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用于 EUV 光刻的光化图案掩模缺陷检测
随着极紫外 (EUV) 光刻技术进入大批量生产，半导体行业已将光刻波长匹配的光化图案化掩模检测 (APMI) 工具视为 EUV 掩模基础设施的主要空白。现在，已经开发出一种光化图案化掩模检测系统来填补这一空白。结合开发和商业化 13.5nm 波长光化空白检测 (ABI) 系统的经验以及数十年的深紫外 (DUV) 图案化掩模缺陷检测系统制造经验，我们推出了世界上第一个高灵敏度光化图案化掩模检测和审查系统 ACTIS A150（ACTinic 检测系统）。生产此 APMI 系统需要开发和实施新技术，包括高强度 EUV 源和高数值孔径 EUV 光学器件。APMI 系统具有高分辨率、低噪声成像，对缺陷具有极高的灵敏度。它已证明能够检测出印刷晶圆上估计光刻影响为 10% CD 偏差的掩模缺陷。
双模式模式通过含偶氮苯线性液晶共聚物的光荧光化启用
摘要：在材料的同一区域中创建双模式模式是提高信息存储维度，提高加密安全性水平并促进编码技术开发的高级方法。但是，原地，不同的模式可能会导致在制造和使用过程中严重的相互干扰。新材料和图案技术对于进步非介入双模式模式至关重要。在本文中，通过结合结构色和色极化来证明非递交双模式模式，该结构颜色和色极化是由含有偶氮苯的线性液体晶体共聚物设计的，具有光荧光效果。一方面，结构颜色模式是通过硅模板印刷的，并在紫外线诱导的聚合物表面从玻璃状到橡胶状态的局部局部过渡之后，并带有周期性微观结构。另一方面，基于局部光诱导的介体取向的不同极化模式是通过魏格特效应在光荧光区域内产生的。，次级印迹用于消除撰写极化模式期间结构颜色模式的部分损害，从而获得双模式图案而不会干扰。这项研究为创建具有潜在跨行业应用的先进材料和复杂的光图案技术提供了蓝图。■简介
MINI-PAM-II 手册
4.1 校准 ................................................................................................ 43 4.2 顶层窗口 .............................................................................................. 44 4.2.1 基础数据 .............................................................................................. 46 4.2.2 原始数据 .............................................................................................. 50 4.2.3 孔隙计 .............................................................................................. 50 4.2.4 淬灭分析 .............................................................................................. 50 4.2.5 Ft-Chart ............................................................................................. 51 4.2.6 光谱仪 ............................................................................................. 52 4.2.7 光化+产量 ............................................................................................. 54 4.2.8 诱导曲线 ............................................................................................. 56 4.2.9 光曲线 ............................................................................................. 57 4.2.10 回收率 ............................................................................................. 58 4.2.11 光化光列表 ............................................................................................. 61 4.3主菜单 ................................................................................................ 66 4.3.1 PAM 设置 ...................................................................................... 69 4.3.1.1 测量光 .............................................................................................. 69 4.3.1.2 测量光设置........................................................................... 70 4.3.1.3 增益 ................................................................................................ 71 4.3.1.4 阻尼 ................................................................................................ 72 4.3.1.5 ETR 因子 ........................................................................................ 72 4.3.1.6 Fo' 模式 ............................................................................................. 72 4.3.1.7 调整 F 偏移 ............................................................................................. 73 4.3.2 光源 ............................................................................................. 74 4.3.2.1 光化光 ............................................................................................. 74 4.3.2.2 光化强度 ............................................................................................. 74 4.3.2.3 光化因子 ............................................................................................. 74 4.3.2.4 远红 ............................................................................................. 74 4.3.2.5 远红设置 ............................................................... 76 4.3.2.6 灯板设置............................................................................... 76 4.3.2.7 SAT 设置.............................................................................. 77 4.3.3 程序/时钟................................................................................ 78 4.3.3.1 时钟............................................................................................. 78 4.3.3.2 时钟间隔......................................................................................... 79 4.3.3.3 时钟项目......................................................................................... 79
PTB 的 EUV 辐射测量更新
极紫外光刻 (EUVL) 技术基础设施的开发仍然需要许多领域达到更高水平的技术就绪状态。需要引进大量新材料。例如，开发 EUV 兼容薄膜以采用经批准的 EUVL 光学光刻方法需要以前没有的全新薄膜。为了支持这些发展，PTB 凭借其在 EUV 计量方面 [1] 的数十年经验 [2]，在带内 EUV 波长和带外提供了广泛的光化和非光化测量。两条专用的、互补的 EUV 光束线 [3] 可用于辐射度 [4,5] 特性分析，分别受益于小发散度或可调光斑尺寸。EUV 光束线 [5] 覆盖的波长范围从低于 1 nm 到 45 nm [6]，如果另外使用 VUV 光束线，则可以覆盖更长的波长。标准光斑尺寸为 1 毫米 x 1 毫米，可选尺寸低至 0.1 毫米至 0.1 毫米。单独的光束线提供曝光设置。过去曾采用 20 W/cm 2 的曝光功率水平，通过衰减或失焦曝光可获得较低的通量。由于差分泵送阶段，样品可以在曝光期间保持在定义的气体条件下。我们介绍了我们用于 EUV 计量的仪器和分析能力的最新概述，并提供了数据以供说明。
Charms250：低噪声读数的低温前端ASIC或
丰富的氙气观测实验：•研究一种罕见的核衰减实验，称为中性剂量双β衰变•Nexo将在5000千克Xenon-136同位素中搜索中微子双β衰变（2 x 10 28核），从而使少数范围的腐烂范围及其范围的潜在腐烂范围•合并范围的范围范围，•用于从衰减中重建电子的动能的TPC•用于将生成的光信号转换为电信号的硅光化型（sipms）
1。简介 - 背景和目标
上面描述的模型依靠冲击电离来繁殖光电子。电子探测器包括特别是光化管（PMTS，Art，1990），电子杂货CCD（EM-CCDS，Ryan等，2021年，Plakhotnik等人，和Plakhotnik等人，2006年），Intensi ED CCDS（ICCDS），Avalanch PhotodeShents（Aval Challanch Photodes）（Apphanch and diiodies）（Apphanch and diiodies）（APPHALENTERD DIIOODES）（APPHALLENTHENTENCHENT）（APPHALENTEN）， （Spads）。这些可以改善信号，但也会引入额外的噪声，即“乘法噪声”，它掩盖了光子射击噪声（Cho等，2006和Art，1990）。重要的是要注意，在这种情况下，该协议不会产生物理上正确的光子转换因子。
耗散非中的动力学和能量洞察......
[a] 条件：CD 3 CN，298 K，[ 1 ] = [ 2 + ]（每个实验的初始浓度报告于表 S2 中），l irr = 365 nm。[b] 通过化学光化测定法测定的 365 nm 处的光子流。[c] 反应 3 在稳态下的速率；参见图 2 的符号约定。[d] 循环的量子产率；括号中为每个循环吸收的光子数（1/ F cy ）。[e] 根据模拟浓度值确定的反应 1 的残余化学势。[f] 根据实验浓度值确定的反应 3 的残余化学势。[g] 在稳态操作循环中，自组装步骤所耗散的自由能。[h] 非平衡稳态下自组装步骤中储存的自由能密度。 [i] 能量转换效率，计算为 𝑇𝛥 !" 𝛴 #$ 与稳定状态下一个运行周期内吸收的总自由能之比。
模板依赖性-DNA-ligation for-the-...
DNA的化学修饰是改善寡核苷酸特性的常见策略，尤其是在治疗和纳米技术的背景下。现有的合成方法基本上依赖于磷光化化学或三磷酸核苷的聚合，并且在大小，可伸缩性和可持续性方面受到限制。在此，我们报告了一种使用模板依赖性的Shortmer片段的模板依赖性DNA连接的改性寡核苷酸从头合成的可靠替代方法。我们的方法基于化学修饰的Shortmer单磷酸盐作为T3 DNA连接酶的底物的快速而缩放的可及性。这种方法表现出对化学修饰，柔韧性和整体效率的高耐受性，从而授予最终具有不同长度（20→160个核苷酸）的最终范围广泛的修饰寡核苷酸。我们已将这种方法应用于临床相关的反义药物和高度修饰的超强剂的合成。此外，设计的化学酶方法在寡核苷酸疗法，生物有机化学，药理学和化学生物学中具有巨大的应用。
乌司奴单抗：Stelara®；韦兹拉纳™；塞拉迪™；皮茨奇瓦
− 着色性干皮病 − 其他罕见的光敏性遗传性皮肤病（例如毛发硫营养不良、科凯恩综合征、布卢姆综合征、罗斯蒙德-汤姆森综合征）（仅限 UVB） − 与皮肤癌风险增加相关的遗传性疾病（例如戈林综合征、眼皮肤白化病）（仅限 UVB） − 怀孕或哺乳（仅限 PUVA） − 红斑狼疮 − 有以下病史之一：光敏性疾病（例如慢性光化性皮炎、日光性荨麻疹）、黑色素瘤、非黑色素瘤皮肤癌、大面积日光损伤（仅限 PUVA）、砷或电离辐射治疗 − 器官移植患者的免疫抑制（仅限 UVB） − 光敏药物（仅限 PUVA） − 严重的肝脏、肾脏或心脏疾病（仅限 PUVA） − 年龄小于 12 岁（仅限 PUVA） −解剖位置被认为不适合进行光疗（即面部、生殖器、头皮或指甲）注意：无法进行光疗的患者将根据具体情况进行审查
全加成共价键合 PCB 制造工艺（SBU-CBM 方法）的详细表征
摘要：为了弥合 IC 级和板级制造之间的技术差距，文献中已经展示了一种完全添加的选择性金属化。在本文中，概述了制造过程中涉及的每个步骤的表面特性，并进行了表面的块状金属化。该生产技术使用聚氨酯作为环氧树脂，并使用专有的接枝化学方法在 FR-4 基板上用共价键对表面进行功能化。然后使用化学镀铜 (Cu) 浴对表面进行金属化。分析了使用光化激光束和钯 (Pd) 离子沉积 Cu 的这种逐层生长。采用最先进的材料表征技术来研究界面处的工艺机制。进行了密度泛函理论计算以验证层间共价键的实验证据。这种制造方法能够在相当低的温度下以选择性的方式向印刷电路板添加金属层。本文对使用材料块状沉积的工艺进行了完整的分析。