学
将胶体量子发射器确定性地整合到硅基光子器件中将推动量子光学和纳米光子学的重大进展。然而，将 10 纳米以下的粒子以纳米级精度精确定位到微米级光子结构上仍然是一项艰巨的挑战。在这里，我们引入了腔形调制折纸放置 (CSMOP)，它利用 DNA 折纸的形状可编程性，选择性地将胶体纳米材料沉积在光刻定义的光刻胶腔内，这些光刻胶腔被图案化到任意光子器件上，具有高产量和方向控制。软硅化钝化可稳定沉积的折纸，同时保留其空间可编程的 DNA 杂交位点，从而实现等离子体金纳米棒 (AuNR) 和半导体量子棒 (QR) 的位点特异性附着。这分别提供了对光散射和发射偏振的控制，并在氮化硅波导、微环谐振器和靶心腔内确定性地集成了单个 QR。因此，CSMOP 为胶体纳米材料集成到光子电路中提供了一个通用平台，具有为量子信息科学和技术提供强大推动力的广阔潜力。
直接成像掩模版写入器
下一代成像技术融合了我们可调四波 LED 投影仪技术、新数据处理方法、外部光栅化引擎、无捕获相关数据重新加载、全区域高分辨率缩放、产量和质量改进工具等诸多方面的重大进步。吞吐量：下一代光引擎功能强大，允许您根据吞吐量选择更少的光引擎，从而降低机器投资成本。四波：下一代采用 360、370、390、405nm LED。这些 LED 可以进行调整以匹配光刻胶灵敏度，从而提高成像效率和调整壁陡度，并允许灵活选择光刻胶和阻焊层类型。符合 DART 标准：下一代包括外部光栅化引擎。这允许高速光栅化，包括数字线宽补偿和缩放，无需等待。使用 DART 优化套件进行全过程控制。视觉增强：Miva 的新视觉技术允许特征测量并改善目标获取。 NextGen 的视野更大，使面板放置更加简单，并且无需重新加载与捕获相关的数据。分辨率：NextGen 目前提供 30µm、15µm 或 6µm 分辨率。
适用于 THz HEMT 的可靠 T 门工艺 - Enlighten Publications
最近，具有 25 nm T 栅极的 InP 基高电子迁移率晶体管 (HEMT) 已被证明可在 1.1 THz 下放大 [1]，这使得传统电子设备在太赫兹应用方面比光学设备更具竞争力。尽管积极推动 T 栅极的占用空间变得更短以实现更高的工作频率现已成为热门研究课题，但针对 100 nm 以下 T 栅极的稳健且经济高效的 T 栅极工艺仍然是行业的首要任务。在本文中，我们将展示格拉斯哥大学在超短 T 栅极工艺开发方面的最新进展。该工艺涉及在 PMMA/LOR/CSAR 三层 EBL 光刻胶堆栈上进行单次电子束光刻 (EBL) 曝光。通过仔细控制光刻胶厚度、电子束剂量以及适当的显影剂和显影时间，我们开发了一种可靠且稳健的工艺，用于具有各种脚和头长度的 T 栅极。图 1 显示了 GaAs 半绝缘基板上典型 T 栅极的扫描电子显微镜 (SEM) 图像。与最先进的 T 门工艺[3][4]相比，新工艺具有多项优势，并且有可能将 HEMT 的 THz 操作占用空间进一步缩小至 20 纳米以下。我们将在会议上更详细地阐述该工艺。
技术项目展览指南
首批 0.55NA 极紫外光刻工具继续朝着生产方向发展，没有出现 0.33NA EUVL 引入后出现的延迟和技术差距。0.33NA 成熟模块和技术的延续在可预测性和进度方面提供了预期的好处，而专注于创新变形光学器件的资源已实现与工具设计和计划应用一致的系统级像差和光刻胶成像性能。同时，在大批量生产中大量使用 0.33NA EUVL 所维持的健康生态系统支持了在英特尔 14A 工艺节点上引入 0.55NA EUVL 所需的掩模、光刻胶、底层、蚀刻、检测和计量方面的逐步增强。在此节点引入可避免使用 0.33NA EUV 进行过多的多重图案化，并且在正面金属间距与背面功率输送共同优化时尤其有益。随着初始引入的生态系统的建立，我们已经开始着手改进，例如 6x12 掩模格式，以充分利用高 NA 平台的生产力潜力，同时通过消除考虑大型芯片平面图中芯片拼接位置的需要来简化设计。最后，人们越来越乐观地认为，远远超过 0.55NA 的数值孔径在技术上是可行的，尽管仍在继续努力为开发“超 NA”生产工具提供商业依据。
UV LED 光源 非常紧凑实用的系统...
UV-KUB 3 是基于掩模对准系统的 UV-LED，可用光源为 365nm。这是一款非常紧凑的台式系统，可兼容 4 英寸晶圆或 6 英寸晶圆（具体取决于版本）。由于特定的光学布置提供了最大发散角小于 2° 的准直光束，因此可实现的最小特征尺寸为 1µm。UV-KUB 3 系统兼容硬（物理）或软（接近）掩模接触模式，并提供低至 1µm 的对准分辨率。该掩模对准系统支持所有标准光刻胶，例如 AZ、Shipley、SU-8 和 K-CL。
Gelest 的新生产设施破土动工
宾夕法尼亚州莫里斯维尔，2023 年 7 月 7 日——今天，三菱化学集团旗下的 Gelest, Inc. 迎来了其最新生产设施的奠基，标志着一个新的里程碑。这座占地 50,000 平方英尺的新建筑位于宾夕法尼亚州莫里斯维尔的 Gelest 全球总部，预计于 2024 年 9 月完工。在生产的第一阶段，Gelest 计划招聘 25 多名员工，随着业务规模扩大以满足不断增长的客户需求，还将进行额外的招聘阶段。三菱化学集团定制合成部门副总裁兼 Gelest 总裁 Jonathan Goff 分享道：“我们正在利用当地劳动力的技术专长并从当地大学招聘人才。此外，我们正在支持在岸业务趋势，从而加强美国先进制造业关键材料的供应链。”新工厂将增强 Gelest 的生产能力，支持从微电子和医疗设备到先进的热涂层和移动性等各种客户应用。作为与加州弗里蒙特的 Lam Research Corp. 战略合作的一部分，Gelest 将开发和生产用于 Lam 突破性的 EUV 光刻干光刻胶技术的前体化学品。干光刻胶 EUV 技术是一种先进的半导体制造技术，有望推动半导体市场的下一代逻辑和 DRAM 技术。这种前体生产将成为新大楼中商业规模运营的一项关键技术，
非人类灵长类动物大规模高密度全脑神经记录
表示用于子场拼接制造工艺的四个段或子块。 (E) 柄尖电极布局（顶部）和 CMOS 电路布局（底部）的细节。 (F) 柄中一个金属层穿过拼接区域时的自上而下的扫描电子显微镜 (SEM) 图像（比例尺：1 µm）；左上：拼接重叠区域外的横截面；右上：最窄处的横截面；由于双重光刻胶曝光，金属线更窄。 (G) 柄尖机械研磨至 25° 的 SEM 照片；插图：探针 10