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World File Search System光刻胶
2024 年欧洲医学和牙科协会
1 埃尔朗根-纽伦堡弗里德里希-亚历山大大学 (德国) 2 ASML Dutch BV (荷兰) 3 埃尔朗根弗劳恩霍夫 IISB (德国) 17:00 - 17:15 用于光刻应用的铬膜电液化 Swapnendu N. Ghosh、Santanu Talukder 印度科学教育与研究学院电气工程与计算机科学系 博帕尔 (印度) 17:15 - 17:30 多重触发光刻胶的建模 Thiago José dos Santos 1、Zelalem Belete 1、Andreas Erdmann 1、Alex PG Robinson 2,3、Carmen Popescu 2、Alexandra McClelland 2
均匀磁化矩形杆和圆柱体退磁因子的简单近似表达式
光学显微镜显示蚀刻后表面清晰无特征。总之，我们描述了一种制造可靠、易于去除的高能高剂量离子注入掩模的新工艺。要注入的样品以额外的 AIGaAs 金属剥离层作为表面层，在其上通过常规光刻胶剥离技术对金属掩模进行图案化。注入后，通过使用 HCl 选择性蚀刻 AIGaAs 来去除 AIGaAs 金属剥离层和金属掩模。由于 HCl 的选择性，在去除金属掩模期间底层外延结构不会受损。这项工作得到了国家科学基金会化合物半导体微电子工程研究中心 (CDR-85-22666)、材料研究实验室 (DMR-86-12860) 和海军研究实验室 (NOOO14-88-K-2oo5) 的支持。
离子荷电效应对提高反应活性的研究……
开发具有窄槽的精确硒化铅 (PbSe) 光栅对于光谱、热成像和环境传感中使用的中红外 (MIR) 技术的发展至关重要。制造这些组件的主要障碍是，随着槽宽变小，蚀刻轮廓中的不规则性和反应离子蚀刻 (RIE) 延迟趋势会增加。本演讲指出，非导电光刻胶上电荷的积累是这些不规则性的主要来源。通过应用导电铜层，我们可以中和这种电荷，从而成功蚀刻轮廓显著增强且槽宽低至 0.7 μm 的光栅。这一突破不仅提高了 MIR 设备的灵敏度和分辨率，还为安全和医疗保健等领域的新应用铺平了道路。
用于高压功率、高性能 SiC 器件的先进碳膜
关键词：SiC、注入、碳帽、退火、注入、蚀刻我们建议使用高级图案化薄膜 (APF®)，这是一种通过 Applied Producer® 沉积的 PECVD 碳基薄膜系列，用于解决 SiC 器件的几个加工难题：特别是，我们讨论了它作为 (i) 灵活、高质量离子注入掩模的优势，以及 (ii) 在离子注入后高温活化退火期间作为平面和 3D SiC 结构的保护帽层。将 APF 薄膜集成到注入和蚀刻处理块中的好处与普通光刻胶 (PR)、PVD C 帽和 SiO 2 HM 等替代方法进行了对比。碳化硅 (SiC) 具有非常吸引人的特性 1，包括宽带隙（3X Si）、高 E 击穿（10X Si）、高热导率（3X Si 或 GaN）。大尺寸衬底（最大 200 毫米）的出现导致了 SiC 基器件的广泛应用，预计 2027 年的 TAM2 市场规模将达到 63 亿美元。然而，SiC 加工面临着一些独特的挑战，需要解决这些挑战才能充分挖掘这种化合物半导体的潜力。在本文中，我们建议使用高级图案化薄膜 (APF®)，这是一种通过应用材料生产者® 沉积的 PECVD 碳基薄膜系列，可解决几个 SiC 器件加工难题：特别是，我们讨论了它作为（i）灵活、高质量的离子注入掩模，（ii）在离子注入后高温活化退火期间平面和 3D SiC 结构的保护性覆盖层，和（iii）用于改善下一代 SiC 器件的 SiC 沟槽硬掩模 (HM) 图案化的薄膜的优势。在注入和蚀刻处理模块中集成 APF 的优势可与常见光刻胶 (PR)、PVD C-cap 和 SiO 2 HM 等替代方法相媲美。
开发光学散射测量的不确定性分析
本文介绍了如何对散射测量进行不确定性分析。概述了一种通过最小二乘回归传播不确定性的方法。该方法包括测量噪声的传播以及测量中系统效应的估计。由于测量确定的各种参数之间可能存在相关性，因此描述了一种可视化提取轮廓中不确定性的方法。分析针对 120 nm 间距光栅进行，该光栅由 120 nm 高、45 nm 临界尺寸和 88 ◦ 侧壁角的光刻胶线组成，使用光谱旋转补偿器椭偏仪测量。结果表明，虽然散射测量非常精确，但有许多系统误差源限制了其绝对精度。解决这些系统误差可能会显著改善未来的散射测量。
采用生物可吸收氨基酸基树脂进行 3D 多光子纳米光刻
摘要：我们证明，新设计的含有聚合用乙烯基反应基团的氨基酸磷二酰胺树脂 (APdA) 可用于通过 3D 多光子光刻制造亚 100 纳米结构。我们使用原子力和单分子荧光显微镜定量分析了纳米结构的特征尺寸、杨氏模量和功能化。我们的结果表明，由缬氨酸或丙氨酸组成的聚合物主链赋予单体疏水性，将聚合物纳米结构在水环境中的膨胀限制在 8% 以内。尽管膨胀很小，但实验表明，在干燥和潮湿条件下，杨氏模量变化高达 10 倍。为了增强基于 APdA 的结构的多功能性，我们加入了生物素功能化并将其用于固定细胞外囊泡。因此，这些发现凸显了基于 APdA 的纳米光刻光刻胶在生物医学和纳米技术应用方面的潜力。
半导体制造设备 2023 年 10 月规则
描述 - 新的 SME 添加到 ECCN 3B001 和 3B002 3B001.a.4 控制用于硅 (Si)、碳掺杂硅、硅锗 (SiGe) 或碳掺杂 SiGe 外延生长的设备 3B001.d 沉积设备 3B001.f 光刻设备 3B001.k 控制用于“EUV”掩模版多层反射器的离子束沉积或物理气相沉积的设备。3B001.l 控制“EUV”薄膜。3B001.m 控制用于制造“EUV”薄膜的设备。3B001.n 控制用于涂覆、沉积、烘烤或显影为“EUV”光刻配制的光刻胶的设备。3B001.o 使用指定参数控制半导体晶圆制造退火设备。 3B001.p 对三种半导体晶圆制造清洗及移除设备的控制
根据 UV NIL 工艺中的液滴数量和应用方法研究气泡的形成
摘要 纳米压印光刻（NIL）是一种能够实现低成本、高通量纳米加工的新兴技术。近年来，NIL 的主要发展方向是高通量和大面积图案化。紫外固化型 NIL（UV NIL）可以在室温和低压下进行。UV NIL 的一大优势是它不需要真空，大大简化了工具构造，从而无需真空操作的高精度工作台和大型真空室。然而，非真空环境下的一个关键问题是气泡的形成问题，即气泡能否从光刻胶中完全去除。本文对非真空环境下 UV NIL 中采用液滴涂抹法形成气泡的情况进行了实验研究，研究了液滴体积和涂抹点数量对气泡形成的影响。
人工智能对光掩模行业的潜在影响
研究了高反射率相移掩模 (HR-PSM) 对 36nm 间距逻辑接触孔进行图案化的方法，并在成像性能 (ILS、LCDU、MEEF 等) 和曝光剂量方面与其他掩模吸收器进行了比较。为此，使用了晶圆数据校准的 CAR 和 MOR EUV 光刻胶模型。我们的模拟结果表明，HR-PSM 在较大的掩模 CD 下会产生暗场图像。但是，随着掩模 CD 的减小，图像的色调会发生反转，并且可以生成具有良好对比度的明场图像。基于这一观察，提出了一种 HR-PSM 加 MOR 图案化方法，用于最小间距等于 36nm 的全间距逻辑接触孔应用。我们表明，这种方法在全间距性能方面表现出多种增强，并且使我们能够使用 0.33NA EUV 扫描仪将逻辑接触孔的实际分辨率扩展到 40nm 间距以下。